• 한국재료학회지
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• 제4권1호
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• pp.37-43
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• 1994

Y-BA-Cu-O계 고온초전도체의 미세조직을 가공과 열처리로써 제어하여 조직의 배향화와 치밀화를 기하여 높은 임계전류밀도($J_c$)를 갖는 초전도체의 개발을 목적으로sinter forging법으로 Y-BA-Cu-O/Ag 고온초전도복합체를 제조하였다. sinter forging을 통하여 고온 초전도체의 미세조직의 texture화를 가져왔으며, 이 경우 (123)결정립의 C축 방위가 단일축의 압축방향으로 배향화 되었다. 한편, texture의 orientation facter는 고온일수록, 압력이 클수록 크고, 조직의 배향화도 뚜렷하였으며 그에 따라 $J_c$역시 증가하였다. 이러한 결과로 미루어 결정의 배향도는 $J_c$를 좌우하는 중요한 변수라고 사려되었다. 또한 sinter forging 시킨Y-MA-Cu-O/Ag 복합체의 on set온도는 sinter forging온도에 크게 의존치 않았으나, 고온일수록 off set 온도($T_c\;^{zero}$)가 다소 떨어졌다. 한편, 첨가된 Ag는 주고(123)결정입계에 존재하였으며, 이들이 (123)결정립간의 결합을 촉진시켜 임계전류밀도를 크게 향상시켰으며, Y-BA-Cu-O/Ag 복합체의 $J_c$는 2,000 A/$\textrm{cm}^2$ 이상이었다.

• 센서학회지
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• 제6권1호
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• pp.56-62
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• 1997

고주파 마그네트론 스펏터링법을 이용하여 La 성분비에 따른 PLT 박막을 제조하였다. 낮은 분위기압력하에서 PLT 박막은 높은 C 축 배향성을 보였다. PLT 박막의 C축 배향성은 분위기 압력과 La 성분비가 증가할수록 XRD 와 SEM 분석에서 감소함을 확인하였다. La의 성분비가 증가할수록 PLT 박막의 비유전율은 증가하였으며 잔류분극은 감소하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제10권12호
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• pp.2251-2257
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• 2006

ZnO 박막을 RF sputtering 법을 이용하여 제작한 후, 기판 온도에 따른 결정성, 표면 형상, c 축 배향성, 박막의 밀도 등을 조사하여 압전 소자로의 적용 가능성을 조사하였다. 본 연구에서는 $Ar/O_2$ 혼합비 70/30, sputtering 파워 125 W, 공정 압력 8 mTorr, 기판 타겟간 거리 70 mm로 공정 변수를 고정시키고, 기판 온도를 상온에서 $400^{\circ}C$까지 변경하면서 ZnO 박막을 증착하였다. 기판온도가 $300^{\circ}C$ 일 때, (002) 피크의 상대 강도비 (I(002)/I(100))가 94%로 가장 크게 나타났으며, 이 때의 반가폭은 $0.571^{\circ}$ 이었다. SEM과 AFM을 통한 표면 형상은 $300^{\circ}C$ 일 때 균일한 입자형태를 띄면서 4.08 nm의 가장 우수한 표면 거칠기를 나타내었다. ZnO 박막의 밀도는 기판 온도가 상온에서부터 $300^{\circ}C$ 까지 상승함에 따라 증가하는 추세를 나타내었으며, 이 후 기판 온도가 $400^{\circ}C$로 증가하면 다시 감소하는 경향을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.265.1-265.1
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• 2016

여러 application에 적용하기 위하여 p-type SnO 박막과 전극 간의 접촉 저항을 분석이 필요하였다. 이를 Transmission Line Method(TLM) 패턴 소자를 제작한 후 전기적 특성을 분석함으로써 알 수 있었다. $Si/SiO_2$ 기판에 Reactive Magnetron Sputtering법을 이용하여 c축 우선 배향된 SnO를 100nm 증착하고 photolithography 공정을 통해 전극을 패턴화하여 100nm 두께로 증착하였다. 전극 간 거리는 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256, 512, $1024{\mu}m$로 각각 2배씩 증가하는 패턴이고 폭 W는 $300{\mu}m$ 이다. p-type SnO 의 경우, work function이 4.8eV이기 때문에 전극과 ohmic contact이 되기 위해서는 4.8eV보다 높은 work function 값을 가지는 전극이 필요하였다. 이 조건과 맞는 후보로 Ni(5.15eV), ITO(5.3eV)를 설정한 후 소자를 제작하였다. 제작된 소자는 열처리 하지 않은 소자와 Rapid Thermal Annealing(RTA) 장비에서 $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$에서 각각 1분씩 열처리한 소자의 특성을 분석하였다. 열처리 하지 않은 소자의 경우 Ni 전극의 specific contact resistance는 $3.42E-2{\Omega}$의 값을 나타내었고, ITO의 경우 $3.62E-2{\Omega}$값을 나타내었다.

