Huang, Pingping;Su, Wen;Han, Rui;Lin, Hao;Yang, Jing;Xu, Libin;Ma, Lei
Journal of Microbiology and Biotechnology
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v.32
no.4
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pp.522-530
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2022
In this study we aimed to develop novel ZnO-NP/chitosan/β-glycerophosphate (ZnO-NP/CS/β-GP) antibacterial hydrogels for biomedical applications. According to the mass fraction ratio of ZnO-NPs to chitosan, mixtures of 1, 3, and 5% ZnO-NPs/CS/β-GP were prepared. Using the test-tube inversion method, scanning electron microscopy and Fourier-transform infrared spectroscopy, the influence of ZnO-NPs on gelation time, chemical composition, and cross-sectional microstructures were evaluated. Adding ZnO-NPs significantly improved the hydrogel's antibacterial activity as determined by bacteriostatic zone and colony counting. The hydrogel's bacteriostatic mechanism was investigated using live/dead fluorescent staining and scanning electron microscopy. In addition, crystal violet staining and MTT assay demonstrated that ZnO-NPs/CS/β-GP exhibited good antibacterial activity in inhibiting the formation of biofilms and eradicating existing biofilms. CCK-8 and live/dead cell staining methods revealed that the cell viability of gingival fibroblasts (L929) cocultured with hydrogel in each group was above 90% after 24, 48, and 72 h. These results suggest that ZnO-NPs improve the temperature sensitivity and bacteriostatic performance of chitosan/β-glycerophosphate (CS/β-GP), which could be injected into the periodontal pocket in solution form and quickly transformed into hydrogel adhesion on the gingiva, allowing for a straightforward and convenient procedure. In conclusion, ZnO-NP/CS/β-GP thermosensitive hydrogels could be expected to be utilized as adjuvant drugs for clinical prevention and treatment of peri-implant inflammation.
Yeon-Hak Lee;Sun-Kyung Kim;Tae-Yong Eom;Yong-Ha Jeong;Sang-Woo So;Young-Gil Son;Dong-Il Son;Daeil Kim
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.56
no.6
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pp.451-456
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2023
Transparent conducting films having a three layered structure of ZnO/Cu/ZnO (ZCZ) were deposited onto the glass substrates by using RF and DC magnetron sputtering at room temperature. The emissivity and opto-electrical properties of the films were investigated with a varying thickness(5, 10, 15 nm) of the Cu interlayer. With increasing the Cu thickness to 15 nm, the films showed a enhanced electrical properties. Although ZnO 30/Cu 15/ZnO 30 nm film shows a lower resistivity of 5.2×10-5 Ωcm, it's visible transmittance is deteriorated by increased optical absorbtion of the films. In addition, X-ray diffraction patterns indicated that the insertion of Cu interlayer improve the grain size of ZnO films, which is favor for the electrical and optical properties of transparent conducting films. From the observed low emissivity of the films, it is concluded that the ZCZ thin films with optimal thickness of Cu interlayer can be applied effectively for the car's window coating materials.
In this study, we tried to find out the appropriate synthetic condition and magnetic properties of Ni-Zn ferrite {(NixZn1-x)Fe2O4} powders (where X=0, 0.1, 0.2, 0.3, ……0.9, 1). Ferrite powders were prepared by wet-direct method at 86℃ for 6hrs from FeCl36H2O, NiCl26H2O, and ZnCl2. The powders of (NixZn1-x)Fe2O4 (where X=0.4, 0.5, 0.6) have a good crystallinity, but the other ferrite powders consist of crystal and precursor ferrite. The ferrite powder's lattice constant is increased when ratio of ZnO contant is increased in the ferrite composition. And initial permeability was measured after sintering, result indicated regular pattern except (Ni0.4Zn0.6)Fe2O4 when the frequency were changed 10KHz to 10MHz.
ZnS and $ZnS/TiO_2$ were prepared by chemical deposition. The prepared photocatalysts were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), energy-dispersive X-ray (EDX), and transmission electron microscopy (TEM). The generation of reactive oxygen species was detected by monitoring the oxidation reaction from 1,5-diphenyl carbazide (DPCI) to 1,5-diphenyl carbazone (DPCO). Excellent catalytic degradation of methylene blue (MB) solution was observed using the $ZnS/TiO_2$ composites during irradiation with visible light. The results show that the photocatalytic performance of $TiO_2$ nanoparticles is improved by loading with ZnS.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.122-122
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2010
ZnO is a widely investigated material for the blue and ultraviolet solid-state emitters and detectors. It has been promoted due to a wide-band gap semiconductor which has large exciton binding energy of 60 meV, chemical stability and low radiation damage. However, there are many problems to be solved for the growth of p-type ZnO for practical device applications. Many researchers have made an efforts to achieve p-type conductivity using group-V element of N, P, As, and Sb. In this letter, we have studied the optical characteristics of the antimony-doped ZnO (ZnO:Sb) thin films by means of photoluminescence (PL), PL excitation, temperature-dependent PL, and time-resolved PL techniques. We observed donor-to-acceptor-pair transition at about 3.24 eV with its phonon replicas with a periodic spacing of about 72 meV in the PL spectra of antimony-doped ZnO (ZnO:Sb) thin films at 12 K. We also investigate thermal activation energy and carrier recombination lifetime for the samples. Our result reflects that the antimony doping can generate shallow acceptor states, leading to a good p-type conductivity in ZnO.
