Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.20
no.6
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pp.278-282
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2010
The doping effect of thulium on electrical properties and degradation behavior in barium titanate ceramics ($BaTiO_3$) was investigated in terms of generations of core-shell structure and micro-chemical changes through highly accelerated degradation test. The dielectric specimens of pellet type and multi-layered sheets were prepared by using $BaTiO_3$ with undoped and doped with 1 mol% $Tm_2O_3$. The $BaTiO_3$ ceramics doped with 1 mol% $Tm_2O_3$ had 40% higher dielectric constant (${\varepsilon}$ = 2700) than that of the undoped $BaTiO_3$ specimen at curie temperature and met X7R specification. According to the result of highly accelerated degradation test conducted at $150^{\circ}C$, 70 V, and 24 hr, the oxygen diffusion was declined in dielectrics doped with 1 mol% $Tm_2O_3$. The $Tm^{3+}$ ion substituted selectively Ba site and Ti site and contributed to the generation of the core-shell structure. Oxygen vacancies occurred by substitution for Ti site could reduce excess oxygen that reacted to the Ni electrode.
Undoped SrB $i_2$T $a_2$O$_{9}$, donor-doped Sr$_{0.99}$B $i_2$(Ta$_{0.99}$W$_{0.01}$)$_2$O$_{9}$ and acceptor-doped SrB $i_2$(Ta$_{0.99}$Ti$_{0.01}$)$_2$O$_{8.99$ ceramics were prepared and their microstructure, ferroelectric P-E hysteresis and Curie temperature were investigated. Grain size did not influence P-E hysteresis curve in undoped SrB $i_2$T $a_2$O$_{9}$ ceramics. Donor-Doped Sr$_{0.99}$B $i_2$(Ta$_{0.99}$W$_{0.01}$)$_2$O$_{9}$ ceramics showed more saturated P-E hysteresis curve with larger remanent polarization (P$_{r}$) than undoped SrB $i_2$T $a_2$O$_{9}$ ceramics while acceptor-doped SrB $i_2$(Ta$_{0.99}$Ti$_{0.01}$)$_2$O$_{8.99}$ ceramics led to a pinched P-E hysteresis loop. Larger polarization in donor-doped Sr$_{0.99}$B $i_2$(Ta$_{0.99}$W$_{0.01}$)$_2$O$_{9}$ ceramics resulted from easier domain wall motion by Sr-vacancies.
In-site X-ray diffraction measurements under electric field up to 20kV/ cm were carried out on PLZT (x/70/30) with x=7.5, 8.0, 8.5, and 10.5 All of PLZT belonged to cubic phases. At x=7.5, 8.0 and 8.5 PLZT behaved as an antiferroelectric under low electric fields up to 4-8 kV/cm. PLZT became ferroelectric at the higher electric fields. The high-temperature measurements on the dielectric constants of PLZT with x=7.5, 8.0 and 8.5 showed that they were similar to relaxor ferroelectrics and underwent a diffuse phase transition from antiferroelectrics to paraelectrics at 50-7$0^{\circ}C$. Their P-E hysteresis curves confirmed that they were antifer-roelectrics. The broad distribution of Curie points suggests that there is a significant disorder of cations and vacances in the crystal structure of those PLZT due to La-substitution. The variation of the lattice strain of PLZT(10.5/70/30) with electic field was very small and did not show any hysteresis confirming that it was paraelectric. The degree of the electric-induced strain variation decreased as La doping increased. In PLZT(7.5/70/30) the intensity of 110 reflection changes sensitively by applying electric field. Some domains with polarization parallel to [110] appeared to be developed in the field-induced ferroelectric phase of the PLZT.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.173-173
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2010
$Bi_4Ti_3O_{12}$ ($B_4T_3$) is a unique ferroelectric material that has a relatively high dielectric constant, high Curie temperature, high breakdown strength, and large spontaneous polarization. As a result this material has been widely studied for many applications, including nonvolatile ferroelectric random memories, microelectronic mechanical systems, and nonlinear-optical devices. Several reports have appeared on the use of Mn dopants to improve the electrical properties of $B_4T_3$ thin films. Mn ions have frequently been used for this purpose in thin films and multilayer capacitors in situations where intrinsic oxygen vacancies are the major defects. However, no systematic study of the optical properties of $B_4T_3$ films has appeared to date. Here, we report optical data for these films, determined by spectroscopic ellipsometry (SE). We also report the effects of thermal annealing and Mn doping on the optical properties. The SE data were analyzed using a multilayer model that is consistent with the original sample structure, specifically surface roughness/$B_4T_3$ film/Pt/Ti/$SiO_2$/c-Si). The data are well described by the Tauc-Lorentz dispersion function, which can therefore be used to model the optical properties of these materials. Parameters for reconstructing the dielectric functions of these films are also reported. The SE data show that thermal annealing crystallizes $B_4T_3$ films, as confirmed by the appearance of $B_4T_3$ peaks in X-ray diffraction patterns. The bandgap of $B_4T_3$ red-shifts with increasing Mn concentration. We interpret this as evidence of the existence deep levels generated by the Mn transition-metal d states. These results will be useful in a number of contexts, including more detailed studies of the optical properties of these materials for engineering high-speed devices.
