• 제목/요약/키워드: band power

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Propagation Characteristics of GIS PD Signals by Dual UHF Band Method (2)

  • 최재구;이상화;김광화
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 전기설비전문위원
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    • pp.136-139
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    • 2004
  • It is widely known that the ultra high frequency (UHF) method that detects the electromagnetic wave of the PD pulses in the gas insulated space is one of the most competitive methods for its high sensitivity. From the above point of view, this paper describes the propagation characteristics of GIS PD signals measured with ultra wide band (UWB) GIS PD detecting system in which PD signals are detected into the dual UHF band. The UWB PD detection system consists of the UWB UHF coupler, the UWB low noise amplifier (LNA) and the oscilloscope. The dual bands for PD signals are 0.5-2GHz(full band) and 1-2GHz(high band). As results, propagation characteristics of GIS PD signals were measured in the mock-up GIS bus and it was found that the propagation characteristics of the high band showed a better result in accordance with the infernal configuration of the GIS bus than those of the full band.

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Single FET와 Class-F급을 이용한 이중대역 고효율 전력증폭기 설계 (Design of a Dual Band High PAE Power Amplifier using Single FET and Class-F)

  • 김선숙;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제45권1호
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    • pp.110-114
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    • 2008
  • 본 논문에서는 단일 FET를 이용하여 2.14GHz/5.2GHz 이중대역 고효율 Class F 전력증폭기를 설계 구현하였다. 전송선로를 이용하여 초기의 정합값을 적절히 이동시켜 하나의 능동소자로 2.14GHz/5.2GHz의 이중대역에서 동작되는 전력증폭기를 설계하였으며, 2.14GHz에서 32.65dBm의 출력과 11dB의 출력이득 36%의 전력효율을, 5.2GHz에서 7dB의 출력이득의 특성을 보였다. 고조파를 제어 회로를 설계하여 증폭기의 출력단에 추가 하여 Class F로 동작하는 이중대역 전력증폭기를 설계 하였다. 이중대역 Class F 전력증폭기는 2.14GHz에서 9.9dB의 출력이득과 30dBm의 출력, 55%의 전력효율을 가졌으며, 5.2GHz에서 11.7dB의 출력이득을 갖는 특성을 보였다. 고조파 제어 회로를 이용한 이중대역 Class F 전력증폭기가 전력효율을 향상시킴을 보였다.

레이더 응용을 위한 X-대역 40W AlGaN/GaN 전력 증폭기 MMIC (A X-band 40W AlGaN/GaN Power Amplifier MMIC for Radar Applications)

  • 임병옥;고주석;류근관;김성찬
    • 전기전자학회논문지
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    • 제26권4호
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    • pp.722-727
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    • 2022
  • 본 논문에서는 0.25 ㎛의 게이트를 갖는 AlGaN/GaN HEMT를 기반으로 개발된 X-대역 전력 증폭기 MMIC의 특성을 기술한다. 개발된 X-대역 전력 증폭기 MMIC는 9 GHz~10 GHz의 주파수 대역에서 21.6 dB 이상의 소신호 이득과 46.11dBm(40.83 W) 이상의 출력 전력을 가진다. 전력 부가 효율 특성은 43.09%~44.47%이며 칩의 크기는 3.6 mm×4.3 mm이다. 출력 전력 밀도는 2.69 W/mm2를 나타내었다. 개발된 AlGaN/GaN 전력 증폭기 MMIC는 다양한 X-대역 레이더 응용에 적용 가능하다.

Magnetic Resonant Coupling Based Wireless Power Transfer System with In-Band Communication

  • Kim, Sun-Hee;Lim, Yong-Seok;Lee, Seung-Jun
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제13권6호
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    • pp.562-568
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    • 2013
  • This paper presents a design of a wireless power transfer system based on magnetic resonant coupling technology with in-band wireless communication. To increase the transmission distance and compensate for the change in the effective capacitance due to the varying distance, the proposed system used a loop antenna with a selectable capacitor array. Because the increased transmission distance enables multiple charging, we added a communication protocol operated at the same frequency band to manage a network and control power circuits. In order to achieve the efficient bandwidth in both power transfer mode and communication mode, the S-parameters of the loop antennas are adjusted by switching a series resistor. Our test results showed that the loop antenna achieved a high Q factor in power transfer mode and enough passband in communication mode.

