ZnO thin films were deposited on p-type 4H-SiC substrate by pulsed laser deposition. ZnO nanowires were formed on p-type 4H-SiC substrate by furnace. Ti/Au electrodes were deposited on ZnO thin film/SiC and ZnO nanowire/SiC structures, respectively. Structural and crystallographical properties of the fabricated ZnO thin film/SiC and ZnO nanowire/SiC structures were investigated by field emission scanning electron microscope and X-ray diffraction. In this work, resistance and sensitivity of ZnO thin film/SiC gas sensor and ZnO nanowire/SiC gas sensor were measured at $300^{\circ}C$ with various CO gas concentrations (0%, 90%, 70%, and 50%). Resistance of gas sensor decreases at CO gas atmosphere. Sensitivity of ZnO nanowire/SiC gas sensor is twice as big as sensitivity of ZnO thin film/SiC gas sensor.
Hexamethyldisilane$(Si_{2}(CH_{3})_{6})$의 single precursor를 사용하여 화학기상증착법으로 $1100^{\circ}C$에서 Si 기판의에 $\beta$-SiC 막을 증착시켰다. 증착과정 중 hexamethyldisilane/$H_{2}$ gas system에 HCI gas를 도입하여 mask 재료에 의해 부분적으로 덮여져 있는 Si 기판에서 SiC 증착의 선택성을 조사하였다. Si 기판과 mask 재료에서 SiC 증착의 선택성을 증진시키기 위해 출발물질과 HCI gas의 공급 방법을 변화시켰다. 결국, HCI gas를 도입함으로서 SiC 증착의 선택성은 증진되었고 펄스 형태로의 gas 공급 방법은 선택성을 향상시키는데 효율적이었다.
천연가스는 산업의 발전으로 인하여 수요가 계속 증가하고 있어 도입물량 부족 현상이 일어나 수급이 점차 불안정해질 것으로 예상된다. 액화천연가스 외에 파이프라인 천연가스 및 대체 천연가스등 다양한 형태의 가스 도입과 개발로 수요를 충당해야 할 필요성이 있다. 도입된 PNG의 성분과 농도를 정확하게 측정해야 한다. 이에 따른 천연가스 내에 있는 미량 성분인 탄화수소류($C_6-C_{10}$)의 정확한 측정이 요구되어 표준가스의 개발이 필수적이다. 이 연구에서 개발한 일차 표준물질에 대한 조성과 농도는 $10-30{\mu}mol/mol$의 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸이며 바탕가스는 메탄이다. 탄화수소류($C_6-C_{10}$)의 표준가스 제조는 각 성분 원료가스에 대한 순도분석이 완료된 가스를 ISO 6142에 근거하여 소급성이 있는 중량법으로 알루미늄 실린더에 제조하였다. 제조된 표준가스는 분석기로 표준가스간의 제조일치성, 실린더의 흡착성, 안정성 변화 및 불확도 평가를 하였다. 결과는 알루미늄 실린더에서 내부표면의 흡착 손실이 적고 장기 안정성이 매우 우수하다는 것을 알 수 있었고, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸의 농도 $10-30{\mu}mol/mol$ 수준에서 불확도 0.79-1.63 %이내의 표준가스를 개발하였다.
CF₄ molecular gas is used in most of semiconductor manufacture processing and SF/sub 6/ molecular gas is widely used in industrial of insulation field. but both of gases have defect in global warming. C₃F/sub 8/ gas has large attachment cross-section more than these gases, moreover GWP, life-time and price of C₃F/sub 8/ gas is lower than them, therefor it is important to calculate transport coefficients of C₃F/sub 8/ gas like electron drift velocity, ionization coefficient, attachment coefficient, effective ionization coefficient and critical E/N. The aim of this study is to get these transport coefficients for imformation of the insulation strength and efficiency of etching process. In this paper, we calculated the electron drift velocity (W) in pure C₃F/sub 8/ molecular gas over the range of E/N=0.1∼250 Td at the temperature was 300 K and gas pressure was 1 Torr by the Boltzmann equation method. The results of this paper can be important data to present characteristic of gas for plasma etching and insulation, specially critical E/N is a data to evaluate insulation strength of a gas.
천연가스의 이송을 위해 현재까지 가장 효율적인 방법은 액화를 통한 운반이다. 천연가스를 액화하기 위해서는 $-160^{\circ}C$이하로 냉각시켜야 하는데, 그 방법에는 여러 가지가 있다. 본 논문에서는 가장 대표적인 액화 공정인 C3MR 공정에 대한 제어 방법에 대해 연구하였다. 천연가스 액화 공정의 제어는 천연가스 품질을 유지할 수 있는 도구이며 안정된 운전을 보장하는 수단이다. C3MR 공정을 분석하고 제어 밸브에 대한 제어 변수를 선택하고 제어 변수의 계단 응답 결과를 통해 혼합냉매의 제어 구조를 도출 하였다. 도출된 제어 결과를 동적 모사를 통해서 임의로 외란을 주어 정상상태를 유지하는 결과를 확인 하였다.
