• 센서학회지
• /
• 제18권3호
• /
• pp.239-244
• /
• 2009

We fabricated nano-templates by low temperature BCP(block copolymer) process at 180 $^{\circ}C$, then we deposited 10 nm-thick $TiO_2$ layers with ALD(atomic layer deposition) at low temperature of 150 $^{\circ}C$. Through FE-SEM analysis, we confirmed the successful formation of the groove-type(width of crest : 30 nm, width of trough : 18 nm) and the cylinder-type(diameter : 10 nm, distance between hole : 25 nm) templates. Moreover, after $TiO_2$-ALD processing, we confirmed the deposition of the uniform nano layers of $TiO_2$ on the nano-templates. Through AFM analysis, the pitches of the crest-through(in groove-type) and hole-hole(in cylinder-type) were the same before and after $TiO_2$-ALD processing. In addition, we indirectly determined the existence of the uniform $TiO_2$ layers on nano-templates as the surface roughness decreased drastically. We successfully fabricated nano-template at low temperature and confirmed that the three-dimensional nano-structure for sensor application could be achieved by $TiO_2$-ALD processing at extremely low temperature of 150 $^{\circ}C$.

• 한국표면공학회지
• /
• 제50권5호
• /
• pp.339-344
• /
• 2017

Highly corrosion resistance performance of CrAlSiN coatings were obtained by applying ultrathin $Al_2O_3$ thin films using atomic layer deposition (ALD) method. CrAlSiN coatings were prepared on Cr adhesion layer/SUS304 substrates by a hybrid coating system of arc ion plating and high power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) method. And, ultrathin $Al_2O_3$ passivation layer was deposited on the CrAlSiN/Cr adhesion layer/SUS304 sample to protect CrAlSiN coatings by encapsulating the whole surface defects of coating using ALD. Here, the high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy (HAADF-STEM) and energy dispersive X-ray spectrometry (EDX) analysis revealed that the ALD $Al_2O_3$ thin films uniformly covered the inner and outer surface of CrAlSiN coatings. Also, the potentiodynamic and potentiostatic polarization test revealed that the corrosion protection properties of CrAlSiN coatings/Cr/SUS304 sample was greatly improved by ALD encapsulation with 50 nm-thick $Al_2O_3$ thin films, which implies that ALD-$Al_2O_3$ passivation layer can be used as an effect barrier layer of corrosion.

• 한국재료학회지
• /
• 제18권10호
• /
• pp.515-520
• /
• 2008

We fabricated 10 nm-$TiO_2$ thin films for DSSC (dye sensitized solar cell) electrode application using ALD (atomic layer deposition) method at the low temperatures of $150^{\circ}\;and\;250^{\circ}$. We characterized the crosssectional microstructure, phase, chemical binding energy, and absorption of the $TiO_2$ using TEM, HRXRD, XPS, and UV-VIS-NIR, respectively. TEM analysis showed a 10 nm-thick flat and uniform $TiO_2$ thin film regardless of the deposition temperatures. Through XPS analysis, it was found that the stoichiometric $TiO_2$ phase was formed and confirmed by measuring main characteristic peaks of Ti $2p^1$, Ti $2p^3$, and O 1s indicating the binding energy status. Through UV-VIS-NIR analysis, ALD-$TiO_2$ thin films were found to have a band gap of 3.4 eV resulting in the absorption edges at 360 nm, while the conventional $TiO_2$ films had a band gap of 3.0 eV (rutile)${\sim}$3.2 eV (anatase) with the absorption edges at 380 nm and 410 nm. Our results implied that the newly proposed nano-thick $TiO_2$ film using an ALD process at $150^{\circ}$ had almost the same properties as thsose of film at $250^{\circ}$. Therefore, we confirmed that the ALD-processed $TiO_2$ thin film with nano-thickness formed at low temperatures might be suitable for the electrode process of flexible devices.

• 한국가스학회지
• /
• 제26권5호
• /
• pp.22-27
• /
• 2022

반도체 생산 설비 중 ALD는 열이나 플라즈마로 분해한 Gas를 Wafer에 증착시켜 원자층을 형성시키는 설비로 주로 인화성 물질인 NH₃와 SIH4이 사용된다. 이중 NH₃는 연소·폭발 범위가 상한(UFL) 33.6%, 하한(LEL) 15%로 폭발 범위가 비교적 좁지만 많은 양이 갑자기 한곳에 모이면 폭발할 수 있고, 피부에 닿거나 흡입하면 치명적이다. NH₃는 ALD Gas inlet의 배관과 전기·기계 기구를 통해 Chamber로 공급되는데 많은 누출 가능점이 존재하여 누출 시 화재·폭발 또는 중독 사고로 이어질 수 있어 NH₃ 누출 시나리오에 대한 내부 유동과 제어 속도를 이해하고 고환기가 가능한 배기장치를 설계하는 것이 필요하여 본 연구자는 NH₃의 누출시나리오를 CFD에 적용하여 내부유동과 제어 속도를 수치 분석하여 설계 시 반영할 수 있도록 하였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
• /
• 제23권1호
• /
• pp.92-96
• /
• 2024

