• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.52-52
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• 2010

Amorphous carbon films have a variety of potential applications. In most such applications film properties are crucial and highly dependent on the film growth conditions. We here investigate the atomic structure of the films, which is generated at various incidence angles, using the classical molecular dynamics. Varying incidence angle of the deposited carbon atoms, different level of sp hybridization and porosity of the film are captured in our model. As the incidence angle becomes glancing, subplantation of the deposited carbon in vertical direction is significantly reduced, rather bouncing back of the incident carbon with slight modification of surface structure is mainly occurred at the early stage of the film growth. As the surface becomes rougher, shadowing effect at these glancing incidences also becomes more significant, which tends to cause asymmetrical and columnar structure. We describe incidence angle dependence of the evolution of the atomic structure of the film and its corresponding properties.

• 열처리공학회지
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• 제10권4호
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• pp.246-254
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• 1997

The 6.5wt %Si-Fe alloy sheets were made by the twin roll process. The magnetic properties and microstructures of sheets annealed in the sulfur atmosphere were studied. In the as-prepared sheet, non-oriented columnar grains about $10{\mu}m$ in diameter were observed, which grew from the surface to the inner part of the sheet. When the annealing temperature was around $700^{\circ}C$, the primary recrystallization was formed around the middle part of the sheet thickness, and the grain size increased with increasing annealing temperature. At the annealing temperature of $900^{\circ}C$, the grain size became $30{\sim}40{\mu}m$. Around the annealing temperature, the motive force of the grain growth is the grain boundary energy. However, above $1000^{\circ}C$ the surface energy played an important role in the observed grain growth. When the sheet were annealed at $1200^{\circ}C$, the grains whose (100) planes were paralled to the thin plate surface grew, and all sheet surfaces were covered with these grains after 1 hour annealing. This phenomenon is called tertiary recrystallization. A difference in surface energy between (100) and (110) surfaces provides a driving force for growth of tertiary grains. The coercive force was 0.27 mOe and the AC core loss $W_{12/50}$ was 0.38w/kg for the 6.5wt%Si-Fe alloy.

• 한국자기학회지
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• 제15권5호
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• pp.276-281
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• 2005

전기도금 시 외부자기장을 인가하여 CoPtP 합금을 제조하였을 경우 인가 자장이 합금의 결정성장 방향과 입자의 크기에 미치는 영향을 조사하였다. 전기 도금 시에 도금되는 박막의 수직방향으로 외부의 자기장을 0에서 1 T까지 인가하여 CoPtP 합금을 제조하였다. 외부의 인가자장이 없을 경우에는 합금의 성장이 fcc (111)과 hop (002)가 혼합된 형태를 나타내지만, 외부 인가자장이 1 T일 경우에는 hcp (002)의 형태로만 이루어졌다. CoPtP 합금은 columnar 형태로 성장을 하고 성장이 진행됨에 따라서 합금의 입자크기가 커지게 됨을 확인하였고, 자기장이 존재하는 경우는 CoPtP의 두께가 200nm까지는 cell의 크기가 Co의 단자구 크기 이하인 20nm 이하로 제어되고 박막에 수직방향으로 자화 용의축인 (002)방향으로 hcp 결정의 성장이 유도되었다. 이를 통하여 자기적 성질이 가장 우수한 박막의 두께를 정할 수 있었으며 전류밀도를 제어하여 보자력 6.1 kOe, 각형비 0.9의 우수한 자기적 특성을 나타내는 CoPtP 합금의 전기도금 조건을 확립하였다. CoPtP 합금의 자기적 특성을 VSM을 통하여 확인하였으며 결정방위와 미세구조조직은 XRD와 TEM을 통하여 조사하였다.

