• 제목/요약/키워드: complex oxide

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Synthesis of Oxide Ceramic Powders by Polymerized Organic-Inorganic Complex Route

  • Lee, Sang-Jin;Lee, Chung-Hyo;Waltraud M. Kriven
    • 한국결정성장학회:학술대회논문집
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    • 한국결정성장학회 2000년도 Proceedings of 2000 International Nano Crystals/Ceramics Forum and International Symposium on Intermaterials
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    • pp.151-163
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    • 2000
  • A polymerized organic-inorganic complexation route is introduced for the synthesis of oxide ceramic powders. Polyvinyl alcohol was used as the organic carrier for precursor ceramic gel. Porous and soft powders, which have a high specific surface area, were obtained after calcinating the aerated precursors. The PVA content and its degree of polymerization had a significant influence on the homogeneity of the final powder. In particular, attrition milling process with the porous powder resulted in ultra-fine particles. In the case of the preparation of cordierite powder, nano-size powder, which has a high specific surface area of 181 ㎡/g, was obtained by the milling process. The complexation route was also applied to the synthesis of unstable phase in room temperature like beta-cristobalite, high temperature form of silica.

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Fabrication of silicon nano-ribbon and nano-FETs by using AFM anodic oxidation

  • 황민영;최창용;정지철;안정준;구상모
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.54-54
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    • 2009
  • AFM anodic oxidation has the capability of patterning complex nano-patterns under relatively high speeds and low voltage. We report the fabrication using a atomic force microscopy (AFM) of silicon nano-ribbon and nano-field effect transistors (FETs). The fabricated nano-patterns have great potential characteristics in various fields due to their interesting electronic, optical and other profiles. The results shows that oxide width and the separation between the oxide patterns can be optimally controlled. The subsequently fabricated silicon nano-ribbon and nano-FET working devices were controled by various tip-sample bias-voltages and scan speed of AFM anodic oxidation. The results may be applied for highly integration circuits and sensitive optical sensor applications.

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고체 산화물 연료전지 음극에서 개질 가스의 경쟁적 전기화학 반응 (Competitive electrochemical oxidation of reformate gas in SOFCs)

  • 김용민;배중면;배규종;김정현;이창보
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.5-8
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    • 2008
  • SOFC (Solid oxide fuel cell) has an advantage in the term of fuel flexibility, comparing with other kinds of fuel cells. In SOFC and fuel reformer cooperation system, the reformate gas with the various $H_2$/CO ratios is delivered into the anode of SOFC. In this situation, electrochemical oxidation reactions of the reformate gas in the anode are complex and competitive. In this paper, the effects of the composition of $H_2$ and CO on the overall electrochemical oxidation at Ni-YSZ anode are studied by testing the open circuit voltage (OCV) and current-voltage characteristics of single cells.

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STI CMP 공정의 신뢰성 및 재현성에 관한 연구 (A Study on the Reliability and Reproducibility of 571 CMP process)

  • 정소영;서용진;김상용;이우선;장의구
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.25-28
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    • 2001
  • Recently, STI(Shallow Trench Isolation) process has attracted attention for high density of semiconductor device as a essential isolation technology. Without applying the conventional complex reverse moat process, CMP(Chemical Mechanical Polishing) has established the Process simplification. However, STI-CMP process have various defects such as nitride residue, torn oxide defect, damage of silicon active region, etc. To solve this problem, in this paper, we discussed to determine the control limit of process, which can entirely remove oxide on nitride from the moat area of high density as reducing the damage of moat area and minimizing dishing effect in the large field area. We, also, evaluated the reliability and reproducibility of STI-CMP process through the optimal process conditions.

