The stability enhancement of Znic oxide thin film transistor deposited by PLD-DBD has been reported here using the bias temperature stress test. Znic oxide (ZnO) thin films were deposited on $SiO_2$/Si (100) by pulsed laser deposition method with and without dielectric barrier discharge (DBD) method. The DBD is the efficient method to adopt the nitrogen ions into the thin films. The TFT characteristics of ZnO TFTs with and without Nirogen (N) doping show similar results with $I_{on/off}$ of $10^5{\sim}10^6$. However. the bias temperature stress (BTS) test of N-doped ZnO TFT with DBD shows higher stability than that of ZnO TFT.
The purpose of this study was to compare the maganitude of the discrepancies of the mounting errors in according to the states of dentitions, and to the superoinferior, anteroposterior, and rightleft driecetions. GROUP I. : Fourteen patients 22 to 26 years of age with a full complement of teeth, were used in the study. The criteria fro patient selection were a complete dentition, sparse restorarive treatment, and adequate posterior and anterior occlusan stops. And they had no sign and sympton at TMG area. GROUPII. : Eigth patients 37 to 62 years of age with bilateral free ends. The criteria for patient selection were Kennedy classification class 1 cases, and adequate posterior and anterior stops. And the opposite dentitions were a full complement of teeth. Irreversible hydrocolloid impresiion of each arch was taken of each patient. These were immediatel poured in stone and mounted on a Denar Mark II. Articulator with the arbitrary slidematic face-bow. With hand articulation th e mandibular cast was mounted to the maxillary cast in centric occlusion. Five types of interocclusal records were taken of each patient : (1) aluwax (2) baseplate wax; (3) znic oxide-eugenol pasts; (4) polyether (Ramitec); (5) modeling compound. All measurement of the five selected recording materials were compared with those of the hand-articulated full arch models in centric occlusion or maximum interdigitation. The results were as follows; 1. There were statistical differences in amount of devitation in according to the materials and the states of dentition. The amount of deviation of compound was the largest. 2. There were statistical differences in amount of deviation in complete dentition at all directions. The amount of diviation of compound was the largest. And at the right-left direction the amount of znic oxide-eugenol paste was larger than that of baseplate wax. 3. There was a statistical difference in amount of diviations in partial edentulous dentition at the superoinferior direction. The amount of deviation of compound was larger than that of znic oxide-eugenol paste. 4. There was as statistical difference in amount of deviations in partial edentulous dentition at the right-left direction. The amount of deviation of baseplate wax was larger that tnat of polyether. 5. There was not a statistical difference in amount of diviation in partial edentulous dentition at the anteroposterior direction.
개량한 플라즈마 소스를 이용하여 Al doped ZnO (AZO) 박막을 증착하였다. 이 실험에서 박막의 증착두께를 200nm로 고정하였고 공정압력과 기판사이 거리는 4 mTorr과 4 cm로 정하였다. 인가전력 그리고 윗 타겟 인가전압을 변수로 하였을 경우 AZO 박막의 방향성과 결정성을 XRD로 측정하고 분석하였고 박막의 전기적 특성을 Hall measurment로 측정하였다. 그 결과 인가파워가 2W/cm2, 윗 타겟 인가전압이 0 W 일 때 박막의 전기적 특성이 가장 좋게 나타났다.
최근 산화아연 나노입자의 물리-화학적 특성을 이용하여 다양한 분야에 응용하는 연구가 많이 진행되고 있다. 본 연구에서는 산화아연 나노입자의 산화-환원 반응을 이용하여 광촉매의 응용 연구를 진행하였다. 이러한 산화아연 광촉매는 산화티타늄 광촉매에 비하여 물 용매에서의 $Zn(OH)_2$를 형성하여 광촉매 활성을 감소시키는 단점을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 분무 열분해 방법을 이용하여 산화아연 나노입자를 합성하고 이렇게 합성된 산화아연 나노입자의 물에 대한 안정성 연구를 진행하였다. 그 결과 1일 동안 물 용매 처리를 한 산화아연 나노입자의 표면에 molecular $H_2O$의 증가로 인하여 광촉매 효율이 증가하는 결과를 나타내었으며 본 연구에서 합성된 산화아연 나노입자가 물 용매에서 안정하다는 결과를 도출하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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