• 제목/요약/키워드: atomic 격자

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비정질 As-Ge-Se-S 박막에서 선택적 에칭을 통한 엠보싱 홀로그램 제작 (Embossing hologram manufacture in amorphous As-Ge-Se-S with selected etching)

  • 이기남;여철호;신경;정홍배
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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    • pp.88-91
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    • 2005
  • 본 논문에서는 비정질 As-Ge-Se-S 박막의 에칭 레이트를 측정하였으며 As-Ge-Se-S 박막에 회절격자를 형성 시킨 후 선택적 에칭을 통한 엠보싱 홀로그램을 제작하였다. NaOH 수용액으로 0.26N, 0.33N, 0.40N 농도로 변화시키며 수행하였으며 에칭 시간에 따른 에칭되는 두께의 변화를 측정하였다. 에칭 레이트는 NaOH 용액의 농도가 0.26N, 0.33N, 0.40N 일 때 각각 $2.5{\AA}/s$, $3.3{\AA}/s$, $3.9{\AA}/s$ 였다. 또한 2차원 엠보싱 회절격자를 형성 시킨후 0.26N NaOH용액으로 60초간 선택적 에칭을 수행하여 AFM(Atomic Force Microscopy) 으로 측정한 결과 선명한 엠보싱 형태의 회절격자를 확인 할 수 있었다.

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상대습도 변화에 따라 시스템의 크기와 표면의 곡률이 메니스커스 형성에 미치는 영향에 대한 연구

  • 김철우;김광일;장지혜;김효정;장준경
    • EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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    • 제3회(2014년)
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    • pp.325-335
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    • 2014
  • 원자 힘 현미경 (Atomic Force Microscopy, AFM) 탐침과 표면 사이의 좁은 공간에서 형성되는 나노미터 크기의 메니스커스는 AFM으로 측정하는 표면 이미지에 영향을 주는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 격자 기체 기반의 몬테카를로 방법을 이용하여 계의 상대습도 변화에 따른 시스템의 크기와 표면의 곡률이 메니스커스의 모양 및 이로 인해 발생하는 모세관 힘에 미치는 영향을 알아 보았다. 일반적으로 시스템의 크기가 작을수록, 표면의 곡률이 클수록 (표면이 거칠수록), 메니스커스 폭은 좁아지고 모세관 힘이 줄어드는 것을 확인 하였다.

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중성자 회절법에 의한 Ni-W 합금 소결체의 격자상수 측정 (Estimation of a Lattice Parameter of Sintered Ni-W Alloy Rods by a Neutron Diffraction Method)

  • 김찬중;김민우;박순동;전병혁;장석원;성백석
    • 한국분말재료학회지
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    • 제15권3호
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    • pp.239-243
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    • 2008
  • Ni-W(1-5 at.%) alloy rods were made by powder metallurgy process including powder mixing, compacting and subsequent sintering. Ni and W powder of appropriate compositions were mixed by a ball milling and isostatically pressed in a rubber mold into a rod. The compacted rods were sintered at $1000^{\circ}C-1150^{\circ}C$ at a reduced atmosphere for densification. The lattice parameters of Ni-W alloys were estimated by a high resolution neutron powder diffractometer. All sintered rods were found to have a face centered cubic structure without any impurity phase, but the diffraction peak locations were linearly shifted with increasing W content. The lattice parameter of a pure Ni rod was $3.5238{\AA}$ which is consistent with the value reported in JCPDS data. The lattice parameter of N-W alloy rods increased by $0.004{\AA}$ for 1 atomic % of W, which indicates the formation of a Ni-W solid solution due to the substitution of nickel atoms by tungsten atoms of larger size.

