• Journal of Plant Biology
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• 제39권3호
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• pp.179-184
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• 1996

The purpose of this study is to obtain the most efficient combination of Agrobacterium tumefaciens strains and Ti plasmids for the construction of dicotyledonous plant vector system. Ti plasmid-curing A. tumefaciens A136 and KU12C3 were transformed with four kinds of Ti plasmids, pTiBo542, pTiA6, pTiKU12 and pTiAch5, respectively. The stems of 28 species of dicotyledonous plants were then inoculated with these transformants and examined for crown gall formation. The different combination of A. tumefaciens strains and Ti plasmids showed quite a difference in terms of the crown gall formation. Agrobacterium strins A136 and KU12C3 have a same plant host range in case that both strains harour the same kind of Ti plasmid, pTiBo542 or pTiAch5. However, the above-mentioned both strains have quite different host range in the event of containing the same Ti plasmid, pTiKU12 or pTiA6. In case that KU12C3 contains pTiA6 or pTiKU12, this strain has a wider plant host range than A136. The plant host range of pTiBo542 is the widest, followed by pTiA6, pTiKU12 and pTiAch5. Twelve plants among 28 tested plants are not transformed by any virulent Agrobacterium strains used in this study. In conclusion, A. tumefaciens KU12C3 and A136 harboring pTiBo542 showed the widest host range for transforming dicotyledonous plants. Also, it was acertained that the host range of Ti plasmids is affected by chromosomal level.

• 열처리공학회지
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• 제22권1호
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• pp.3-7
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• 2009

Variation in oxidation behavior with heat treatment temperature is investigated for a Ni-Ti alloy using X-ray diffraction, DSC (differential scanning calorimetry) and Auger electron spectroscopy. And the effect of oxidation on transformation behavior and superelasticity is characterized. A cold-worked 50.6Ni-Ti alloy is oxidized at 300-$700^{\circ}C$ for 1 hr in the air atmosphere. With an increase in heating temperature, the structure of $TiO_2$ changes from amorphous (300 and $400^{\circ}C$) to anatase ($500^{\circ}C$), and to rutile ($700^{\circ}C$). Activation energy of oxidation for NiTi is measured to be 51 Kcal/mol when heating temperature is $500^{\circ}C$ or above. Since Ti reacts preferably with oxygen, Ni content increases between matrix and oxide, forming $Ni_{3}Ti$ compounds. The resultant of oxidation decreases significantly $M_s$ and $A_s$ temperature in the specimen oxidized at $900^{\circ}C$ with $B_2{\rightarrow}M$ transformation path. An extra is found on cooling between two peaks in the specimen with $B_2{\rightarrow}R{\rightarrow}M$ one which is oxidized at $900^{\circ}C$ and aged at $500^{\circ}C$. Oxidation deteriorates superelasticity due to formation of Ni-rich compound.

• 한국분말재료학회지
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• 제14권3호
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• pp.208-214
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• 2007

The microstructure and hardness of (W,Ti)C cemented carbides with a different metallic binder composition of Ni and Co fabricated by powder technology were investigated. The densifications of the prepared materials were accomplished by using vacuum sintering at $1450^{\circ}C$. Nearly full dense (W,Ti)C cemented carbides were obtained with a relative density of up to 99.7% with 30 wt.% Co and 99.9% with 30 wt.% Ni as a metallic binder. The average grain size of the (W,Ti)C-Co and the (W,Ti)C-Ni was decreased by increasing the metallic binder content. The hardness of the dense (W,Ti)C-15 wt%Co and (W,Ti)C-15 wt%Ni, was greater than that of the other related cemented carbides; in addition, the cobalt-based cemented carbides had greater hardness values than the nickel-based cemented carbides.

• 열처리공학회지
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• 제7권4호
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• pp.288-297
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• 1994

In this study, lattice parameter, binding energy and microstructures of TiC layer according to the addition of Fe, Cr were investigated in the reactive deposition coating. From the results, the lattice parameters of the TiC layers by using ferro-titanium as a precursor were 4.329~4.339A but the lattice parameters of the TiC layers formed by ferro-titanium and ferro-chromium decreased to 4.316~4.330A. The hardness of the former's was HV(100g) 3,000~3,400kg/mm and the hardness of the latter's was HV (100g) 3,800~3,900. But, regardless of Cr and Fe, the binding energy of TiC layers were 454.75 eV for $Ti2p_{3/2}$ and were 281.85 eV for Cls. Meanwhile, the TiC layers were densified by addition of Fe, Cr and internal defects were reduced Therefore. it can be concluded that the remarkable hardness increment was obtained by the improvement of microstructures of TiC rather than the increase of bond strength or Peierls stress.