In this study we investigate the electronic structure and magnetism of transition metal (TM = Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Ru, Pd, Ag ) deped ZnO($TM_{0.25}Zn_{0.75}O$), which are expected to have Curie temperature. Full-potential Linearized Augmented Plane Wave(FLAPW) metod is adopted with exchange-correlation potential expressed as general gradient approximation(GGA). The calculated magnetic moments of ($TM_{0.25}Zn_{0.75}O$) are 0.83, 3.03, 4.03, 3.48, 2.47, 1.56, 0.43, 0.75, 0.01 ${\mu}_B$ for TM = Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Ru, Pd, Ag, respectively. The nearest neighbor O atom to the transition metal is calculated to have a significant magnetic moment of about 0.1${\mu}_B$, ?? 새 strong hybridization between O-p and TM-d bands. As the results, the systems may have larger magnetic moments in total, compared to the corresponding isolated atoms. The 3d TM doped systems exhibit the half-metallic character except Co, wheres the 4d TM doped systems behave like normal metals and low spin polarization at the Fermi levels.
The crystallographic and magnetic properties of the ferrimagnetic $CoFe_2O_4$ have been studied by X-ray and Mossbauer measurements. The crystal structure is found to be cubic spinel structure with the lattice constant $a_{0}=8.381{\pm}0.005{\AA}\;and\;a_{0}=8.391{\pm}0.005{\AA}$ for slow-cooled and quenched CoFeZ04' respectively. Mossbauer spectra of $CoFe_2O_4$ have been taken at various temperatures ranging from 13 to 780 K. The isorrer shifts indicate that the valence states of the Fe ions for tetrahedral(A) and octahedral(B) sites have ferric character. Debye temperatures for the A and B sites are found to be ${\theta}_A=734{\pm}5K\;and\;{\theta}_B=248{\pm}5K$ for slow-cooled and ${\theta}_A=531{\pm}5K\;and\;{\theta}_B=197{\pm}5K$ for quenched, respectively. Atomic migration from the A to the B sites starts near 400 K and 350 K for slow-cooled and quenched $CoFe_2O_4$, respectively, am increases rapidly with increasing temperature to such a degree that about 69 % for slow-cooled and 91 % for quenched of the ferric ions on the A sites have rmved over to the B sites at 700 K.
$Ba_2Mg_{0.5}Co_{1.5}(Fe_{0.99}In_{0.01})_{12}O_{22}$ was prepared by the conventional solid-state reaction method, and studied by x-ray diffractometer, vibrating sample magnetometer, and Mossbauer spectrometer. The crystal structure was determined to be a single-phased rhombohedral with space group R-3m. Magnetization value were $M_s$ = 28.6 emu/g at 295 K. The hysteresis loops indicate that all the samples are ferrimagnetic behaviors. Mossbauer spectra of $Ba_2Mg_{0.5}Co_{1.5}(Fe_{0.99}In_{0.01})_{12}O_{22}$ have been 6-sextet taken at various temperatures ranging from 4.2 to 620 K. Based on the isomer shift (${\delta}$) values of all samples, the charge states were found to be $Fe^{3+}$ state at all temperatures, the Curie temperature was determined to be 630 K by the ZVC curve.