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트럭용 커낵팅 로드 소재의 내부 품질에 따른 절삭 특성 연구 (A Study on the Machining Characteristics by the Internal Quality of Conecting Rod's Meterials for Trucks)

  • 김동현
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 1996년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.97-101
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    • 1996
  • In this paper, We have studied internal quality incluiding chemical compositions, microscopic structrue and nonmetalic inclusion of test materials. We have analyzed dynamic characteristics of cutting resistence including tensile strength value, hardeness value, impact value etcs. We have compared chip treatments of test materials. In analyzing internal quality, all of test materials have typical ferrite+pearlite structure. But, nonmetallic inclusion have oxide and sulfide inclusion in medium carbon steels, mainly sulfide inclusion is existed in S-free cutting steels. In Ca+S-free cutting steels, calcium aluminate and sulfide complex inclusion, had low-melting points, as deformation of sulfide and oxide inclusion is existed. machining characteristics, cutting resistence is maximum in Ca+S-free cutting steels, minimum in medium carbon steels. Chip treatements are excellent in S-free cutting steels, similar to the Ca+S free cutting steels and medium carbon steels.

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Hole Transfer Layer p-doped with a Metal Oxide for Low Voltage Operation of OLEDs

  • Shin, Won-Ju;Lee, Je-Yun;Kim, Jae-Chang;Yoon, Tae-Hoon;Kim, Tae-Shick;Song, Ok-Keun
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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    • pp.435-438
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    • 2007
  • $V_{2}O_{5}$ was tested as a p-dopant for lower operating voltage and higher stability of OLEDs. Low voltage and high stability were achieved using this doping layer. It can be separated to bulk and interface contributions and the latter is a more dominant factor both of operation voltage and stability.

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알루미나와 실리카/실리콘 기판의 계면 분석 (Analysis of Interfacial Layer between Alumina and Silica/Silicon Substrate)

  • 최일상;김영철;장영철
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 춘계 기술심포지움 논문집
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    • pp.252-254
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    • 2002
  • Metal oxides with high dielectric constants have the potential to expend scaling of transistor gate capacitance beyond that of ultrathin silicon dioxide. However, during deposition of most metal oxides on silicon, an interfacial region of SiOx is formed and limits the specific capacitance of the gate structure. We deposisted aluminum oxide and examined the composition of the interfacial layer by employing high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray reflectivity. We find that the interfacial region is not pure SiO$_2$, but is composed of a complex depth-dependent ternary oxide of $AlSi_xO_y$ and the pure SiO$_2$.

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Oxide CMP에서 Sliding Distance와 온도가 재료제거와 연마 불균일도에 주는 영향 (Effect of Sliding Distance and Temperature on Material Non-uniformity in Oxide CMP)

  • 김영진;박범영;조한철;정해도
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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    • pp.555-556
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    • 2007
  • Through the single head kinematics, sliding distance is a movement of a pad within wafer. The sliding distance is very important to frictional heat, material removal, and so on. A Temperature distribution is similar to sliding distance. But is not same. Because of complex process factor in CMP. A platen velocity is a dominant factor in a temperature and material removal. WIWNU is low in head faster condition.

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토양의 물리화학적 특성, 중금속 함량, 대자율 간의 상호관계 연구 (Relationship between Physicochemical Properties, Heavy Metal Contents and Magnetic Susceptibility of Soils)