The application of the technology for forming Al₂O₃ thin films using ALD(atomic layer deposition) method is rapidly increasing in the semiconductor and display fields. In order to increase the efficiency of the ALD process in a mass production line, metallic by-products generated from the ALD process chamber must be effectively collected. By collecting by-products flowing out of the chamber with a cold trap device before they go to the vacuum pump, damage to the vacuum pump can be prevented and the work room can be maintained stably, resulting in increased process flow rate. In this study, a cold trap was installed between the ALD process chamber and the dry pump to measure and analyze by-products generated during the Al₂O₃ thin film deposition process. As a result, it was confirmed that Al and O elements were discharged, and the collection forms were two types: bulk and powder. And the binding energy peaked at 73.7 ~ 74.3 eV, the binding energy of Al 2p, and 530.7 eV, the binding energy of O 1s, indicating that the binding structure was Al-O.

• 대한치과교정학회지
• /
• 제27권3호
• /
• pp.457-471
• /
• 1997

본 연구는 치열궁 길이 부조화(Arch length discrepancy : 이하 ALD)의 원인요소간의 상대적 중요성과 혼합치열기에서의 예측가능성을 알아보고자 시행되었다. Angle씨 I급 대구치관계이며 근기능 이상이나 골격형태의 이상이 없다고 판단되는 142명의 진단모형을 이용하여 성별과 ALD의 양에 따라 여섯군으로 나누어 각 치아의 크기와 치열궁 각 부위의 크기를 계측하였다. SPSS통계처리 프로그램을 이용하여 각군의 평균, 표준편차를 구하고 Student t-test, 상관관계 분석, 요인분석, 다중회귀분석을 실시하였으며 혼합치열기에서 얻을 수 있는 자료들을 이용한 ALD의 예측가능성을 평가하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 성별에 따른 차이는 정상군에서는 거의 보이지 않았으며 spacing군은 대부분의 계측치에서, crowding군은 몇가지 치열궁의 크기에 관한 계측치에서 유의한 차이를 보였다. 2. 남자crowding군과 여자 spacing군은 해당 정상군에 비해 주로 치아크기에 관한 계측치에서 유의한 차이를 보였다. 3. 남자 spacing군과 여자crowding군은 해당 정상군에 비해 치열궁의 크기에 관한 계측치에서 유의한 차이를 보였다. 4. 상관관계분석과 요인분석결과에서는 주로 치열궁의 크기에 관한 계측치들이 ALD와 큰 연관성을 나타내었다. 5. 혼합치열기에서 얻을 수 있는 정보인 중절치, 측절치, 제1대구치의 폭경과 제1대구치간 폭경, 치열궁 장경 을 이용한 ALD의 다중회귀분석은 최소 $63\%$에서 최대 $80\%$의 예측도(R square)를 보였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제25권3호
• /
• pp.7-12
• /
• 2018

차세대 초미세 Cu 배선 적용을 위한 원자층증착법(atomic layer deposition, ALD)을 이용하여 증착된 Ru확산 방지층과 Cu 박막 사이의 계면 신뢰성을 평가하기 위해, Ru 공정온도 및 $200^{\circ}C$ 후속 열처리 시간에 따라 4점굽힘시험으로 정량적인 계면접착에너지를 평가하였고, 박리계면을 분석하였다. 225, 270, $310^{\circ}C$ 세 가지 ALD Ru 공정온도에 따른 계면접착에너지는 각각 8.55, 9.37, $8.96J/m^2$로 유사한 값을 보였는데, 이는 증착온도 변화에 따라 Ru 결정립 크기 등 미세조직 및 비저항의 차이가 적어서, 계면 특성도 거의 차이가 없는 것으로 판단된다. $225^{\circ}C$의 공정온도에서 증착된 Ru 박막의 계면접착에너지는 $200^{\circ}C$ 후속 열처리시 250시간까지는 $7.59J/m^2$ 이상으로 유지되었으나, 500시간 후에는 $1.40J/m^2$로 급격히 감소하였다. 박리계면에 대한 X-선 광전자 분광기 분석 결과, 500시간 후 Cu 계면 산화로 인하여 계면접착 에너지가 감소한 것으로 확인되었다. 따라서 ALD Ru 박막은 계면신뢰성이 양호한 차세대 Cu 배선용 확산방지층 후보가 된다고 판단된다.