• 한국재료학회지
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• 제5권7호
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• pp.820-828
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• 1995

초청정 Si 기판위에 Ti을 증착하여 형성시킨 Ti-silicide의 상전이와 각상의 표면 및 계면형상을 Ti 증착두께, 열처리 온도, 기판의 방위에 따라 조사하였다. 초 고진공 챔버에서 각각 400$\AA$ 및 200$\AA$의 Ti를 50$0^{\circ}C$부터 90$0^{\circ}C$까지 10$0^{\circ}C$간격으로 가열되어 있는 Si(100) 및 Si(111) 기판에 증착하여 Ti-silicide를 형성하였다. 형성된 Ti-silicide를 XRD, SEM, TEM으로 상전이와 각상의 표면 및 계면 형상을 관찰하였다. 관찰결과 C49에서 C54상으로의 상전이 온도는 $650^{\circ}C$정도이었고, 기판의 방위와 박막의 증착 두께에 따라 상전이 온도의 변화가 관찰되었으며, 이 상전이 온도의 변화를 표면에너지와 체적에너지에 기초를 둔 고찰을 통해 설명하였다. 그리고 C49상은 증착한 박막에서의 Si 원자의 비균질한 확산 특성으로 인해 거친 계면을 나타내고 있으나, C54상은 비교적 균질한 계면을 나타내고 있으며 응집화에 의해 island가 형성된 것이 관찰되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권8호
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• pp.751-757
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• 2003

10 wt% A1$_2$O$_3$-Y$_2$O$_3$-CaO를 첨가한 SiC-30 wt% TiC 분말을 스파크 플라즈마 소결(SPS) 방법을 사용하여 급속 치밀화 하였다. SPS 공정은 매우 빠른 승온 속도와 짧은 시간에 완전 치밀한 시편을 얻을 수 있다. 본 실험에서, 승온 속도와 압력은 $100^{\circ}C$/min과 40MPa이고, 소결 온도 범위는$1600^{\circ}C$~$1800^{\circ}C$이었으며, 10min 동한 유지하였다. $Al_2$O$_3$, $Y_2$O$_3$ 및 CaO를 첨가한 SiC-30 wt% TiC 복합체는 $1700^{\circ}C$ 이상 온도에서 스파크 플라즈마 소결 방법으로 완전 치밀화가 이루어졌다. 모든 SPS 공정 온도에서 탄화큐소으 상전이나 YAG 결정상의 형성 없이 3C-SiC와 TiC 만이 XRD에서 나타났다. 급속 소결한 SiC-30 wt% TiC 복합체의 미세구조는 비교적 작은 등축상 SiC 결정립과 비교적 큰 TiC 결정립으로 구성되었다. $1750^{\circ}C$에서 제조한 시편의 이축강도능 635.2MPa이고, 파괴인성은 6.12 MPaㆍ$m^{1/2}$이었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제30권3호
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• pp.111-118
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• 2023

높은 전기전도도와 우수한 기계적 강도, 열안정성을 가진 2차원 전이금속탄화물 또는 질화물인 MXene은 최근 가볍고 유연한 전자파 차폐 소재로 많은 주목을 받고 있다. 특히, Ti 기반의 Ti₃C₂T_x와 Ti₂CT_x는 방대한 MXene 계열 시스템에서 전기 전도성과 전자파 차폐 특성이 가장 우수한 것으로 보고되고 있다. 따라서, 본 연구에서는 Ti₃AlC₂와 Ti₂AlC의 층간 금속 에칭과 원심 분리법을 통하여 합성된 Ti₃C₂T_x와 Ti₂CT_x 분산용액을 진공 여과법을 이용하여 수 마이크로 두께의 필름을 제작하였으며, 고온 열처리 후에 필름의 전기전도도 및 전자파 차폐 효율을 측정하였다. 그리고, X선 회절법과 광전자 분광법을 이용하여 열처리 후의 Ti₃C₂T_x와 Ti₂CT_x 필름의 구조적 변화와 전자파 차폐에 미치는 영향을 분석하였다. 본 연구의 결과를 바탕으로 향후 소형 및 웨어러블 전자기기에 적용하기 위한 매우 얇고 가벼운 우수한 성능의 MXene 기반 전자파 차폐 필름을 위한 최적 구조를 제안하고자 한다.

