• 한국구조물진단유지관리공학회 논문집
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• 제15권6호
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• pp.135-146
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• 2011

강구조물은 주로 도장에 의해 방식처리 되고 있지만, 장기간 사용함에 따라 강재표면에 부식손상이 발생하게 된다. 이러한 부식손상은 단면감소와 이로 인한 좌굴내하력을 저하시킬 우려가 있다. 현재 다양한 등단면형상과 지지조건에 대한 좌굴강도 추정식 및 설계식이 제안되어 있으나, 부식손상으로 인한 불규칙한 변단면 강부재의 축압축 좌굴강도 평가법은 아직 확립되어 있지 않다. 본 연구에서는 부식 손상된 가시설 강부재에서 절취한 강재시편의 축압축 좌굴실험을 실시하여, 부식강재의 좌굴강도 평가에 대한 기초적 연구를 수행하였다. 본 실험에서는 먼저 가시설 주형보의 웨브로부터 시편 지지길이를 200, 300, 400, 500, 600mm로 달리한 5종류 시편을 각각 2개씩 총 10개의 강재시편을 절취하고, 화학적 방법에 의해 녹을 제거하였다. 그리고 3차원 광학 스캐너를 이용하여 $1{\times}1mm$ 간격으로 표면형상을 측정하여, 각 시편의 잔존두께를 산출하였다. 그리고 10개의 부식 손상된 시편과 부식 손상되지 않은 무부식 시편 12개를 양단 완전고정지지 조건하에서 축압축 좌굴실험을 실시하여, 부식두께감소량 및 시편의 표면형상과 축압축 좌굴강도와의 상관관계를 분석하였다. 그 결과, 부식 손상정도에 상관없는 무부식 등단면 강재와 동일하게 좌굴강도를 평가할 수 있는 불규칙 변단면 부식강재의 폭방향평균 최소두께 또는 평균잔존두께와 표준편차의 차로 계산되는 유효두께를 적용하여 축압축 좌굴강도을 추정할 수 있음을 제안하였다. 또한 이러한 결과를 실무에도 적용할 수 있도록 실용적인 부식강재의 잔존두께 측정간격도 제시하였다.

• 한국식품저장유통학회지
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• 제14권1호
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• pp.24-29
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• 2007

월동배추의 저장방법에 따른 특성과 김치를 위해 절였을 경우 특성을 조사하여 배추의 효과적인 저장방법을 구명하고자 하였다. 저장방법(PE 필름백, 플라스틱 컨테이너, 망저장, 움저장)에 따른 배추의 특성을 3개월 동안 조사한 결과, PE 필름백에 저장한 배추가 겉잎이 부패하는 단점이 있으나 다른 처리에 비해 감모율, 정선 손실율, 외관 등에서 비교적 좋은 결과를 보여주었다. 그러나 저장방법을 달리하여 배추를 절였을 경우에 처리별로 절임특성이 큰 영향을 보이지 않았다. 본 실험 결과로 월동배추의 저장 방법이 절임 특성에는 큰 영향이 없지만 저장방법에 따라서 중량 감모 및 정선손실 정도에 영향을 미치므로 배추는 저장중의 이러한 손실을 줄이고 신선도를 유지할 수 있는 방법에 대한 연구가 보다 필요할 것으로 생각된다.

• 대한화학회지
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• 제42권6호
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• pp.607-617
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• 1998

$TiO_2(001)$ 박막을 Mo(100) 기판에 약 90${\AA}$ 두께로 적층 성장시키고 그 위에 Au를 증착시켜서 Au의 성장모드, 클러스터의 열적 변화, 열적 안정성, 증착량에 따른 Au 4f 전자 결합에너지의 변화를 오제 전자분광법, 열탈착 분광법, 이온 산란 분광법, X-선 광전자 분광법을 이용하여 연구하였다. Au는 $TiO_2(001)/Mo(100)$ 박막에 3차원적인 성장을 하며 낮은 온도에서 성장된 Au 클러스터는 높은 온도에서 성장된 것보다 보다 그 크기가 작고 온도가 높아지면서 클러스터는 비가역적으로 뭉친다. $TiO_2(100)/Mo(100)$에 증착된 Au의 열탈착은 1000 K부터 일어나며, 증착된 Au의 증착량이 많아질수록 더 높은 온도에서 나타난다. 선도 언저리 해석법으로 얻은 Au 클러스터의 탈착에너지는 약 50 kcal/mol이다. Au의 $TiO_2$ 박막에 대한 초기 흡착상수는 기판의 온도 200-600 K 사이에서는 거의 일정하였다. 400 K에서 $TiO_2$ 박막에 2.0 MLE 보다 적은 양의 Au가 증착된 경우에는 Au 4f의 전자 결합에너지가 벌크 Au에 비해서 증가한다. 0.1 MLE의 경우에는 그 결합에너지가 벌크 Au에 비해서 +0.30 eV 이동하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
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• pp.39.2-39.2
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• 2010

