적외선 할로겐 lamp를 열원으로 하는 image furnace을 사용하는 Floating Zone process를 이용하여 Spodumene$(LiAlLi_2O_6)$ 단결정을 성장하였다. 결정의 길이는 50~60mm, 직경 6~8mm였고 dopant에 따라 녹색, 흑색, 연한 녹색의 결정을 얻었다. Spodumene 조성의 고찰을 위해 XRD와 FTIF을 조사하였으며, Laue back reflection pattern을 통해 결정성을 고찰하였다. 결정의 광투과도 측정을 위해 optical transmittance를 측정하였다.
In this study, thin foil fabrication using Ni/Ni3Al single crystal was performed by cold-rolling. It was found that the cold-rolling behavior was strongly dependent on the initial crystallographic orientation rather than morphology of Ni3Al precipitates. The deformation banding was formed in the case of (100)[001]- and (210)[001]-oriented specimens at 83% reduction in thickness. However, the effects of Ni3Al precipitates morphology on the microstructure evolution of Ni/Ni3Al single crystals during cold-rolling were not so serious comparing with the effects of initial crystallographic orientation. Therefore, it could be concluded that the deformation behavior of Ni/Ni3Al single crystals at serious strain level was strongly dependent on the initial crystallographic orientation rather than the morphology of Ni3Al precipitates, whereas the initial deformation behavior was related to both crystallographic orientation and the morphology of Ni3Al precipitates.
This paper is concerned with numerical analyses for bulk forming of a single crystal milli-product, whose typical size ranges from a few hundreds ${\mu}m$ to a few mm. The numerical formulation invoked in this paper combines the crystal plasticity theory considering texture development and the ductile damage mechanics for growth of micro voids, since orientation development and growth of micro voids become the primary factors for bulk forming of milli-size products. As applications, milli-extrusion of a single crystal round bar and milli-rolling of a single crystal plate are simulated and the results are discussed in detail.
구리 전해 도금 기술은 반도체 패키징 및 반도체, 이차 전지 등 다양한 마이크로 전자 산업 분야에서 구리 박막 또는 배선의 제조를 위해 사용되고 있으며, 각 응용처에서 요구하는 특성을 획득하기 위해 이들 구리 박막 또는 배선의 미세조직을 제어하고자 광범위한 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 기계적 물성이 우수한 이차 전지용 구리 박막을 제조하기 위해, 이차 전지 제조 공정 중 기계적 또는 열적 하중에 의한 박막의 소성 변형 시 박막을 구성하는 결정립들의 결정학적 이방성의 영향성을 조사하였다. 이를 위해, 상이한 집합조직이 발달한 2 종류의 10 ㎛ 두께 전해 도금 구리 박막에 대해 전자 후방 산란 (electron backscattering diffraction or EBSD) 기술을 이용하여 표면 또는 단면의 결정 방위 지도를 측정하였고, 이들을 초기 입력 정보로 한 결정소성 유한요소해석을 통해 1축 인장 변형에 따른 박막 내부의 국부적 변형 거동을 분석하였다. 이를 통해, 인장 변형률의 증가에 따른 박막 내 소성 변형 불균질성과 집합조직의 변화를 추적하였고, 불균질한 소성 변형을 일으키는 결정립의 결정 방위를 확인하였다.
KOH 용액을 이용한 단결정 실리콘의 이방성 식각 특성을 조사하였다. n형 (100) 단결정 실리콘 웨이퍼를 시료로 사용하였으며, 식각 비율이 월등히 작은 $SiO_2$층을 실리콘 식각의 마스크로 사용하였다. 실리콘의 식각속도와 식각상태는 KOH 용액의 농도와 온도조건 뿐만 아니라 용액의 균일도, 용액의 교반속도와 교반방향 등에 따라 큰 차이가 발생하였다. 실리콘의 식각 속도는 KOH 농도가 낮아질수록 증가하며, 온도는 높아질수록 증가하는 경향을 보였으며, 20 wt%~50 wt%의 농도 범위와 $50^{\circ}C~105^{\circ}C$의 온도 범위에서 식각속도는 $10\mu \textrm{m}/hr~250\mu\textrm{m}/hr$로서 큰 폭으로 변화하였다. 식각된 표면의 거칠기중 hillock의 발생은 (100)면과 (111)면의 식각 속도 비율이 커질수록 증가함을 알 수 있었다.
