• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.08a
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• pp.59-62
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• 2003

Our Zn diffusion into n-type $GaAs_{0.60}P_{0.40}$ used ampoule-tube method to increase IV. N-type epitaxial wafers were preferred by $H_2SO_4$-based pre-treatment. $SiO_2$ thin film was deposited by PECVD for some wafers. Diffusion times and diffusion temperatures respectability are 1, 2, 3 hr and 775, $805^{\circ}C$. LED chips were fabricated by the diffused wafers at Fab. The peak wavelength of all chips showed about 625~650 nm and red color. The highest IV is about 270 mcd at the diffusion condition of $775^{\circ}C$, 3h for the wafers which didn't deposit $SiO_2$ thin films. Also, the longer diffusion time is the higher IV for the wafers which deposit $SiO_2$ thin films.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.11a
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• pp.510-513
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• 2003

Our Zn diffusion into n-type $GaAs_{0.40}P_{0.60}$ used ampoule-tube method to increase IV. N-type epitaxial wafers were preferred by $H_2SO_4$-based pre-treatment. $SiO_2$ thin film was deposited by PECVD for some wafers. Diffusion times and diffusion temperatures respectability are 1, 2, 3 hr and 775, $805^{\circ}C$. LED chips were fabricated by the diffused wafers at Fab. The peak wavelength of all chips showed about $625{\sim}650\;nm$ and red color. The highest IV is about 270 mcd at the diffusion condition of $775^{\circ}C$, 3h for the wafers which didn't deposit $SiO_2$ thin films. Also, the longer diffusion time is the higher IV for the wafers which deposit $SiO_2$ thin films.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.233-233
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• 2014

InGaZnO 박막트랜지스터(TFT)는 기존의 널리 사용되던 비정질 실리콘보다 높은 전하이동도와 Ion/off, 우수한 균일성과 신뢰성의 장점으로 최근 AMOLED양산에 적용되기 시작 하였다. 그러나 60인치 이상의 대면적 디스플레이와 초고해상도의 성능을 동시에 만족하기 위해 10 cm2/Vs정도의 전하이동도를 가지는 InGaZnO로는 한계가 있어 30 cm2/Vs 이상의 전하이동도를 가지는 물질의 연구가 필요하다. 연구에서는 높은 전하이동도를 만족하기 위해 InO2를, 우수한 신뢰성을 가지는 SnO2를 포함하는 InZnSnO로 실험을 진행하였다. 스퍼터링 시스템에서 ITO 타겟과 ZTO 타겟을 사용하여 동시증착법으로 채널을 증착하였고, 산소 분압 변화시에 IZTO TFT 소자 특성의 의존성을 평가하였다. Ar : O2=10 : 0 일 때와 Ar : O2=7 : 3 일 때의 이동도가 각각 12.6cm2/Vs, 19.7cm2/Vs로 산소 비율이 증가함에 따라 전하이동도가 증가하였다. 기존 IGZO 산화물 반도체에서는 산소 비율이 증가하면 산소공공(VO) 농도감소로 인해 전하이동도가 감소한다. 이는 전하농도가 증가하면 전하이동도가 증가하는 percolation 전도기구로 이해할 수 있다. 그러나 본 IZTO 물질에서는 산소비율 증가에 따라 오히려 전하이동도가 증가하였는데, 이는 IZTO 반도체에 함유된 Sn 이온의 가전자상태가 +2/+4가의 상대적 비율이 산소농도에 따라 의존하기 때문인 것으로 분석되었다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.59-59
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• 2003

ZnO는 상온에서 3.37 eV의 넓은 밴드갭을 가지는 직접천이형 반도체이다. 상온에서 60 meV의 큰 엑시톤 결합에너지를 가짐으로 인해 엑시톤 재결합에 의한 강한 UV 레이저 발진효과를 기대할 수 있다. 이러한 장점을 갖는 ZnO 박막을 이용하여 광소자 등에 응용하기 위하여 양질의 ZnO 박막성장이 필수적이며, 이를 위해 MBE, MOCVD, PLD, rf magnetron sputtering 등 다양한 증착방법을 통한 연구결과가 보고되고 있다. 또한 p형 불순물인 As과 N 도핑 및 Ga과 N의 co-doping 방법 등을 통하여 p형 ZnO 박막을 제조하였음이 보고되고 있으나 재현성 문제 등으로 인해 계속적인 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 MOCVD를 이용하여 A1$_2$O$_3$(0001) 기판 위에 ZnO 박막을 성장시켰다. Zn 전구체로 DEZn을 사용하였으며, 산소 source로 $O_2$를 사용하였다. 증착온도, Ⅵ/II 비율, 반응기 압력 등 MOCVD의 중요한 공정변수들의 체계적인 변화에 따른 박막성장 양상을 조사하였다. 증착 조건에 따라 ZnO 입자의 모양이 주상(column), nano-rod, nano-needle, nano-wire 등으로 급격하게 변화됨을 확인하였으며, 이러한 입자의 모양과 결정성장 방향 및 광학적 특성과의 상관관계의 해석을 시도하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.153-153
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• 2008