In this work we have investigated electrical and optical properties of interface for ITO/Si with shallow doped emitter. The ITO is prepared by DC magnetron sputter on p-type monocrystalline silicon substrate. As an experimental result, The transmittance at 640nm spectra is obtained an average transmittance over 85% in the visible range of the optical spectrum. The energy bandgap of ITO at oxygen flow from 0% to 4% obtained between 3.57eV and 3.68eV (ITO : 3.75eV). The energy bandgap of ITO is depending on the thickness, sturcture and doping concentration. Because the bandgap and position of absorption edge for degenerated semiconductor oxide are determined by two competing mechanism; i) bandgap narrowing due to electron-electron and electron-impurity effects on the valance and conduction bands (> 3.38eV), ii) bandgap widening by the Burstein-Moss effect, a blocking of the lowest states of the conduction band by excess electrons( < 4.15eV). The resistivity of ITO layer obtained about $6{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ at 4% of oxygen flow. In case of decrease resistivity of ITO, the carrier concentration and carrier mobility of ITO film will be increased. The contact resistance of ITO/Si with shallow doped emitter was measured by the transmission line method(TLM). As an experimental result, the contact resistance was obtained $0.0705{\Omega}cm^2$ at 2% oxygen flow. It is formed ohmic-contact of interface ITO/Si substrate. The emitter series resistance of ITO/Si with shallow doped emitter was obtained $0.1821{\Omega}cm^2$. Therefore, As an PC1D simulation result, the fill factor of EWT solar cell obtained above 80%. The details will be presented in conference.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제14권1호
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• pp.61-65
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• 2015

We have fabricated poly(3,4-ethylenedioxythiophene) : poly(4-styrenesulfonate) (PEDOT : PSS) thin films using a slotdie coater for the applications of OLED lightings. It is demonstrated that the properties of slot-die coated PEDOT : PSS films are comparable with those of spin-coated ones. Namely, the average and peak-to-peak roughness of the slot-die coated 50-nm-thick PEDOT : PSS film are measured to be as low as 0.247 nm and 1.3 nm, respectively. Moreover, we have obtained excellent thickness uniformity (~1.91%). With the slot-die coated PEDOT : PSS films, we have fabricated green phosphorescent OLED devices. For comparison, we have also fabricated OLED devices with spin-coated PEDOT : PSS films. Both show almost no discrepancy in device performance. The power efficiency (25.4 lm/W) and emission uniformity (77%) of OLEDs with slot-die coated PEDOT : PSS films are shown to be slightly lower than those (27.3 lm/W, 80%) of OLEDs with spin-coated PEDOT : PSS films at the luminance of 1,000nit, increasing the feasibility of using a slot-die coating process for the fabrication of large-area OLED lighting sources at a competitive price.

• 한국의류학회지
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• 제12권3호
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• pp.277-284
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• 1988

The purpose of study was to measure to body Surface area and the rational rate of Korean adult's women. The subjects are 20 years old to 49 years old women (Their bust width ranges from 74.5 to 101.5 cm, the height from 144.6 to 163.3 cm, the weight from 44.2 to 74.0 kg, Rohrer Index from 1. 02 to 1. 89). As the experimental method, both the gypsum method, by which the shape of body can be copied as it is, and weighing method, from which planed body surface area can be measured with consistant thickness of polypropylene film used. The results were obtained as follows. 1. After dividing the Korean adult's women into four groups (single and married women in their twenties, those in their thirties, those in their fourties). The change of body surface area was reviewed in accordance with age groups. No great difference among age group was showed in whole body surface area. 2. average value of body surface area is 1, 514m^2 and the part of trunk shows the biggest difference to the age groups. 3. After dividing the middle of body into two groups, the relation of symmetry of each parts is reviewed with difference in body surface area. The results shows that the part of head & neck and lower limbs are symmetrical. The part of trunk and upper limbs are unsymmetrical. 4. Regional rates of each part of whole body surface area are follows. head $4.98\%$, each-lobes $0.46\%$, neck $2.01\%$, face$2.48\%$, upper trunk $19.64\%$, lower trunk $13.91\%$, upper armpits $1.76\%$, lower armpits $12.52\%$, hands $4.64\%$, thighs $18.89\%$, lower legs$13.10\%$, feet $6.01\%$.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.68-71
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• 2006