이성분계 금속합금($MoRu_3$, $MoRh_3$)의 합성 및 구조분석 (Synthesis and Structural Analysis of Binary Alloy ($MoRu_3$, $MoRh_3$))

  • 박용준;이종규;김종구;김정석;지광용
    • 분석과학
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    • 제11권3호
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    • pp.189-193
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    • 1998
  • 조사후 핵연료의 용해실험 다음에 잔류된 불용성 잔유물을 구성하는 Mo, Ru, Rh 등의 원소로 이루어진 이성분계 합금인 $MoRu_3$$MoRh_3$을 아르곤 아아크로를 이용하여 $1700^{\circ}C$ 이상의 고온에서 합성하였다. 이들 합금의 정확한 구조와 결정격자상수는 ICDD(International Centre for Diffraction Data)에서 제작되는 분말회절수집철(JCPDS files) 등에 수록된 바가 없다. X선 회절분석결과 이들 두 합금은 육방밀집구조와 $P6_3/mmc$의 공간군을 갖는 $WRh_3$의 구조와 매우 유사한 것으로 나타났다. 이 화합물들의 격자상수, a와 c는 최소자승법을 이용하여 구하였다. 또한 XPS로 분석을 통하여 이들의 표면을 조사한 결과 금속 표면이 실온에서 공기와 접촉하였을 때 여러 구성성분 중에서 Mo(0)가 Mo(6+)로 산화되는 것을 확인하였는데, 아르곤이온으로 표면을 15분 정도 sputtering 하여 Mo(6+)층을 제거할 수 있었다. 합금의 구성성분 중, Mo, Ru, Rh 원소에서 내부 전자들의 결합에너지에는 커다란 변화가 없는 것으로 나타났다. 이들 화합물들의 자화율을 측정해 본 결과 2~300 K 범위에서 전형적인 Pauli-paramagnetic 행동을 보여주었다.

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Laser Diode에 의한 Mg 원자 선속의 냉각용 Laser 발생 (Generation of Resonant Laser for Mg Atomic Beam Cooling by Laser Diode)

  • 김필수
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 1991년도 제6회 파동 및 레이저 학술발표회 Prodeedings of 6th Conference on Waves and Lasers
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    • pp.50-55
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    • 1991
  • Mg 원자선속의 냉각에 쓰일 diode laser의 특성과 이용가능성을 연구하였다. Mg 원자의 3P2-3D3 천이의 공명선 383.8nm를 얻기 위하여 Mitsubishi사의 ML형 laser diode를 택하여 주입전류와 온도를 변화시키고, 회절격자를 써서 767.6nm의 laser 광을 얻은 후 LiIO3 결정에 의해 383.8nm인 제2조화파를 생성하였다. Ring cavity 내에서 기본파가 공명할 때 증강계수는 15이었다.

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Reflection High Energy Electron Diffraction이 결합된 Laser Molecular Beam Epitaxy System에서 $BaTiO_3/SrTiO_3$ 산화물 인공격자의 Layer-by-Layer 성장 (Atomic Layer-by-Layer Growth of $BaTiO_3/SrTiO_3$ Oxide Artificial Lattice in Laser Molecular Beam Epitaxy System Combined Reflection High Energy Electron Diffraction)

  • 이창훈;김이준;전성진;김주호;최택집;이재찬
    • 한국세라믹학회:학술대회논문집
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    • 한국세라믹학회 2003년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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    • pp.179.2-179
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    • 2003
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$GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$ 에피층의 규칙상의 원자 배열 (Atomic Arrangement of Ordered Phase in $GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$ Epilayer)

  • 임영언
    • 한국재료학회지
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    • 제3권6호
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    • pp.678-683
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    • 1993
  • MBE법으로 $580^{\circ}C$에서 성장한 $GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$/(001)GaAs 에피층의 원자 배열을 TEM을 이용하여 분석하였다. 1/2(111) 형의 장범위 규칙상이 $GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$/(001)GaAs 에피층에서 발견되었다. 이 규칙상의 원자 배열은 As의 농도가 높은 {111}As 면과 Sb의 농도가 높은 {l1l}Sb 면이 V족 소격자에 교대로 나열된 구조이며, 주기는 {111} 면간 거리의 2배이다. 이 구조는 R3m 의 공간군에 속하며, 단위포는 능면체정이다.