  • 전칠민;박정식;김재곤;이윤수
    • 한국광물학회지
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    • 제23권4호
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    • pp.281-295
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    • 2010
  • 비오염토양, 폐광산 주변토양, 산업단지 주변토양을 채취하여 X-선 회절분석, pH, 전기전도도, 양이온교환능력, 작열감량, 산화철 산화망간 함량, 중금속 함량 및 중금속 존재형태와 토양대자율의 상관관계를 파악하였다. 시료의 X-선회절분석 정량분석결과 비오염지역 토양에서는 모암에 따라 다양한 광물이 분포하고 있지만, 적철석과 자철석은 거의 관찰되지 않았다. 폐광산 주변토양은 폐광석, 광물찌꺼기 등의 영향으로 적철석이 많이 확인되었고, 일부 시료에서는 자철석도 존재하였다. 산업단지 주변시료에서는 방해석과 철백운석 등의 탄산염 광물들이 대부분의 시료에서 확인되었다. 중금속의 존재형태를 파악하기 위한 연속추출 실험 결과, 폐광산 주변지역 토양시료에서 철, 망간, 중금속 원소들은 reducible, oxidizable, residual 단계별 추출 형태로 80% 이상, 산업단지 주변시료에서는 50% 이상 존재하였다. 산업단지 주변시료의 경우, 탄산염 광물의 영향으로 carbonate 형태가 높게 나타났다. 왕수로 추출된 철, 망간, 비소, 아연 함량은 산화철/산화망간 형태를 지시하는 dithionite-citrate-bicarbonate (DCB) 용출 함량과 매우 밀접한 정의 상관관계를 보여주었다. 철과 비소는 각각 왕수추출함량의 54%, 58%가 산화철/산화망간 형태과 함께 거동하는 것으로 나타났다. 대자율은 $0.005{\sim}2.131{\times}10^{-6}m^3kg^{-1}$의 범위로서, 시료 내에 적철석, 자철석 등 산화철 광물이 존재할 경우 대자율이 높게 측정되었다. 토양 내 중금속 함량과 대자율의 상관관계를 살펴본 결과 철 (r=0.608, p<0.01), 망간(r=0.615, p<0.01)과 유의한 정의 상관관계를 보였으며, 카드뮴(r=0.544, p<0.05), 크롬(r=0.714, p<0.01), 니켈(r=0.645, p<0.05), 납(r=0.703, p<0.01), 아연(r=0.496, p<0.01) 등의 중금속 원소와도 유의한 정의 상관관계를 보였다. 철, 망간 및 중금속원소들 간의 상관관계를 살펴본 결과, 왕수로 용출된 철, 망간 함량과 카드뮴, 크롬, 구리, 니켈, 아연 등의 중금속 함량이 정의 상관관계를 보이고 있다. 또한 산화철 및 산화망간 함량은 비소 및 니켈 함량과 밀접한 상관성이 있는 것으로 나타났다. 이는 비소와 니켈은 산화철 산화망간에 흡착되어 함께 거동함을 암시한다.

산화물 표면의 U(VI) 흡착에 미치는 살리실산과 피콜린산의 영향 (Effect of Salicylic and Picolinic Acids Acids on the Adsorption of U(VI) onto Oxides)

  • 박경균;정의창;조혜륜;송규석
    • 방사성폐기물학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.219-227
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    • 2009
  • 세 종류의 산화물($TiO_2$(아나타제), $SiO_2$(비결정성) 및 $Al_2O_3$(비결정성)) 표면에 U(VI)이 흡착될 때 유기산이 미치는 영향을 연구하였다. 유기산으로는 살리실산과 피콜린산을 사용하였다. 유기산의 존재 여부에 따라 달라지는 U(VI)의 흡착률 변화를 pH 함수로 측정하였다. 또한 U(VI)의 존재 여부에 따라 달라지는 유기산의 흡착량을 pH 함수로 측정하였다. $TiO_2$의 경우, 살리실산과 피콜린산이 U(VI)과 수용성 착물을 형성함으로써 U(VI)의 흡착률을 저하시킨다. $SiO_2$의 경우, 살리실산은 U(VI) 흡착에 영향을 주지 않지만, 피콜린산은 오히려 U(VI) 흡착을 증가시킨다. 이 현상을 삼성분 표면착물(ternary surface complex) 생성으로 해석하였으며 U(VI) 흡착에 의존하는 피콜린산의 흡착량 변화, 그리고 흡착된 U(VI)의 형광 특성 변화로 이를 확인하였다. $Al_2O_3$의 경우, 살리실산과 피콜린산 모두 U(VI) 흡착과 무관하게 높은 흡착량을 보였으나 U(VI) 흡착을 감소시키지는 않았다. 따라서 삼성분 표면착물 생성을 배제할 수 없으나 이를 확인하기 위해서는 분광 분석과 같은 추가 연구가 필요하다.

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