The ZrC layer instead of SiC layer is a critical and essential layer in TRISO coated fuel particles since it is a protective layer against diffusion of fission products and provides mechanical strength for the fuel particle. In this study, we carried out computational simulation before actual experiment. With these simulation results, Zirconium carbide (ZrC) films were chemically vapor deposited on $ZrO_2$ substrate using zirconium tetrachloride $(ZrCl_4),\;CH_4$ as a source and $H_2$ dilution gas, respectively. The change of input gas ratio was correlated with growth rate and morphology of deposited ZrC films. The growth rate of ZrC films increased as the input gas ratio decreased. The microstructure of ZrC films was changed with input gas ratio; small granular type grain structure was exhibited at the low input gas ratio. Angular type structure of increased grain size was observed at the high input gas ratio.
본 연구에서는 열분해 연료유를 이용하여 석유계 피치 기반 활성탄을 제조하였고, 이를 활용하여 일산화질소 가스 검출 센서를 개발하였다. 피치의 분자량 증가를 위해 피치 합성 시 중합 반응을 촉진시키는 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 첨가하였다. 피치의 분자량 증가는 피치 기반 활성탄의 비표면적 및 미세기공 부피 증가에 기여하였고, 이는 활성탄 기반 센서의 일산화질소 가스 검출 특성 향상시켰다. 또한 테레프탈레이트 첨가 피치를 사용할 때 활성탄의 표면 산소 관능기 및 전도성 변화를 확인하고 테레프탈레이트 첨가가 활성탄의 물성 및 일산화질소 가스 검출 특성에 미치는 영향을 분석하였다.
한국농업기계학회 2000년도 THE THIRD INTERNATIONAL CONFERENCE ON AGRICULTURAL MACHINERY ENGINEERING. V.III
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pp.662-669
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2000
Based on the viscous flow characteristics of gas through capillary tube, a simple and low cost system was developed for controlling gas concentration for use in C.A experiments. The gas flow rate through capillary tube had a linear relationship with pressure, $(length)^{-1}$ and $(radius)^4$ of capillary tube, which agreed well with Hagen-Poiseuille's law. The developed system could control the gas concentration in storage chamber within ${\pm}0.3%$ deviation compared to the preset concentration. The required time for producing target gas concentration in storage chamber was exactly predicted by the model used in this study, and it required much longer time than the calculated time which divided the volume of chamber by flow rate. Therefore, for producing target gas concentration as quickly as possible, it needs to supply higher flow rate of gas during the initial stage of experiment when gas concentration in storage chamber has not reached at target value. It appeared that the developed system was very useful for C.A experiments. Because one could decide a desired flow rate by the prediction model, control flow rate freely and easily by changing pressure in the pressure-regulating chamber and the accuracy was high.
LNG Value Chain에서 액화플랜트는 고부가가치를 지니며 전체 Cost의 약 35%를 차지한다. 액화플랜트의 핵심기술은 액화공정이며, 여기서 발생하는 대부분의 Cost는 액화공정의 운전에 필요한 에너지 생성과정에서 소비된다. 액화공정의 에너지소비를 줄이기 위한 방법은 액화공정의 핵심공정인 액화사이클의 효율을 높이는 것이다. 세계적으로 널리 이용되고 액화 효율이 높은 LNG 플랜트의 액화공정은 C3MR(프로판과 혼합냉매) 공정이다. C3MR 공정은 프로판 사이클과 혼합냉매 사이클을 이용하여 천연가스를 액화시키는 공정이다. 본 연구에서는 C3MR을 대상공정으로 하여 공정분석과 공정모사를 수행하였다. 이를 통해 C3MR의 공정변수를 알아내었으며 이후 공정최적화를 수행하였다. 본 연구에서 수행한 C3MR의 공정분석, 공정변수, 최적화 결과는 새로운 액화 공정개발에 활용 될 것으로 생각된다.
Garbon steel(SM35C) was gas nitrocarburized at $580^{\circ}C$ in $55%N_2-40%NH_3-5%CO_2$ mixed gas atmosphere, and then the steel was induction hardened at $850^{\circ}C$. The microstructure of gas nitrocarburized surface layer was observed by optical microscope and SEM. The phase analysis was carried out by X-ray diffraction method. The mechanical properties of gas nitrocarburized SM35C steel was evaluated by hardness, wear and fatigue test. The thickness of compound and diffusion layer were increased with increasing the gas nitrocarburizing time and the densest compound layer was obtained at 3 hours gas nitrocarburizing time. In case of 15sec induction hardening after gas nitrocarburizing, the surface hardness was decreased from 800Hv to 630Hv owing to the decomposition of compound layer, but wear resistance was increased because of increased hardness of diffusion layer. The fatigue strength of induction hardened steel after gas nitrocarburizing, $58kgf/mm^2$, was higher than $41.5kg/mm^2$ of gas nitrocarburized steel and $45kg/mm^2$ of induction hardened steel, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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