Diamond-Like Carbon 박막의 광학적 특성에 관한 연구 (A Study on the Optical Properties of Diamod-Like Carbon Film)

  • 권도현;박성계;남승의;김형준
    • 한국진공학회지
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    • 제10권2호
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    • pp.194-200
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    • 2001
  • 13.56 MHz rf플라즈마를 이용하여 증착된 DLC(diamond-like carbon) 박막의 광학적 특성에 대해 조사하였다. $CH_4$가스를 원료가스로 하여 PECVD법에 의해 DLC 박막을 형성하였으며 이때 RF power, working pressure, 보조가스의 종류 및 양에 따른 투과도(transmittance)와 optical band gap의 변화를 관찰하였다. RF power가 증가하고 working pressure가 높을수록 optical band gap이 감소하는 결과를 얻을 수 있었고. FT-IR분석을 이용하여 탄소-수소 결합 양을 관찰함으로써 DLC 박막의 결합구조 변화를 증명할 수 있었다. 그리고 수소와 질소를 첨가한 경우 증착시 탄소-수소 결합을 끊는 역할을 하여 optical band gap이 감소하는 결과를 얻을 수 있었다.

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PIN 다이오드를 이용한 대역 통과 여파 특성을 갖는 리미터 설계 및 실험 (Design and Experiment of Waveguide Limiter with Band-Pass Characteristics Using PIN Diode)

  • 박준서;김병문;조영기
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제23권9호
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    • pp.1065-1072
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    • 2012
  • 본 논문에서는 레이다 시스템의 수신단의 도파관 리미터와 대역 통과 여파기를 하나의 소자로 구현하는 방법을 제시하고자 한다. 먼저 대역 통과 여파 특성을 갖는 아이리스 구조를 제안하고 PIN 다이오드를 연결하여 도파관에 입사되는 전력의 크기에 따른 PIN 다이오드 바이어스 동작 특성에 따라서 각각 여파기와 리미터로 동작하는 구조를 설계하였다. 제작된 구조는 낮은 전력의 마이크로파가 입사하는 경우, 10 GHz에서 -0.7 dB의 삽입 손실을 갖는 통과 대역을 형성하는 여파기로, 높은 전력의 마이크로파가 입사하는 경우 대략 25 dB의 분리도를 갖는 리미터로 동작한다.

다중밴드 안테나 시스템을 위한 CRLH 전송선로를 이용한 이중대역 Class F 전력증폭기 (Dual-Band Class F Power Amplifier using CRLH-TLs for Multi-Band Antenna System)

  • 김선영;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제45권12호
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    • pp.7-12
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    • 2008
  • 본 논문에서는 다중밴드 안테나 시스템을 위한 고효율 전력증폭기를 제시하였다. 하나의 LDMOSFET으로 이중대역에서 동작하는 class F 전력증폭기를 설계하였다. 전력증폭기의 동작 주파수는 각각 900 MHz와 2.14 GHz이다. 이중대역 동작을 위해 집중 소자로 구현한 Composite Right/Left-Handed(CRLH) 전송선로의 단위 셀을 이용하여 증폭기의 정합단과 고조파 조절 회로를 설계하였다. CRLH 전송선로는 임의로 이중대역 조절이 가능한 메타물질 전송선으로 사용될 수 있다. 증폭기의 정합단에 CRLH 전송선의 주파수 오프셋과 비선형 위상 기울기 특성을 이용하여 임의의 이중대역에서 CRLH 전송선의 동작을 가능하게 하였다. 높은 효율을 얻기 위해 모든 고조파 성분을 조절하는 것은 현실적으로 어려운 일이기 때문에 집중 소자로 구현된 CRLH 전송선을 이용하여 2차와 3차 고조파만을 조절하였다. 또한, 제안된 전력증폭기는 더 높은 효율을 얻기 위하여 출력 정합단 뿐만 아니라 입력 정합단에도 고조파 조절 회로를 사용하여 구현하였다.

