• 한국산학기술학회논문지
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• 제5권4호
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• pp.354-358
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• 2004

본 논문은 HEMT소자의 전류-전압특성을 해석적으로 모델링한 것으로 n-AlGaAs층의 전자농도를 고려하여 Gauss법칙과 비선형 전하제어모델을 이용하여 2DEG의 전자농도를 구하였고, 채널을 부분적으로 2차원적으로 해석하여 포화전압을 도출하였고, 계산된 결과는 n-AlGaAs의 전자농도를 고려하지 않은 결과와 비교하였을 때 비교적 정확한 전류전압특성을 보이고 있다

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2004년도 춘계학술대회
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• pp.158-161
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• 2004

In this study, an analytical model for I-V characteristics of an n-AIGaAs / GaAs Delta doped HEMT is proposed. The two-dimensional electron gas density and the conduction band edge profile are calculated from a self-consistent iterative solution of the Poisson equation. The parameters, which include the saturation velocity, two-dimensional electron gas concentration, thickness of the doped and undoped layer(AIGaAs, GaAs, spacer etc.,), are in good agreement with the independent calculations.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.209.2-209.2
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• 2013

We proposed and fabricated zinc oxide thin-film transistors (TFTs) employing 4-mercaptophenol (4MP) doped ZnO by atomic layer deposition (ALD) that results in highly stable and high performance. The 4MP concentration in ZnO films were varied from 1.7% to 5.6% by controlling Zn:4MP pulses. The n-type carrier concentrations in ZnO thin films were controlled from $1.017{\times}10^{20}/cm^3$ to $2.903{\times}10^{17}/cm^3$ with appropriate amount of 4MP doping. The 4.8% 4MP doped ZnO TFT revealed good device mobility performance of 8.4 $cm^2/Vs$ and the on/off current ratio of 106. Such 4MP doped ZnO TFTs exhibited relatively good stability (${\Delta}V_{th}$: 2.4 V) under positive bias-temperature stress while the TFTs with only ZnO showed a 4.3 ${\Delta}V_{th}$ shift, respectively.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권12호
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• pp.1085-1091
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• 2006

The microstructure, electrical properties, and its stability of (Pr, Co, Cr, La)-doped ZnO varistors were investigated at different sintering temperatures in the range of $1230{\sim}1300^{\circ}C$. As the sintering temperature increased, the sintered density increased from 5.50 to $5.77g/cm^3$, the varistor voltage decreased from 777.9 to 108.0 V/mm, the nonlinear coefficient decreased from 77.0 to 7.1, and the leakage current increased from $0.4{\mu}A\;to\;50.6{\mu}A$. On the other hand, the donor concentration increased from $0.90{\times}10^{18}\;to\;2.59{\times}10^{18}/cm^3$ and the barrier height decreased from 1.89 to 0.69 eV with increasing temperature. The stability of nonlinear electrical properties was obtained from sintering temperature of $1260^{\circ}C$. The varistors sintered at $1260^{\circ}C$ marked the high electrical stability, with $%{\Delta}V_{1mA}=+1.9%,\;%{\Delta}a=10.6%,\;and\;%{\Delta}I_L=+20%$ for DC accelerated aging stress state of $0.95V_{1mA}/150^{\circ}C/24h$.

• 한국세라믹학회지
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• 제36권1호
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• pp.69-76
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• 1999

BaCeO3 페롭스카이트 구조의 Ce4+ 자리에 3가의 양이온 (La3+, Yb3+, Al3+)을 10 mol% 첨가하여 열처리한 후 전기적 특성을 관찰하였다. 전기전도도 측정 결과 모든 조성에서 질소분위기에서 측정한 경우보다 대기 중에서 측정한 경우의 전기전도도가 높게 측정되었으며 이러한 경향은 온도가 높아질수록 두드러졌다. 전기전도도는 BaCe0.9Yb0.1O3-$\delta$조성에서 가장 높았고 BaCe0.9Al0.9O3-$\delta$ 조성에서 가장 낮았다. proton의 수송율(transference number)을 기전력 측정법을 통해 비교한 결과 Al을 첨가한 조성에서 모든 온도에 걸쳐 가장 높은 proton의 수송율을 얻을 수 있었다.

• 대한화학회지
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• 제53권1호
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• pp.42-50
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• 2009

유전율-분광법과 교류 전도도 측정 연구를 망간이 혼입된 층상구조의 $Na_{1.9}Li_{0.1}Ti_3O_7$에 시도하였다. 373-723K 온도와 100Hz-1MHz 주파수 영역에서 loss 탄젠트 (Tan$\delta$), 상대적 유전율 ($\varepsilon_{r}$) 그리고 교류 전도 도 ($\sigma_{ac}$)의 의존성을 혼입 유도체들에 대하여 조사하였다. 다양한 전도도 메커니즘이 존재하는데 MSLT-1과 MSLT-2의 경우에는 낮은 온도영역에서 전자에 의한 전도도를 보인다. MSLT-3의 경우에는 금지된 층간 이온 전 도도가 전자 전도도와 함께 존재한다. 이러한 층간 이온 전도도는 모든 혼입 유도체들에 대하여 중간 온도 영역에 존재한다. 가장 높은 온도 영역에서는 MSLT-1과 MSLT-2의 경우에는 이온 전도도와 polaron에 의한 전도도가 존재하고 MSLT-3에 대하여는 이온 전도도 만이 존재한다. 망간이 혼입된 층상구조의 $Na_{1.9}Li_{0.1}Ti_3O_7$에서 Loss 탄젠트 (Tan$\delta$)는 전자 전도도와 쌍극자의 위치, 그리고 공간 전하 분극화에 기인한다. 상대적 유전율의 증가는 층간 에 쌍극자 수의 증가에 기인하고 반면 상대적 유전율의 감소는 높은 혼입율에 따른 누전 전류의 증가에 기인한다.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2000년도 추계총회,초청강연,특별강연,연구발표회
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• pp.143.2-143
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• 2000

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2005년도 High Temperature Superconductivity Vol.XV
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• pp.32-32
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• 2005

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2005년도 하계학술연구발표회 논문개요집
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• pp.22-23
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• 2005

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제4권2호
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• pp.68-71
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• 1998

The effect of Mn and Nb additions on the electrical properties of BaTiO$_3$ has been studied by means of equilibrium electrical conductivity as a function of temperature, oxygen partial pressure(Po$_2$) and composition. If the manganese ion is added to the normal Ti site, i.e. BaTi$_{1-x}Mn_xO_{\delta-6}$, the equilibrium conductivity shows strong evidence of acceptor-doped behavior. The conductivity minimum, corresponding to the transition from oxygen excess, p-type behavior to oxygen deficient, n-type behavior with decreasing Po$_2$, is displaced to lower Po$_2$ and is broadened and flattened. The partial replacement of Mn ion with Nb decreases the acceptor-doped effect and the total replacement exhibits a typical donor-doped behavior. It was confirmed that unlike undoped or other acceptor-doped behavior. It was confirmed that unlike undoped or other acceptor-doped samples, for the p-type region, the electrical conductivity follows the 1/6th power dependence of oxygen partial pressure.