For an application as templates of high performance with proper pore size and shape, porous anodic alumina films were prepared by anodization in oxalic acid, and formation behaviors of anodic alumina layer as well as dissolution process in acid solution have been investigated. The surface characteristics on anodic alumina layer were shown to be dependent on the fabrication parameters for anodization. For the dissolution behaviors of anodic alumina, the thickness of the barrier-type alumina layer decreased linearly with the rate of 0.98 nm/min in $H_3PO_4$ solution at $30^{\circ}C$. The changes of the anodic alumina layers were analyzed by SEM and TEM.
0.3M의 옥살산 용액에서 anodic alumina를 제작하였으며 barrier 층을 제거하기 위하여 20wt% 황산 용액에서 한시간 동안 방치시켰다. 이 anodic alumina를 전극으로 사용하여 수용액에서 $Cd^{2+}$, $Co2^{+}$ 및 $Pb^{2+}$이온들을 환원시켜 제거하였다. XRD와 SBM으로 anodic alumina의 구조를 분석하였고, SEM 결과 anodic alumina에는 60nm의 pore가 존재함을 확인할 수 있었으며, 20wt% 황산 용액으로 처리 후 anodic alumina의 표면이 황산에 약간 녹기 때문에 anodic alumina의 표면의 규칙성이 떨어지는 결과를 보였다. anodic alumina를 음극, 그리고 탄소를 양극으로 각각 사용하여 $Cd(NO_3)_2{\cdot}4H_2O$, $Co(NO_3)_2{\cdot}6H_2O$ 및 $PbSO_4$ 수용액에 24시간동안 직류전류를 흘려주었을 때, 전류를 흘려준 시간에 따라 전압이 각각 4.6, 3.4 및 5.1V 까지 증가하다가 4.2, 2.7 및 2.4V로 일정해지는 결과를 얻었다. 전류를 흘려준 시간이 18시간까지는 시간이 증가할수록 용액내의 금속이온의 농도는 감소하였으며 음극인 anodic alumina의 표면에 각 금속들이 석출되는 것을 확인할 수 있었다. anodic alumina로 금속이온을 제거한 수용액을 retriculate vitreous carbon(RVC)를 작업전극으로 하는 flow cell로 제2차 금속이온 제거를 수행하였다. $Cd^{2+}$ 와 $Co^{2+}$이온의 농도는 용액을 flow cell에 20분간 흘려줄 때까지만 감소하였고 $Pb^{2+}$이온 농도는 30분까지 감소하였다. 이 경우 $Cd^{2+}$, $Co^{2+}$ 및 $Pb^{2+}$이온들 제거효율은 각각 34.78, 28.79 및 86.38% 이었다. 또한 $Cd^{2+}$ 와 $Co^{2+}$이온이 동시에 RVC전극에 흡착 가능한 결과를 보였으며 제거효율은 32.30 및 31.37% 이었다.
Aluminum was anodized in a $H_2SO_4$ solution, and titanium (IV) oxide ($TiO_2$) was electrodeposited into nanopores of anodic porous alumina in a mixed solution of $TiOSO_4$ and $(COOH)_2$. The photocatalytic activity of the prepared film was analyzed for photodegradation of methylene blue aqueous solution. Consequently, we found it was possible to electrodeposit $TiO_2$ onto anodic porous alumina, and synthesized it into the nanopores by hydrolysis of a titanium complex ion under AC 8-9 V when film thickness was about $15-20{\mu}m$. The photocatalytic activity of $TiO_2$-loaded anodic porous alumina ($TiO_2/Al_2O_3$) at an impressed voltage of 9 V was the highest in every condition, being about 12 times as high as sol-gel $TiO_2$ on anodic porous alumina. The results revealed that anodic porous alumina is effective as a substrate for photocatalytic film and that high-activity $TiO_2$ film can be prepared at low cost.
Anodic alumina layer can be used as templates for preparation of nano-structured materials, because porous oxide layer on aluminum shows a uniform pore size and a high pore density. In order to find out possibility for template material to prepare nano wire, the effects of the anodic applied potential, anodic time and the temperature of electrolyte on pore diameter of anodic alumina layer were studied using SEM and AFM. The pore diameter of anodic alumina layer increased with applied anodic potential and electrolytic temperature. Especially, the pore diameter of anodic oxide layers formed in chromic acid can be well replicated by widening process in $H_3$$PO_4$solution.
To investigate effects of heat treatments including grain size control in substrate aluminum on nanopore arrays in anodic alumina template, aluminum was heat treated at $500^{\circ}C$ for 1h. The heat treated aluminum was anodized by two successive anodization processes in oxalic solution and the nanopore arrays in anodic alumina layer were studied using TEM and FE-SEM. The highly ordered porous alumina templates with 110 nm interpore distance and 40 nm pore diameter have been observed and the pore array of the anodic alumina has a uniform and closely-packed honeycomb structure. In the case of alumina template obtained from heat treated aluminum substrate, the well- ordered nanopore region in anodic alumina increased and became more homogeneous compared with that from non-heattreated one.
In the conventional crystallization method, thepoly-Si TFTs show poor device-to-device uniformity because of the random location of the grain boundaries. However, our new crystallization method introduced in this paper employed substrate-embedded seeds on the highly ordered anodic alumina template to control both the location of seeds and the number of grain boundaries intentionally. In the process of excimer laser crystallization (ELC), a-Si film deposited on the anodic alumina by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) is transformed into fine poly-Si grains by explosive crystallization (XC) prior to primary melting. At the higher energy density, the film is nearly completely melted and laterally grown by super lateral growth (SLG) from remained small part of the fine poly-Si grains as seeds at the Si/anodic alumina interface. Resultant grain boundaries have almost linear functions of the number of seeds in concavities of anodic alumina which have a constant spacing. It reveals the uniformity of. device can be enhanced prominently by controlling location and size of pores which contains fine poly~Si seeds under artificial anodizing condition.
Porous anodic alumina(PAA) which has arrays of nano size holes, was incorporated into organic light emitting devices. Porous anodic alumina on glass scattered the light generated from emitting layer and was decreased the waveguiding modes within the glass. An increase in the device coupling-out factor for the scattering structure is demonstrated.
We report on the developed fabrication method of lanthanide-doped xerogel/porous anodic alumina structures for an image formation via the aluminum anodization, the sol-gel synthesis, and the photolithography process. The structures of europium- or terbium-doped xerogel/porous anodic alumina are also considered in view of application in electroluminescent devices.
Porous $Al_2O_3$ film can be utilized as template for fabrication of nano-structured materials. Porous anodic alumina layer as template was prepared by anodization of aluminum in oxalic acid, and the pore diameter and barrier-type alumina layer can be controlled for proper anodizing parameter by widening process in $H_3PO_4$ solution. The $SiO_2$ nanodot and Ni nanowire was fabricated using anodic alumina template and their characteristics were investigated using SEM and TEM with EDS. Especially the growth mechanism of $SiO_2$ nanodot in alumina membrane compared with thinning of the alumina barrier layer during anodization was also investigated.
To investigate the effect of properties of pores in anodic alumina template(AAT) on the formation and characteristics of metal nano wires, Cu and Ni nano wires were manufactured using anodic alumina template formed in various electrolytes. The characteristics of prepared metal nano wires using AAT could be replicated from those of pores in AAT. The diameters of nano wires could be controlled by the widening process of anodic porous film in $H_3PO_4$ solution. The shape ratio of the nano wire was shown to be $170{\pm}30$ for Ni nano wire formed by AAT made in sulfuric acid.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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