Silver conducting films were formed from nano-sized silver powders and glass frits prepared by flame spray pyrolysis. The mean sizes of the silver powders and glass frits were 73 and 63 nm, respectively. Nano-sized glass frits improved the adhesion strength of the silver conducting film to the glass substrate. The densities of the silver conducting films increased by increasing the glass contents of the films at firing temperatures of 400 and $500{^{\circ}C}$. The specific resistances of the silver conducting films with 5 wt.% glass of silver component were 7.8, 4.2 and 2.4 cm at firing temperatures of 400, 450 and $500{^{\circ}C}$.
Cho, Young-Sang;Hong, Jeong-Jin;Kim, Young Kuk;Chung, Kook Chae;Choi, Chul Jin
대한금속재료학회지
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제48권9호
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pp.831-841
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2010
Indium tin oxide (ITO) nanopowders were synthesized by coprecipitation and the sol-gel method to prepare a stable dispersion of ITO nano-colloid for antistatic coating of a display panel. The colloidal dispersions were prepared by attrition process with a vibratory milling apparatus using a suitable dispersant in organic solvent. The ITO coating solution was spin-coated on a glass panel followed by the deposition of partially hydrolyzed alkyl silicate as an over-coat layer. The double-layered coating films were characterized by measuring the sheet resistance and reflectance spectrum for antistatic and antireflective properties.
A new flip chip structure consisting of interlocking joints locally surrounded by non-conductive adhesive was investigated in order to improve the contact resistance characteristics and prevent the parasitic capacitance increase. The average contact resistance of the interlocking joints was substantially reduced from $135m{\Omega}$ to $79m{\Omega}$ by increasing the flip chip bonding pressure from 85 MPa to 185 MPa. Improvement of the contact resistance characteristics at higher bonding pressure was attributed not only to the increased contact area between Cu chip bumps and Sn pads, but also to the severe plastic deformation of Sn pads caused during formation of the interlocking-joint structure. The parasitic capacitance increase due to the non-conductive adhesive locally surrounding the flip chip joints was estimated to be as small as 12.5%.
The electronic band structure and electrical properties of KMo4O6 containing chains of condensed molybdenum octahedra are analyzed by means of the extended Hu&ckel tight-binding method. KMo4O6 has partially filled bands of 1D as well as 3D character. They also exhibit the anisotropic band dispersions with bandwidths much larger along the c* axis than along the directions perpendicular to it. Thus, conduction electrons are essentially delocalized along the c* direction (i.e., the chain of condensed molybdenum octahedra) in the solid. The 1D band of two partially filled d-block bands leads to Fermi surface nesting with the wave vector q=0.3c*. The CDW instability due to this nesting is expected to cause the phase transition associated with the resistivity anomaly at low temperature. The characteristics of metallic behavior in the crystallographic ab plane are explained on the basis of the unnested 2D Fermi surfaces.
AZO/Ag/AZO multi-layer films deposited on glass substrate by RF magnetron sputtering and thermal evaporator have a much better electrical properties than Al-doped ZnO thin films. The multi-layer structure consisted of three layers, AZO/Ag/AZO, the electrical and optical properties of AZO/Ag/AZO were changed mainly by thickness of Ag layers. The optimum thickness of Ag layers was determined to be $90{\AA}$ for high optical transmittance and good electrical conductivity. The Ag layers thickness $90{\AA}$ is an optical transmittance greater than 80% of visible light and the obtained multilayer thin film with the low resistivity of $8.05{\times}10-3{\Omega}cm$ and the low sheet resistance $5.331{\Omega}/sq$. Applying to TCO and Solar electrode will improve efficiency.
In this study, MOSFET type micro hydrogen gas sensors with platinum catalytic metal gates were designed, fabricated, and their electrical characteristics were analyzed. The devised MOSFET Hydrogen Sensors, called MHS-1 and -2, were designed with a platinum gate for hydrogen gas adsorption, and an additional sensing part for higher gas sensitivity and with a micro heater for operation temperature control. In the electrical characterization of the fabricated Pt-gate MOSFET (MHS-1), the saturated drain current was 3.07 mA at 3.0 V of gate voltage, which value in calculation was most similar to measurement data. The amount of threshold voltage shift and saturated drain current increase to variation of hydrogen gas concentration were calculated and the hydrogen gas sensing properties were anticipated and analyzed.
The influence of the order-disorder structural transition on the magnetic and mageto-optical, and transport properties of Fe-Al and Co-Al alloy films has been investigated. The disordered states in the alloy films were prepared by vapor quenching deposition on glass substrates cooled by liquid nitrogen. The experimental study of the magento-optical properties of the ordered and disordered Fe-Al and Co-Al alloy films has been carried out in 1.05-5.0 eV energy range at room temperature. The transport properties have been measured in 2-300K temperature range with and without magnetic field of 0.5T. The influence of the order-disorder structural transition on the magnetic and magneto-optical properties was discussed by using the effective medium approximation and the structural defect approach. That on the temperature dependence of the resistivity was analyzed in a framework of the partial localization of the electronic states and the variable range hopping conductivity.