최근 투명전극물질이 LCD, 박막태양전지, smart window, 유기발광소자 등에 폭넓게 이용됨에 따라 그 수요가 급격이 늘어나고 있다. 이러한 투명전극 물질로는 Al : ZnO, Ga : ZnO, $MgIn_2O_4$, $AgSbO_3$, $InGaZnO_4$, ITO, Zn:ITO 등이 있으며 이중 ITO 계 산화물은 우수한 전기적 특성을 바탕으로 이미 상용화 되어있는 상태이다. 그러나 ITO 계 산화물은 indium 의 희소성과 높은 가격 때문에 폭 넓은 분야의 상용화가 어려운 실정이며, 수소 플라즈마 분위기에 화학적으로 불안정한 특성은 Si 박막태양전지 응용에 큰 문제가 되고 있다. 이에 본 연구는 박막태양전지용 ITO 계 투명전극의 indium양을 줄이면서 화학적으로 안정하고, 전기적 특성이 향상된 박막을 제조하기 위해 combinatorial sputter를 이용하여 Zn의 도핑량을 연속적으로 변화시킨 ITO 박막을 제조하였다. 또한 광학적 전기적 특성의 향상을 위해 vacuum, $H_2$, $O_2$ 분위기에서 열처리 후 각 박막의 특성 변화를 관찰하였다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.6 no.4
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• pp.29-32
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• 2007

Zinc gallate, $ZnGa_2O_4:Mn^{2+}$ co-doped with different concentrations of $Mg^{2+}$ (0.001- 0.5 mol%) was prepared by solid state synthesis method. These compositions were investigated for their photoluminescence and cathodoluminescence properties. The optimized composition $Zn_{0.990}Mg_{0.005}Ga_2O_4:Mn_{0.005}$ shows higher luminescence intensity compared to the parent phosphor. The intense green emission peak was found at 504 nm. The $Mg^{2+}$ doping does not affect much the decay time. It remains <10 ms for these compositions which make them potential candidate for application in TV screens.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.138-138
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• 2009

Al, Ga and In doped ZnO thin film were prepared by faing targets sputtering as a function of oxygen gas contents at R.T. Base pressure was $2{\times}10^{-6}torr$, and working pressure was 1mTorr. The properties of thin films on the electrical and optical properties of the deposited films were investigated by using a four-point probe (Chang-min), a Hall Effect measurement (Ecopia) and an UV/VIS spectrometer (HP). The minimum resistivities of AZO, GZO and IZO thin film were $6.5{times}10^{-4}[{\Omega}-cm],5.5{\times}10^{-4}[{\Omega}-cm]$ and $4.29{\times}10^{-4}[{\Omega}-cm]$. The average transmittance of over 80% was seen in the visible range.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2007.08b
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• pp.1543-1544
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• 2007

Carbon nanotubes (CNTs) are coated on green $ZnGa_2O_4:Mn^{2+}$ phosphor for filed emission display. The cathodoluminescent intensity of CNTs-phosphor is improved compared with uncoated phosphors. Also the effects of phosphors-coated CNTs on electrical and degradation characteristics are investigated to reveal the reason of the enhanced emission intensity.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2007.08b
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• pp.1545-1546
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• 2007

Zinc gallate-based RGB phosphors and vertically aligned carbon nanotube emitters are prepared for flat field-emission lamp. The blend phosphors of blue $ZnGa_2O_4$, green $ZnGa_2O_4:Mn^{2+}$ and red $ZnGa_2O_4:Cr^{3+}$ are coated on the front glass, and the carbon nanotubes are chemically bonded on the rear ITO glass as a cathode.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.95-96
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• 2005

The general method and mechanism for the polarity control of heteroepitaxial wurtzite films, such as ZnO and GaN, by interface engineering via plasma-assisted molecular beam epitaxy are addressed. We proposed the principle and method controlling the crystal polarity of ZnO on GaN and GaN on ZnO. The crystal polarity of the lower film was maintained by forming a heterointerfce without any interface layer between the upper and the lower layers. However the crystal polarity could be changed by forming the heterointerface with the interface layer having an inversion center. The principle and method suggested here give us a promising tool to fabricate polarity inverted heterostructures, which applicable to invent novel heterostructures and devices.