Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제14권1호
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pp.83-89
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1990
Electrochemical methods have been proposed as non-destructive, rapid and quantitative means for determining the degree of sensitization associated with Chromium depleted zones surrounding precipitates of Cr carbide and formation of secondary phase in stainless steel. In this study, the specimen of AISI 304 stainless steel and its welded sections, which welded by TIG, MIG, $CO_2$ and ARC, were tested corrosion resistance by electrochemical methods in 0.5N HCl and 1N $H_2SO_4$ with or without 0.01N KSCN. The results were confirmed that electrochemical methods could be used as a test method of corrosion resistance evaluation for the welded AISI 304 stainless steel.
To perform the rigorous integrity evaluation of RPV, it is necessary to consider metallurgical factors such as microstructure evolution during multi-pass welding process and PWHT. The microstructures of the heat affected zone(HAZ) of SA508 steel were predicted by a combination of simulated thermal analysis and a simple kinetic models for austenite grain growth and austenite-ferrite transformation. Phase equilibrium of SA508 steel were calculated using a Thermo-Calc package. Carbide growth in th HAZ were predicted by a empirical model, taking into account the predicted microstructure evolution.
Ultrafine TaC powders were synthesised by spray drying using tantalum oxalate solution. The spray dried powders were spherical shape and less than 30 $\mu\textrm{m}$ in size. The powders calcined at 500 and X$700^{\circ}C$ showed amorphous structures and $Ta_2$$O_{5}$ phase was obtained by calcining at $700^{\circ}C$. The particle size and shape remains constant after calcination. The calcined spherical powders were composed of an agglomerate of primary particles under 50 nm in size. The complete formation of TaC could be achieved by heat treatment at $1050^{\circ}C$ for 6 hrs. The observed size of TaC powders by TEM was less than 200 nm.
Single crystal 3C-SiC(cubic silicon carbide) thin-films were deposited on Si(100) wafers up to a thickness of 4.3 ${\mu}m$ by APCVD method using HMDS(hexamethyildisilane) at $1350^{\circ}C$. The HMDS flow rate was 0.5 sccm and the carrier gas flow rate was 2.5 slm. The HMDS flow rate was important to get a mirror-like crystal surface. The growth rate of the 3C-SiC films was 4.3 ${\mu}m/hr$. The 3C-SiC epitaxial films grown on Si(100) were characterized by XRD, AFM, RHEED, XPS and raman scattering, respectively. The 3C-SiC distinct phonons of TO(transverse optical) near 796 $cm^{-1}$ and LO(longitudinal optical) near $974{\pm}1cm^{-1}$ were recorded by raman scattering measurement. The hetero-epitaxially grown films were identified as the single crystal 3C-SiC phase by XRD spectra($2{\theta}=41.5^{\circ}$).
This study was performed to investigate the characteristics of the synthesized powder type ferro materials for wear resistant hardfacing. The powder type filler materials were made from ferro Cr and ferro Mn. Those ferro materials are two types, such as high carbon and low carbon contained. The alloy composed of high carbon ferro Cr and high carbon ferro Mn exhibited the best properties in terms of microstructure and hardeness for wear characteristics. Further, the alloys produced by the synthesized powders and wire type filler, were also evaluated in terms of microstructures and microhardness measurements. The results indicated that the synthesized powders displayed reasonable properties compared to commercial grade materials. The hardness value of the alloy produced by the synthesized powders were approached about 90% of the commercial grade's hardness. The hardness values of the alloys closely depended on the amount of the dissolution of the ferro Cr, the hardness and the volume of the eutectic phase.
The densification behavior during a sintering of M2 and T15 grade high speed steel powder compacts was reported. Sintered densities over 98% theoretical were achieved by a liquid phase sintering in vacuum for both grades. The optimum sintering temperature range where full densification could be achieved without excessive carbide coarsening and incipient melting was much narrower in M2 than in T15 grade. The sintering response was mainly affected by the type of carbides present. The primary carbides in M2 were identified as $M_6C$ type whereas those in T15 were MC type which provides wider sintering range. The addition of elemental carbon up to 0.3% lowered the optimum sintering temperature for both grades, but had little effect on expanding the sintering range and sintered structure.
Composites layer of Al-Cr-Ni-O system was prepared on a steel plate by hydro-thermal process at $700^{\circ}C$ for 12 hours, which phase identification and thermal conductivity were determined. The composites layer consisted of aluminum nitride, alumina, chromium carbide and aluminium, which density was $3.7kg/m^3$. The thermal conductivity of the coating layer determined by thermal data acquisition system was about 98.0 W/m/ which depended on the AlN content. Numerical modelling of the heat transfer behavior of the coating layer was well agreement with the empirical data.
Silicon carbide thin film was deposited in APCVD and LPCVD system with 1,3-DSB precursor 1,3-DSB is the single precursor to deposit SiC on Si at low temperature. SiC film was deposited at $850^{\circ}C$ lower than ordinary temperature ($1000~1200^{\circ}C$) in CVD process. SiC thin film glowed to high oriented (111) plane in APCVD system. In LPCVD system, SiC film groved to preferred (220) plane at same temperature. This discrepancy between preferred planes can be described by the difference of deposition mechanism. Amorphous phase and crystal defect were observed in APCVD system with the main growth mechanism of mass transport limited region. But in LPCVD system, we got the SIC film of uniform, faceted structure and high quality.
This study was carried out to investigate the effects of B4C or Y2O3 additives on the tendency of sintering, $\beta$-SiC synthesis and mineral phase changes by reaction bonding of SiC at 145$0^{\circ}C$. At the sintering temperature of 145$0^{\circ}C$, the additives such as B4C or Y2O3 did not improved porosity and bending strength. Added more than 1.5% of Y2O3, 0.5-0.3% of B4C, the formation of $\beta$-SiC was increased. At higher temperature above 145$0^{\circ}C$, it seems that the bodies added B4C, contained 3C form of SiC were denser than that of Y2O3 added. Because the transition of 3Clongrightarrow4Hlongrightarrow6H promoted sintering.
본 논문은 전기 자동차 급속 충전기 구현을 위한 커플드 인덕터 기반 18kW급 2상 인터리브드 벅 컨버터 설계에 관하여 설명한다. 전류 리플 및 물리적인 크기 감소를 위한 2상 커플드 인덕터와 고효율 달성을 위한 Silicon Carbide(SiC) MOSEFT 기반 2상 인터리브드 벅 컨버터의 설계에 관하여 상세히 기술한다. 제안하는 2상 인터리브드 벅 컨버터의 동작을 위하여 모의 실험과 실험을 진행하였고 이론적인 설계 방법과 실제 실험 결과가 일치하는 것을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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