난지도 매립지 주변지역과 매립지내에서 1995년 8월과 12월에 걸쳐 슐럼버져 수직비저항탐사와 쌍극자 전기비저항탐사를 실시하였다. 탐사지점은 1994년 8월과 1995년 2월에 실시했던 비저항탐사 지점과 가능한 한 동일하도록 노력하였으며, 모두 50점의 수직탐사와 2측선의 쌍극자탐사를 실시하여 매립지내와 그 주변지역의 연간 비저항구조 변화를 규명하고자 하였다. 자료의 해석결과 1년전에 비하여 매립지 내부와 주변지역의 평균비저항이 낮아지고, 침출수에 의해 오염되거나 포화된 층의 두께도 전반적으로 두꺼워진 경향을 보였다. 특히 좌지도 내부와 그 주변지역은 침출수에 의해 포화된 층의 평균두께가 3∼6 m 정도 증가했으며 기반암의 비저항도 낮아진 것으로 나타났다. 이러한 저비저항대의 평균두께 증가폭은 현실적인 수리전도도를 고려할 때 다소 큰 것이어서, 자료측정시나 해석시 오차의 영향도 생각할 수 있으나 비저항값의 변화를 볼 때, 침출수에 의한 지층오염이 진행되고 있다는 것만은 분명하다고 판단된다 한편, 매립지뒤쪽에서의 수직탐사 자료는 이전의 자료와 커다란 차이를 보여주고 있지 앓는 것으로 보아 침출수에 의한 풍화대와 기반암의 오염은 주로 매립지 내부와 전방 주변지역에서 활발히 진행되고 있다고 생각된다.
이소프렌 고무(IR)로 개질된 천연고무계의 NR/CB 복합재료의 가교반응에 대하여 반응 도중의 전기적 성질 변화를 in-situ로 측정함으로서 주어진 샘플의 가교반응 특성을 연구하였다. 샘플의 전기적 성질이 가황반응이 진행되는 동안 샘플 내의 카본 블랙의 재정렬에 의해 연속적으로 변하기 때문에 샘플의 체적고유저항 값(${\rho}$)의 변화를 반응시간의 함수로 표시하였다. 이로부터, 반응온도에 따른 반응시작 안정화시간($t_i$), 최대반응속도 시간($t_p$), 및 이 때의 최대반응속도 체적고유저항값(${\rho}_p$)을 정의하여 이로부터 Arrhenius 도시를 이용한 해석을 시도하였다. 체적 고유저항값 ${\rho}$는 반응시작 전에는 ${\sim}10^8$ order의 높은 값을 보이다가 반응시작 후에 급격히 떨어지는 안정화 시간, $t_i$를 거친 후에 다시 최대반응속도를 보이는 $t_p$에서 피크를 보이며, 그 이후에는 단조 감소하여 일정한 값으로 수렴하는 것이 관찰되었다. 한편, 샘플의 반응온도가 높아질수록 $t_i$는 $1{\sim}2$분으로서 상대적으로 일정한 데 반하여, $t_p$는 점점 더 짧아져 $160^{\circ}C$의 반응온도에서는 3분 정도로까지 짧아지는 것이 관찰되었다. 또한 반응의 인가 주파수에 대한 변화로서, 약 1,000Hz이하의 저주파수에서는 상대적으로 낮은 활성화에너지($E_a$)값을 보였으나, 10,000Hz의 높은 측정주파수에서는 더 큰 $E_a$값을 나타냄으로서 반응온도변화에 민감함을 보여주었다.
본 연구에서는 물리적 강도가 뛰어나고 고온에서 안정하며 유연한 친환경 소재인 박테리아 셀룰로오스를 기반으로 투명 전도성막을 제조하였다. 전기전도성의 확보를 위해 은나노와이어(AgNW)와 그래핀을 도입하였다. 합성한 AgNW는 평균적으로 길이 약 $15{\mu}m$, 폭 약 70 nm로 종횡비 214이었다. 종횡비가 클수록 접촉저항을 낮추어 전도성을 개선시키게 된다. 총 7가지의 막을 제조하고 열적 및 전기적 물성을 조사하였다. 또 전도성막으로 제조하기 위해서 BC막을 칼로 길이 2 mm, 깊이 $50{\mu}m$ 간격으로 홈을 파서 직교상의 그물모양을 형성한 후 이 홈에 AgNW와 그래핀을 채워 넣었다. 대표적으로 AgNW 첨가막은 두께 $350{\mu}m$, 전자농도 $1.53{\times}10^{19}/cm^3$, 전자이동도 $6.63{\times}10^5cm^2/Vs$, 비저항 $0.28{\Omega}{\cdot}cm$로 가장 우수한 전기적 특성을 지닌 것으로 평가되었다. 또한 그래핀 첨가막은 두께 $360{\mu}m$, 전자농도 $7.74{\times}10^{17}/cm^3$, 전자이동도 $0.17cm^2/Vs$, 비저항 $4.78{\Omega}{\cdot}cm$이었다. 550 nm 광투과는 AgNW 첨가막 98.1%, 그래핀 첨가막 80.9%로 투명한 전도성 막이 형성되었다. 모든 막이 평면과 휜 상태에서 LED 점등 실험에서 전구의 밝기에 차이가 있었으나 불이 켜졌다. $150{\pm}5^{\circ}C$의 열판에서 박테리아 셀룰로오스 막은 형태가 매우 안정하였으나 같은 두께의 PET는 형태가 심하게 변형되었다. 이러한 연구 결과를 통해 박테리아 셀룰로오스 기반의 투명전도성막을 제조할 수 있는 가능성을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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