Multi-component $ZnO-In_2O_3-SnO_2$ thin films have been prepared by RF magnetron co-sputtering using targets composed of $In_3Sn_4O_{12}$(99.99%) [1] and ZnO(99.99%) at room temperature. $In_3Sn_4O_{12}$ contains less In than commercial ITO, so that it lowers cost. Working pressure was held at 3 mtorr flowing Ar gas 20 sccm and sputtering time was 30 min. RF power ratio [RF1 / (RFI + RF2)] of two guns in sputtering system was varied from 0 to 1. Each RF power was varied $0{\sim}100W$ respectively. The thickness of the films was $350{\sim}650nm$. The composit ion concentrations of the each film were measured with EPMA, AES and XPS. The low resistivity of $1-2\;{\times}\;10^3$ and an average transmittance above 80% in the visible range were attained for the films over a range of ${\delta}\;(0.3\;{\leq}\;{\delta}\;{\leq}\;0.5)$. The films also showed a high chemical stability with time and a good uniformity.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제18권5호
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• pp.261-264
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• 2017

$Ni_{0.79}Co_{0.15-x}Cu_xMn_{2.06}O_4$ ($0{\leq}x{\leq}0.09$) thick films were fabricated using the conventional solid-state reaction method and screen-printing method. Structural and electrical properties of specimens based on the amount of Cu were observed in order to investigate their applicability in the infrared detector. All specimens showed a single spinel phase with a homogeneous cubic structure. As the amount of Cu increased, the average grain size increased and was found to be approximately $5.01{\mu}m$ for the $Ni_{0.79}Co_{0.06}Cu_{0.09}Mn_{2.06}O_4$ specimen. The thickness of all specimens was approximately $55{\sim}56{\mu}m$. As Cu content increased, the resistivity and TCR properties at room temperature decreased, and these values for the $Ni_{0.79}Co_{0.06}Cu_{0.09}Mn_{2.06}O_4$ specimen were $502{\Omega}-cm$ and $-3.32%/^{\circ}C$, respectively. The responsivity and noise properties decreased with an increase in Cu content, with the specimen with a Cu content of x=0.09 showing 0.0183 V/W and $5.21{\times}10^{-5}V$, respectively.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제8권6호
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• pp.241-245
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• 2007

[ $(Ba_{0.9-x}Sr_xCa_{0.10})TiO_3$ ] (x=0.33, 0.36) powders were prepared by sol-gel method. $(Ba,Sr,Ca)TiO_3$(BSCT) thick films, undoped and doped with $MnCO_3$ and $Yb_2O_3(0.1{\sim}0.7mol%)$, were fabricated by the screen printing method on the alumina substrate. The coating and drying procedure was repeated 6-times. The Pt bottom electrode was screen printing method on the alumina substrate. These BSCT thick films were annealed at $1420^{\circ}C$ for 2 hr in atmosphere. The upper electrodes were fabricated by screen printing the Ag paste and then firing at $590^{\circ}C$ for 10 min. And then the structured and dielectric properties as a function of the doping amount of $Yb_2O_3$ were studied. As a result of the TG-DTA, exothermic peak was observed at around $670^{\circ}C$ due to the formation of the polycrystalline perovskite phase. All BSCT thick films showed XRD patterns of typical cubic peroveskite structure. The average thickness of BSCT thick films was about $70^{\mu}m$. The curie temperature and the dielectric constant decreased with increasing $Yb_2O_3$ doped content and the relative dielectric constant of the specimen, doped with 0.5 mol% $Yb_2O_3$ at BSCT(54/36/10), showed a best value of 5018 at curie temperature.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권8호
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• pp.560-564
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• 2003

본 논문에서는 RTP(rapid thermal process)를 이용한 새로운 산화방법을 고안했으며, 이는 짧은 시간에 다공질 실리콘을 산화시킴으로써 이 기술은 여타 방법에 비해 경제적이고 간편한 방법으로 짧은 시간에 두꺼운 산화막을 성장시킬 수 있는 장점을 가지고 있다. 먼저, 양극반응을 통해 PSL(porous silicon layer)을 형성한 후 이를 저온 산화시킨 후에 급속 열처리 산화공정(RTO: rapid thermal oxidation)를 이용해서 OPSL(oxidized porous silicon layer)을 제조하고, 그 물성 및 전기적 특성을 조사하여, 열 산화로 제작된 OPSL과 그 특성을 비교하였다. 시편의 절연 파괴전압은 약 3.9 MV/cm의 값을 보여 벌크 산화막보다는 적은 값이지만 절연 재료로서는 충분한 값이고, 누설전류는 0 ∼ 50 V의 인가 전압에서 100 ∼ 500 ㎀의 값을 보였다. 그리고, XPS 결과는 RTO 공정 추가가 저온 산화막의 완전 산화에 크게 기여함을 확인하였으며, 저온 산화막의 표면 및 내부에서도 산화반응이 완전하게 이루어졌음을 확인하였다. 이 결과로부터 저온 OPSL을 제조할 때, RTO 공정이 OPSL의 산화 및 치밀화(densification)의 증가에 크게 기여함을 알 수 있었다. 따라서, 이의 방법으로 제조된 OPSL은 저온을 요구하는 공정에서 소자의 절연막, 전기적인 분리층 그리고 실리콘 고주파용 기판 등으로 활용될 수 있을 것으로 보인다.