• 한국재료학회지
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• 제6권2호
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• pp.210-220
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• 1996

The purpose of this study is to develop the processing techniques of Fiber Reinforced Metal by Liquid Phase Diffusion Bonding method with SiC fiber as a reinforcing material and CP Ti(Commercial Pure) as a matrix. The microstructure and the distribution of elements in reaction and CP Ti(Commercial Pure) as a matrix. The microstructure and the distribution of elements is reaction zone among CP Ti/Ti-15wt%Cu-20wt%Ni(TCN20)/SiC long fiber were investigated by Optical Microscope, SEM/EDX, EPMA, X-ray and AES. The results obtained in this study are as follows. 1) When Ti matrix composite materials are fabricated under the bonding condition of 1273Kx1200sec, the SiC long fiber was the most suitable reinforcing material for Ti matrix composite materials. 2) With SiC long fiber under same condition, a TiC layer(1.0-1.6$\mu\textrm{m}$) was observed on the surface of SiC long fiber. 3) Liquid Phase Diffusion Bonding has shown the feasibility of production of Ti matrix composite materials.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.68-68
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• 2000

펄스레이저 증착법(이하 PLD)을 이용하여 마이크로파 유전체 소자 및 절연 산화막으로의 응용을 위한 MgTiO3 박막을 다양한 기판상에서 증착하였다. 사파이어 기판에 (a,c-plane Al2O3) 성장된 MgTiO3 박막은 에피텍셜 성장(epitaxial growth)이 되었으며, SiO2/Si 및 Pt/Ti/Si 기판위세 성장된 MgTiO3 박막의 경우 003방향으로 배향(oriented) 되었다. MgTiO3 박막은 450~75$0^{\circ}C$까지 기판온도를 변화시키면서 증착시켰으며, 증착시 산소분압은 50~200 mTorr로 변화시켰다. PLD 증착시 타켓에 조사된 레이저 에너지 밀도는 약 2J/cm2였으며, MgTiO3 박막 증착후 200Torr O2 분위기에서 상온까지 1$0^{\circ}C$/min 의 속도로 냉각시켰다. 사파이어 c-plane 상에서 일머나잇(ilminite) MgTiO3 구조가 55$0^{\circ}C$ 에피텍셜 성장하는 것을 관찰할 수 있었으며, 사파이어 a-plane 상에서는 MgTiO3 구조가 $650^{\circ}C$ 이상부터 110방향으로 배향되며 성장하였다. $600^{\circ}C$ 이상에서 c-축으로 배향된 구조를 갖고 있었다. 증착된 MgTiO3 박막의 조성분석(stoichio metric analysis)을 위해 RBS 분석을 수행하여, 증착에 이용된 타켓과 동일한 조성을 갖는 MgTiO3 박막이 성장된 것을 확인할 수 있었다. 사파이어 기판상에 증착된 MgTiO3 박막은 가시영역에서 투명하였으며, 약 270nm 파장을 갖는 영역에서 급격한 흡수단을 보였다. 이때의 MgTiO3 박막은 AFM 분석을 통해 약 0.87mn rms roughness 값을 갖는 매우 평탄한 표면구조를 갖고 있는 것을 확인하였다. MIM(Pt/MgTiO3/Pt) 구조의 캐패시터를 형성시켜 MgTiO3 박막의 유전특성(dielectric properties)을 관찰하였다. PLD로 성장된 MgTiO3 박막의 유전율(relative dielectric constant)은 약 22였으며, 1MHz에서 약 1.5%의 유전손실(dielectirc loss) 값을 보였다. 또한 이때 MgTiO3 박막은 낮은 유전분산값을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.834-837
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• 2003

In this study, Ohmic contacts make on 3C-SiC using TiN. Ohmic contact resistivity of TiN/3C-SiC was evaluated. Specific contact resistance was calculated by Circular-TLM(transmission line model) method and physics properties were measured using XRD, SEM, respectively. TiN contact is stable at high temperatures and a good diffusion barrier material. The TiN/3C-SiC contacts are thermally stable to annealing temperatures up to $1000^{\circ}C$. The TiN thin-film depostied on 3C-SiC substraes have good electrical properties. Therefore, the TiN/3C-SiC contact can be usefully applied for high-temperature MEMS applications over $500^{\circ}C$.