17GHz 대역의 저출력 Electronic Scanner 개발 (Development of Low-Power Electronic Scanner for 17GHz Band)

  • 정선재;전성호;이영섭;이광근;임재홍
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제23권4호
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    • pp.445-452
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    • 2019
  • 오늘날 해양 업계에서 활용되는 대부분의 탐지 시스템은 고출력의 X-Band 대역을 활용한 장비들이 대다수이다. 이러한 X-Band 대역의 주파수를 활용하는 대부분의 탐지 시스템들은 광범위한 탐지 성능 이득을 기대할 수 있지만, 장비의 특성상 크고 무거우며 정밀한 탐지를 요하는 분야에서는 적합하지 않다는 한계점을 지닌다. 본 논문에서는 Ku-Band 대역 중 17GHz 주파수 대역에서 2W 미만의 저출력으로 주변의 물표뿐만 아니라 바다의 파랑까지 탐지가 가능한 Electronic Scanner를 설계 및 제작하고, 시험을 진행하였다. 저전력에서도 충분한 탐지성능을 확보하기 위하여 고성능의 패치 어레이 안테나 및 도플러 효과를 활용하여 충분한 탐지 성능을 확보하였으며, 이에 대한 시험 결과 충분한 가능성을 확인할 수 있었다.

X-대역 레이더용 SSPA 모듈 설계 및 제작 (Design and fabrication of SSPA module in X-band for Radar)

  • 양성수
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제13권5호
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    • pp.943-948
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    • 2018
  • 본 논문에서는 GaN MMIC를 활용하여 X-band 레이더용 SSPA모듈을 설계 및 제작하였다. SSPA의 구동 증폭기 단은 Gain Loss를 감안하여 GaN MMIC를 2단으로 구성하였다. 그리고 고출력 SSPA 모듈 구성을 위해 전력증폭단을 4단으로 설계함에 따라 전력분배기와 전력합성기는 4way 방식으로 설계하였다. 제작된 전력 분배기는 -3.0dB 이상의 손실을 나타내었으며, 전력합성기는 -0.2dB의 입출력 손실과 각 포트 간 위상차는 평균 $2^{\circ}$로 양호한 특성을 보이고 있다. 제작한 SSPA모듈 실험 측정 결과 9~10GHz 주파수 대역에서의 Gain은 48.0dB 이상인 것을 확인하였으며, P(sat)=88.3W (49.46dBm) 이상, PAE=30.3% 이상임을 확인하였다. 본 논문에서 제작된 X-Band SSPA 모듈 성능 확인과 전력분배기/합성기 개선을 통해 향후 SSPA모듈에 대한 RF성능 개선에 많이 활용될 수 있을 것이다.

0.25 ㎛ GaN HEMT 기술을 이용한 우수한 성능의 X-대역 전력 증폭기 (High performance X-band power amplifier MMIC using a 0.25 ㎛ GaN HEMT technology)

  • 이복형;박병준;최선열;임병옥;고주석;김성찬
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권2호
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    • pp.425-430
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    • 2019
  • 본 논문에서는 게이트 길이가 $0.25{\mu}m$인 GaN HEMT 기술을 사용하여 개발된 X-대역 전력 증폭기의 특성을 기술한다. 개발된 X-대역 전력 증폭기는 9~10 GHz의 대역에서 22.7 dB 이상의 소신호 이득과 43.02 dBm(20.04 W) 이상의 포화 출력 전력을 가진다. 최대 포화 출력 전력은 9.5 GHz에서 43.84 dBm (24.21 W)이였다. 전력 부가 효율은 41.0~51.24%의 특성을 얻었으며 칩의 크기는 $3.7mm{\times}2.3mm$이다. 출력 전력 밀도는 $2.84W/mm^2$를 나타내었다. 개발된 GaN 전력 증폭기는 다양한 X-대역 레이더 응용에 적용 가능할 것으로 예상된다.