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YBCO 초전도 박막 선재용 Ni-W 및 Ni-W-Cu 합금의 격자상수 변화 (Variation of Lattice Constant in Ni-W and Ni-W-Cu Alloys for YBCO Coated Conductor)

  • 김민우;정규동;전병혁;김형섭;김찬중
    • Progress in Superconductivity
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    • 제7권1호
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    • pp.64-68
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    • 2005
  • We fabricated Ni-based alloy substrates for YBCO coated conductor using powder metallurgy. Tungsten and copper were selected as alloy elements due to their mutual solubility to the base element of nickel. The alloying elements were mixed with nickel using ball milling and dried in air. The powder mixtures were packed in a rubber mold, cold isostatic pressed 200 MPa and made into rods. The compacted rods were sintered at $1150^{\circ}C$ for 6 hours for densification. It was confirmed by neutron diffraction experiment that W and Cu atoms made complete solid solution with Ni. Lattice constant of nickel alloy increased by $0.004{\AA}$ for 1at. $\%$ W in Ni-W alloy, $0.0006{\AA}$ for 1 at. $\%$ Cu in Ni-W-Cu alloy.

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SOI 응용을 위한 반도체-원자 초격자 구조의 특성 (Characteristics of Semiconductor-Atomic Superlattice for SOI Applications)

  • 서용진;박성우;이경진;김기욱;박창준
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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    • pp.180-183
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    • 2003
  • The monolayer of oxygen atoms sandwitched between the adjacent nanocrystalline silicon layers was formed by ultra high vacuum-chemical vapor deposition (UHV-CVD). This multi-layer Si-O structure forms a new type of superlattice, semiconductor-atomic superattice (SAS). According to the experimental results, high-resolution cross-sectional transmission electron microscopy (HRTEM) shows epitaxial system. Also, the current-voltage (I-V) measurement results show the stable and good insulating behavior with high breakdown voltage. It is apparent that the system may form an epitaxially grown insulating layer as possible replacement of silicon-on-insulator (SOI), a scheme investigated as future generation of high efficient and high density CMOS on SOI.

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Symmetric Multi-Processing 시스템에서 다양한 병렬 기법 모델을 적용한 병렬 CUPID 코드의 성능분석 (Performance Analysis of the Parallel CUPID Code for Various Parallel Programming Models in Symmetric Multi-Processing System)

  • 전병진;이재룡;윤한영;최형권
    • 대한기계학회논문집B
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    • 제38권1호
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    • pp.71-79
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    • 2014
  • 본 연구에서는 가압경수로 주요 기기의 고정밀 열수력 해석을 위한 CUPID(Component Unstructured Program for Interfacial Dynamics) 코드의 압력장 해석을 위한 이중공액구배법(Bi-Conjugate Gradient) 알고리즘의 병렬화를 SMP(Symmetric Multi Processing) 시스템에서 고찰한다. 비압축성 후향계단 유동문제의 병렬해석을 다양한 격자 조밀도를 가지는 격자들에 대하여 세 가지 대표적인 병렬 기법(MPI, OpenMP, 하이브리드)을 적용하여 병렬성능 비교를 수행하였다. 병렬처리 성능은 해석 문제의 크기뿐만 아니라 캐쉬 메모리 크기에도 영향을 받으므로, 전체 계산량이 매우 적거나 개별 쓰레드에 사용되는 메모리가 캐쉬 메모리보다 매우 큰 경우에는 병렬화에 의한 성능 향상이 낮음을 확인하였다. 또한, 문제 크기에 상관없이 MPI 기법이 OpenMP보다 성능이 우수했으며, 상대적으로 적은 쓰레드를 사용한 경우엔 하이브리드 기법이 가장 우수한 성능을 보였다.