• 한국버섯학회지
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• 제21권4호
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• pp.261-265
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• 2023

외국품종을 대체하고 원형과 봉형배지에 모두에 적합한 우수한 순수 국산 품종육성을 목표로 진행되었으며 외국 수집균주를 모본으로 재배호환이 가능한 고품질 신품종 '참존'을 육성하였다. 온도에 따른 균사배양 특성에서 25℃가 최적 배양온도로 조사되었다. 배지에 따른 균사배양 특성에서는 참존은 PDA 배지에서 균사생장이 가장 우수하였으며, 전반적으로 대조품종 보다 균사생장이 우수하였다. 원기둥형 상면재배와 봉형 전면재배를 통해 자실체 수량과 형태적 특성을 파악한 결과, 두 재배법 모두에서 참존이 안정적으로 생산이 가능하다는 것을 확인하였으며, 참존의 수량과 개체중이 대조품종보다 높았다. 또한 갓 정단부의 색깔은 더 진한 것이 특징적이었으며 갓 모양은 재배방법에 따라 차이가 있었다. 유전적 다형성 검정 결과에서 참존이 대조품종들과 유전적으로 구별되는 것을 확인하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제36권9호
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• pp.937-945
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• 1999

반응결합 탄화규소(RBSC) 반응관을 보호하기 위하여, 반응결합 탄화규소 기판 위에 탄화규소를 1~10 범위의 입력기체비(${\alpha}=P_{H2}/P_{MTS}=Q_{H2}/Q_{MTS}$)와 1050~1300$^{\circ}C$범위의 증착온도에서 methyltrichlorosilane(MTS)로부터 수소분위기에서 저압화학기상법으로 증착하였다. 1250$^{\circ}C$의 증착온도에서 입력기체비가 감소함에 따라 증착속도는 증가하다가 감소하였다 입력기체비가 높을 때에는 (111) 우선배향성을 나타내고 과립형의 미세구조를 보이며, 입력기체비가 작을 경우에는 (220) 우선배향성을 가지는 마면주상의 미세구조가 관찰되었다. 증착온도가 증가함에 따라 입력기체비와 비슷하게 미세구조의 변화하는결과를 얻었으며, 이러한 결과는 증착기구의 변화와 밀접한 관련이 있다. 일정한 증착온도에서 입력기체비의 조정를 통하여 얻었으며, 이러한 결과는 증착기구의 변화와 밀접한 관련이 있다. 일정한 증착온도에서 입력기체비의 조절을 통하여 과립형과 미면주상의 미세구조를 함께 가지는 복층구조를 연속공정을 통하여 성공적으로 제조하였다.

• 한국재료학회지
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• 제9권7호
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• pp.707-714
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• 1999

형광등으로 사용되는 전기 에너지의 40%를 절약할 수 있는 방법으로서 그 반사값을 특수 은 반사박막으로 처리하여 고효율 및 내구성을 갖는 기술이 최근에 알려지고 있다. 이 박막들은 sputtering법을 이용한 것으로 주로 미국에서 생산되어지고 있다. 한편. evaporation 법으로 제작된 은 박막들은 일반적으로 반사효율에는 별문제가 없으나 부착력이 떨어지는 단점이 있다. 우리는 수년간 polyester를 기판으로 하고 몇가지 PVB 방법을 동원하여 고 반사율 및 부착력을 갖는 은경 박막을 확보하기 위해 연구를 해왔다. 그 결과, evaporation 법으로 제작된 은 박막은 96.4%의 반사율을 보이나 부착력은 $12 Kg/\textrm{cm}^2$에 불과함을 확인하였고. sputter 법으로 제작한 시편들의 반사율은 96.3 %로 비슷하였으나 부착력이 /$20 Kg\textrm{cm}^2$로 거의 두배로 뛰어올라 sputter법의 공정조건이 그 결과박막들의 물리적 특성에 미치는 긍정적 영향을 확인할 수 있었다. X-선 회절 분석결과 sputter의 경우에 (111)면이 우선성장함을 알 수 있었고, 시편의 단면으로부터 관찰된 치밀한 columnar 구조가 부착력을 향상시키고 있음이 확인되었다.

• 한국진공학회지
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• 제7권2호
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• pp.118-126
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• 1998

반도체 접촉구를 메우기 위하여 소오스의 직진성을 향상시키기 위한 연구를 수행하 였다. 이온화클러스터빔 증착법을 이용하는 동시에 셀의 구조를 개선하여 직진성 향상을 도 모하였다. 중성클러스터 만으로 구리를 증착할 경우 직진성은 매우 우수하였으나 소오스의 표면 이동이 적어 박막은 주상형으로 성장하며 측벽에의 증착은 거의 일어나지 않았으며 성 장에 따라 그림자효과로 인한 단차에서의 벽개가 관찰되었다. 그러나, 가속전압을 인가하여 전하를 띤 클러스터를 형성시켜 증착하였을 때 주상형 성장 모드는 사라졌으며, 직경 0.5$\mu$ m, aspect ratio 2의 접촉구에서 완벽한 바닥면의 도포성을 나타내었고, 측벽에의 증착성도 향상되어 막의 연결성이 개선되었다. 이로써 이온화 클러스터빔 증착법이 직진성을 향상시 켜 작은 접촉구의 메움을 향상시킬수 있는 물리적 증착 방법임을 확인하였다.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.1-5
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• 2000