Magnetic phases of polycrystalline $Ge_{1-x}Mn_x$ thin films were studied. The $Ge_{1-x}Mn_x$ thin films were grown at $400^{\circ}C$ by using a molecular beam epitaxy. The $Ge_{1-x}Mn_x$thin films were p-type and electrical resistivities were $4.0{\times}10^{-2}{\sim}1.5{\times}10^{-4}ohm-cm$. Based on the analysis of magnetic characteristics and microstructures, it was concluded that the ferromagnetic phase formed on the $Ge_{1-x}Mn_x/SiO_2$/Si(100) thin films was $Ge_3Mn_5$ phase which has about 310 K of Curie temperature. Moreover, the $Ge_{1-x}Mn_x$ thin film which had $Ge_3Mn_5$ phase showed the negative magnetoresistance to be about 9% at 20 K when the magnetic field of 9 T was applied.
For use in ultrasonic actuators, we investigated the structural and piezoelectric properties of $(1\;-\;x)Pb(Zr_{0.515}Ti_{0.485})O_3$ - $xPb(Sb_{1/2}Nb_{1/2})O_3$ + 0.5 wt% $MnO_2$ [(1 - x)PZT - xPSN + $MnO_2$] ceramics with a variation of x (x = 0.02, 0.04, 0.06, 0.08). All the ceramics, which were sintered at $1250^{\circ}C$ for 2 h, showed a typical perovskite structure, implying that they were well synthesized. A homogeneous micro structure was also developed for the specimens, and their average grain size was slightly decreased to $1.3{\mu}m$ by increasing x to 0.8. Moreover, a second phase with a pyrochlore structure appeared when x was above 0.06, which resulted in the deterioration of their piezoelectric properties. However, the 0.96PZT-0.04PSN+$MnO_2$ ceramics, which corresponds with a morphotropic phase boundary (MPB) composition in the (1 - x)PZT - xPSN + $MnO_2$ system, exhibited good piezoelectric properties: a piezoelectric constant ($d_{33}$) of 325 pC/N, an electromechanical coupling factor ($k_p$) of 70.8%, and a mechanical quality factor ($Q_m$) of 1779. The specimens with a relatively high curie temperature ($T_c$) of $305^{\circ}C$ also showed a significantly high dielectric constant (${\varepsilon}_r$) value of 1109. Therefore, the 0.96PZT - 0.04PSN + $MnO_2$ ceramics are suitable for use in ultrasonic vibrators.
Experimental magnetization-temperature curves for melt-spun ribbons of amorphous alloys (Dy$\_$0.33/Fe$\_$0.67/)$\_$1-x/B$\_$x/(x=0 ,0.05, 0.1, and 0.15) and (Sm$\_$0.33/Fe$\_$0.67/)$\_$1-x/B$\_$x/(x=0, 0.01, 0.02, and 0.03) (in atomic fraction) are fitted with theoretical equations based on the mean field theory in order to calculate exchange couplings between constituent elements as a function of the B content. In the case of the DyFe$_2$-B system, the sign of the exchange coupling between Dy and Fe is negative, indicating that the magnetization direction of Dy is antiparallel to that of Fe. The sign of the other two couplings are positive indicating a parallel alignment. The exchange coupling between Fe ions are greatest, while that between Dy ions is negligible. In the case of the SmFe$_2$B alloys, the sign of all the couplings are positive, indicating ferromagnetic coupling between the spins. The exchange couplings between Fe ions, and Fe and Sm are comparable to each other, but they are much greater than that between Sm ions. The high exchange coupling between Fe and Sm, which is considered to occur indirectly, is rather unexpected, but it is considered to be unique characteristics of amorphous Sm-Fe alloys. In both alloy systems, the exchange coupling between Fe ions increases with increasing B content. and this may be explained by the increase of the Fe-Fe separation with increasing B content. The exchange coupling between Fe and RE also increases with increasing B content. As the B content increases, the magnetization decreases over the whole temperature range, and the Curie temperature also decreases.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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