• 한국결정학회지
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• 제2권2호
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• pp.1-6
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• 1991

RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 ZnO 박 막을 실리콘 기판과 Corning 7059유리 기판위에 증착시켜 증착변수에 따른 ZnO 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성을 분석하였다. 1 전력을 증가시킴에 따라 c축 배향성이 뛰어난 ZnO 박막을 얻을 수 있었으며, 2가 34.4인 피크의 X·ray rocking curve표준 편차 값은 6.8-7.2˚사이에 있었다. 유리 기판위에 증착된 ZnO 박막은 가시광선 영역에서 실험조건에 관계없이 80% 이상의 높은 투광도를 갖고 있었다. ZnO박막의 비저항 값은 증착 변수인 rf전력과 Ar압력에 의해 심한 영향을 받고 있었으며 3×102-2×109 Ω·cm의 비저항 영역을 갖고 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권6호
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• pp.547-552
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• 2003

RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 유리기판위에 인가전력 100 W, 1.33Pa, Ar/O2=50 : 50, 20$0^{\circ}C$ 그리고 타겟과 기판사이의 거리 4 cm의 조건으로 ZnO 압전 박막을 성장시켰다. 증착된 박막의 결정성, 표면형상, 화학적 결합비와 전기적 특성을 XRD, SEM, AFM, RBS와 electrometer를 이용하여 측정 분석하였다 제조된 박막은 우수한 c축 우선 배향성을 보였고 또한 화학 양론적인 결합비를 나타내었다. 전극 구조가 single 및 double IDT를 갖는 ZnO/1DT/glass SAW 필터를 제작하여 특성을 분석한 결과, 전파속도는 각각 2,589 m/sec, 2,533 m/sec이었고, 삽입손실은 -11 dB과 -21 dB 값을 나타내어 박막형 SAW 필터로 응용이 기대된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권3호
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• pp.222-227
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• 2010

ZnO nanorods array have been grown on the seed crystal coated Si(100) substrate by hydrothermal method. The growth, structural and optical properties of ZnO nanorods array were investigated with a variation of precursor concentration from 0.01 M to 0.04 M. The array density of grown ZnO nanorods per same area was increased with increasing the concentration of precursor solution. Vertically aligned ZnO nanorods with hexagonal wurtzite structure have highly preferred c-axis orientation along (002) lattice plane. Especially, ZnO nanorods array developed from 0.04 M precursor solution showed a diameter of about 85 nm and length of 1.2 {\mu}m$ without any crystallographic defects. The photoluminescence spectra of ZnO nanorods from heavier precursor concentration exhibited stronger UV emission around 380 nm corresponding with near-band-edge emission.

• 한국재료학회지
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• 제4권5호
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• pp.581-589
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• 1994

인가자장하에서 성장한 $Co_{83}Cr_{17}$ 박막의 자가적 특성 및 미세구조를 조사하였고, 인가자장을 가하지 않은 경우에 성장한 박막과 그 특성 및 미세구조를 비교 하였다. 인가자장은 박막의 포화자화와 수평방향 보자력에는 아무런 영향을 주지 못하였지만, 수직보자력과 유효수직이방성자계를 감소시켰다. 또한 천이층의 결정립경과 두께는 인가자장에 의해 영향을 받지 않았지만, C축배향성은 약간 악화되었다. 또한 TEM사진은 인가자장의 유무에 관계없이 박막의 두께가 두꺼워질수록 (002)방위의 결정립 등이 우선적으로 성장함을 보여주었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제8권4호
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• pp.382-389
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• 1997

본 논문에서는 다결정 AlN 박막을 이용하여 800 MHz 대역의 표면탄성파 펼터를 시험제작한 연구 결과를 제시한다. 고주파 스퍼터링 방법에 의하여 실리콘 기판위에 증착시켜 X선 rocking curve의 반치폭이 $3^{\circ}$이고 박막 성장 방향으로 결정의 c축이 우선 배향된 박막을 얻었다. 임펄수 모텔링 기법을 이용하여 시험제작된 표면탄성파 필터는 중심주파수 865 MHz, 3 dB 대역폭 45 MHz이며 측정된 주파수 응답곡선으로부터 유도된 전기기계 결합상수는 0.8 %, 표면탄성파 전달속도는 5,709 m/s이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권4호
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• pp.269-273
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• 2001

W fabricated thin film using Na$_{0.5}$K$_{0.5}$NbO$_3$ volatile material by pulsed laser deposition (PLD) and studied characterization from EM, XRD, P-E. The density and scale of droplet, which is the defect of PLD, was investigated by SEM but large droplet was not found. The degree of assemble oriented C-axis measured with X-ray diffraction suggests that this film oriented C-axis achieved by $\theta$-2$\theta$ scan and rocking curves shows good self-assemble phenomenon, finally $\phi$-scan does that all of the four directions of the lattice in film equals to those of substrate. P-E hysteresis loop shows residual remnant polarization or saturation polarization value, but it is applicable to memories.ies.