본 연구에서는 옥내 조명으로 널리 사용되고 있는 형광등용 안정기의 화재위험성을 분석하였다. 안정기권선을 실체현미경으로 분석한 결과 용융흔을 다수 발견할 수 있었으나, 육안으로 원인 판정은 불가하였다. $700^{\circ}C$ 이상에서 열열화된 안정기 권선은 연신구조(elongation structure)가 없어지고 구리입자의 확대된 형태만 보였다. 단락 권선의 금속현미경 분석에서 경계면을 중심으로 주상조직 및 보이드 성장의 규칙성이 확인된 것으로 보아 전기적인 단락이 층간에 일어났음이 증명되었다. SEM을 이용한 미세구조 분석에서 용융된 부분이 확인되었다. EDX를 이용한 스펙트라 분석에서 Cu의 구성요소인 CuL 및 CuK liness 뿐만 아니라 OK line이 고르게 관측되고 있다. 이것은 재결합 과정에서 산소가 반응에 참여했음을 의미한다.

• Nano
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• 제13권10호
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• pp.1850124.1-1850124.12
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• 2018

$TiO_2$ films were deposited from oxygen/titanium tetraisopropoxide (TTIP) plasmas at low temperature by Helicon-PECVD at floating potential ($V_f$) or substrate self-bias of -50 V. The influence of titanium precursor partial pressure on the morphology, nanostructure and optical properties was investigated. Low titanium partial pressure ([TTIP] < 0.013 Pa) was applied by controlling the TTIP flow rate which is introduced by its own vapor pressure, whereas higher titanium partial pressure was formed through increasing the flow rate by using a carrier gas (CG). Then the precursor partial pressures [TTIP+CG] = 0:027 Pa and 0.093 Pa were obtained. At $V_f$, all the films exhibit a columnar structure, but the degree of inhomogeneity is decreased with the precursor partial pressure. Phase transformation from anatase ([TTIP] < 0.013 Pa) to amorphous ([TTIP+CG] = 0:093 Pa) has been evidenced since the $O^+_2$ ion to neutral flux ratio in the plasma was decreased and more carbon contained in the film. However, in the case of -50 V, the related growth rate for different precursor partial pressures is slightly (~15%) decreased. The columnar morphology at [TTIP] < 0.013 Pa has been changed into a granular structure, but still homogeneous columns are observed for [TTIP+CG] = 0:027 Pa and 0.093 Pa. Rutile phase has been generated at [TTIP] < 0:013 Pa. Ellipsometry measurements were performed on the films deposited at -50 V; results show that the precursor addition from low to high levels leads to a decrease in refractive index.

• 한국재료학회지
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• 제21권5호
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• pp.268-272
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• 2011

Due to their novel properties, GaN based semiconductors and their nanostructures are promising components in a wide range of nanoscale device applications. In this work, the gallium nitride is deposited on c-axis oriented sapphire and porous SWCNT substrates by molecular beam epitaxy using a novel single source precursor of $Me_2Ga(N_3)NH_2C(CH_3)_3$ with ammonia as an additional source of nitrogen. The advantage of using a single molecular precursor is possible deposition at low substrate temperature with good crystal quality. The deposition is carried out in a substrate temperature range of 600-750$^{\circ}C$. The microstructural, structural, and optical properties of the samples were analyzed by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, Raman spectroscopy, and photoluminescence. The results show that substrate oriented columnar-like morphology is obtained on the sapphire substrate while sword-like GaN nanorods are obtained on porous SWCNT substrates with rough facets. The crystallinity and surface morphology of the deposited GaN were influenced significantly by deposition temperature and the nature of the substrate used. The growth mechanism of GaN on sapphire as well as porous SWCNT substrates is discussed briefly.