• 대한유전성대사질환학회지
• /
• 제12권1호
• /
• pp.49-53
• /
• 2012

X 연관 부신백질이영양증(adrenoleukodystrophy, ALD)은 과산화소체베타산화과정(peroxisomal ${\beta}$-oxidation)의 장애로 매우긴사슬지방산(very long chain fatty acids, VLCFA)이 신경계의 백질과 부신피질 및 고환에 축척된다. 이 질환은 과산화소체막단백질(peroxisomal membrane protein)을 형성하는 Xq28에 위치하는 ATP-binding cassette, subfamily D, member 1 (ABCD1) 유전자 돌연변이에 의해 주로 발생한다. X 연관 ALD는 다양한 임상양상을 보이는데 전형적인 소아대뇌형 부신백질이영양증은 10세 이전의 남아에서 대뇌백질에 빠르게 진행하는 탈수초현상을 보인다. 8세 된 남자 환아로 정상발달과정을 보이던 중 초등학교 입학 후에 집중장애와 산만한 모습으로 인해 주의력결핍과다활동장애로 진단받고 치료를 받았었다. 환아는 내원 8개월 전부터 말이 어눌해 지고 걸을 때 오른 발을 끌며 자주 넘어지는 모습을 보여 내원하였고 오른쪽 상, 하지의 근력이 떨어지는 양상이 관찰되었다. 검사상 부신기능저하증 소견을 보였으며 혈청 지방산 분석검사에서는 C26:0, C42:0/C22:0, C26:0/C22:0가 증가하였다. 뇌 자기공명영상에서는 T2와 FLAIR 강조영상에서 양측의 두정후두부의 백질과 소뇌의 백질에서 대칭적으로 고신호강도를 보였다. 환아는 부신백질이영양증로 진단하였고 ABCD1 유전자 분석 검사에서 새로운 c.983delT (p.Met329CysfsX7) 돌연변이가 확인되었다. X 연관 ALD는 유전자형과 표현형에 연관성이 없으며 다양한 임상양상을 보이기 때문에 환자들마다 임상증상을 잘 관찰해야 하며 향후 유전자 기능을 좀 더 파악하고 임상증상에 영향을 주는 다른 요소에 대한 연구가 필요할 것이라 사료된다.

• 한국진공학회지
• /
• 제18권4호
• /
• pp.296-301
• /
• 2009

ZnO에 대한 박막증착 연구를 위하여 유도결합 플라즈마 원자층박막증착(inductively coupled plasma assisted atomic layer deposition: ICP-ALD) 장치를 제작하고, 장치에 대한 기본 공정조건을 설정하기 위하여 플라즈마를 유도하지 않은 상태에서 p-type Si(100) 기판 위에 ZnO 박막을 증착하는 다양한 실험을 수행하였다. Zn 전구체(precursor)로는 Diethyl zinc [$Zn(C_2H_5)_2$, DEZn]를, 반응가스(reaction gas)로는 $H_2O$를, 캐리어(carrier) 및 퍼지가스(purge gas)로는 Ar을 사용하였다. 기판온도 $150^{\circ}C$에서 DEZn, $H_2O$, Ar의 공급시간을 변화시켜가면서 자기제한적 표면반응(self-limiting surface reaction)에 의한 박막성장조건을 성공적으로 유도하였다. 기판온도를 변화시켜가면서($90{\sim}210^{\circ}C$) 증착실험을 반복하여, 본 장치에 대한 ALD 공정온도(thermal ALD process window)를 확립하고 성장된 ZnO박막에 대한 증착특성, 결정성, 불순물 및 내부조성비등을 조사하였다. ALD 공정온도는 기판온도 $110{\sim}190^{\circ}C$로써 이 구간에서의 박막 평균증착률은 0.29 nm/cycle로 일정하게 나타났다. 기판온도가 높아질수록 결정성이 향상되어 ZnO(002) 피크가 우세하였다. 모든 ALD 공정온도에서 Zn와 O로만 구성된 고순도의 ZnO 박막을 실현하였는데, 온도가 높아질수록 Zn와 O의 비가 1에 근접하며 안정된 hexagonal wurtzite ZnO 구조의 박막이 성장되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.41-41
• /
• 2009

We utilized atomic layer deposition (ALD) for the growth of the ZnO channel layers in the oxide thin-film-transistors (TFTs) with a bottom-gate structure using a $SiO_2/p-Si$ substrate. For fundamental study, the effect of the channel thickness and thermal treatment on the TFT performance was investigated. The growth modes for the ALD grown ZnO layer changed from island growth to layer-by-layer growth at thicknesses of > 7.5 nm with highly resistive properties. A channel thickness of 17 nm resulted in the good TFT behavior with an onloff current ratio of > $10^6$ and a field effect mobility of 2.9 without the need for thermal annealing. However, further increases in the channel thickness resulted in a deterioration of the TFT performance or no saturation. The ALD grown ZnO layers showed reduced electrical resistivity and carrier density after thermal treatment in oxygen.