A 100 mm × 50 mm-sized (100) gallium oxide (Ga2O3) single crystal ingot was successfully grown by edge-defined film-fed growth (EFG). The preferred orientation and the quality of grown Ga2O3 ingot were compatible with a commercial Ga2O3 substrate by showing strong (100) orientation behaviors and 246 arcsec in X-ray rocking curve. Raman characterization was also performed for both samples; thereby providing various Raman-active characteristics of Ga2O3 crystals. In particular, we observed Ag(5) and Ag(10) peaks of Raman active mode, directly related to the impurity of the grown Ga2O3 crystal. Hence, the comparison of the crystal quality and Raman analysis might be useful for further enhancement of Ga2O3 single crystal quality in the future.
한국초전도저온공학회 1999년도 제1회 학술대회논문집(KIASC 1st conference 99)
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pp.47-50
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1999
The orientation mechanism of an amorphous $Bi_{2}$$Sr_{2}$$Ca_{2 x}$$Cd_{x}$$Cu_{3}$$O_{y}$ phase were studied by using the dilatometry. The amorphous $Bi_{2}$$Sr_{2}$$Ca_{2 x}$$Cd_{x}$$Cu_{3}$$O_{y}$ samples brought about a volume shrinkage at the onset of the crystallization of a $Bi_{2}$$Sr_{2}$$CaCu_{2}$$O_{6}$phase around $400^{\circ}C$. The random crystal growth of $Bi_{2}$$Sr_{2}$$CaCu_{2}$$O_{8}$ phase around $800^{\circ}C$. yielded a rapid volume expansion and after then samples shrinmed, accompanied with the crystal orientation. The$Bi_{2}$$Sr_{2}$$Ca_{2 x}$$Cd_{x}$$Cu_{3}$$O_{y}$ (x=0.4) sample exhibited the best-oriented structure because the liquid phase formed seemed to have the lowest viscosity which would contributed to the easy collapse of the card-house structure.
편광 푸리에 변환 적외선 분광법을 이용하여 액정 디스플레이의 배향막으로 널리 사용되는 폴리이미드 필름의 편광 자외선 조사에 따른 액정의 배향성과 열적 안정성을 연구하였다. 편광자외선이 조사된 폴리이미드의 경우, 조사된 편광자외선의 극성 방향에 평행한 폴리이미드 분자들의 우선적인 광분해 반응으로 인하여 편광자외선 조사 후 남아 있는 폴리이미드 분자들은 조사된 편광자외선 극성 방향과 수직 배향을 나타내었다. 하지만 러빙 처리된 폴리이미드 필름은 러빙 방향과 평행하게 폴리이미드 분자들의 재배향이 유도됨을 확인하였다. 또한 편광자외선이 조사된 폴리이미드 배향막이 편광자외선 조사를 통한 폴리이미드 분자들의 단편화 반응 때문에 러빙 처리된 폴리이미드 배향막 보다는 열적 안정성이 저하됨을 확인하였다.
Na, Min Young;Lee, Seung-Mo;Kim, Do Hyang;Chang, Hye Jung
Applied Microscopy
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제45권1호
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pp.23-31
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2015
Dark field (DF) transmission electron microscopy image has become a popular characterization method for two-dimensional material, graphene, since it can visualize grain structure and multilayer islands, and further provide structural information such as crystal orientation relations, defects, etc. unlike other imaging tools. Here we present microstructure of graphene, particularly, using DF imaging. High-angle grain boundary formation wass observed in heat-treated chemical vapor deposition-grown graphene on the Si substrate using patch-quilted DF imaging processing, which is supposed to occur by strain around multilayer islands. Upon the crystal orientation between layers the multilayer islands were categorized into the oriented one and the twisted one, and their local structure were compared. In addition information from each diffraction spot in selected area diffraction pattern was summarized.
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.493-495
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2007
Cinnamate groups are well-known for a dimerization reaction upon exposure to ultraviolet irradiation and a thermal reaction after being heated. In this study, to verify the thermal reaction of the cinnamate group in detail, we investigated the thermal crosslinking of cinnamate oligomers. The thermal reaction of cinnamate oligomers of low molecular weight is induced more readily by thermal energy compared with that of cinnamate polymers. The orientation of the liquid crystal depended on the length of the spacers in the cinnamate oligomers.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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