The catalytic oxidation of CO has been investigated on $ZnCe_{1+y}O_2$ at temperatures from 300 to $500^{\circ}C$ under various P_{CO} and PO_2 conditions. The oxidation rates have been correlated with 1.5-order kinetics: first order with respect to CO and 0.5 order with respect to O2. CO appears to be absorbed essentially on the O lattice of $ZnCe_{1+y}O_2$ as a molecular species, while $O_2$ adsorbs on an O vacancy as an ionic species. The conductivity data show that CO adsorption contributes electron to the conduction band and the adsorption process of $O_2$ withdraws it from an O vacancy. The oxidation mechanism and the defect model of $ZnCe_{1+y}O_2$ are inferred at given temperature and $PO_2'$s from the agreement between the conductivities and kinetic data. It is suggested that CO absorption is the rate-controlling.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.50-50
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2008
ZnO has been extensively studied for optoelectronic applications such as blue and ultraviolet (UV) light emitters and detectors, because it has a wide band gap (3.37 eV) anda large exciton binding energy of ~60 meV over GaN (~26 meV). However, the fabrication of the light emitting devices using ZnO homojunctions is suffered from the lack of reproducibility of the p-type ZnO with high hall concentration and mobility. Thus, the ZnO-based p-n heterojunction light emitting diode (LED) using p-Si and p-GaN would be expected to exhibit stable device performance compared to the homojunction LED. The n-ZnO/p-GaN heterostructure is a good candidate for ZnO-based heterojunction LEDs because of their similar physical properties and the reproducibleavailability of p-type GaN. Especially, the reduced lattice mismatch (~1.8 %) and similar crystal structure result in the advantage of acquiring high performance LED devices with low defect density. However, the electroluminescence (EL) of the device using n-ZnO/p-GaN heterojunctions shows the blue and greenish emissions, which are attributed to the emission from the p-GaN and deep-level defects. In this work, the n-ZnO:Ga/p-GaN:Mg heterojunction light emitting diodes (LEDs) were fabricated at different growth temperatures and carrier concentrations in the n-type region. The effects of the growth temperature and carrier concentration on the electrical and emission properties were investigated. The I-V and the EL results showed that the device performance of the heterostructure LEDs, such as turn-on voltage and true ultraviolet emission, developed through the insertion of a thin intrinsic layer between n-ZnO:Ga and p-GaN:Mg. This observation was attributed to a lowering of the energy barriers for the supply of electrons and holes into intrinsic ZnO, and recombination in the intrinsic ZnO with the absence of deep level emission.
In this work, pure hierarchical ZnO structure was prepared using a simple hydrothermal method, and Ag nanoparticles doped hierarchical ZnO structure was synthesized uniformly through photochemical route. The reduced graphene oxide (rGO) has been synthesized by typical Hummer's method and reduced by hydrazine. Prepared Ag/ZnO nanostructures are uniformly dispersed on the surface of rGO sheets using ultrasonication process. The synthesized samples were characterized by SEM, TEM, EDS, XRD and PL spectra. The average size of prepared ZnO microspheres was around $2{\sim}3{\mu}m$ and showed highly uniform. The average size of doped-Ag nanoparticles was 50 nm and decorated into ZnO/rGO network. The $C_2H_2$ gas sensing properties of as-prepared products were investigated using resistivity-type gas sensor. Ag/ZnO-rGO based sensors exhibited good performances for $C_2H_2$ gas in comparison with the Ag/ZnO. The $C_2H_2$ sensor based on Ag/ZnO-rGO had linear response property from 3~1000 ppm of $C_2H_2$ concentration at working temperature of $200^{\circ}C$. The response values with 100 ppm $C_2H_2$ at $200^{\circ}C$ were 22% and 78% for Ag/ZnO and Ag/ZnO-rGO, respectively. In additions, the sensor still shows high sensitivity and quick response/recovery to $C_2H_2$ under high relative humidity conditions. Moreover, the device shows excellent selectivity towards to $C_2H_2$ gas at optimal working temperature of $200^{\circ}C$.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.50
no.2
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pp.125-130
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2017
ZnO nanowires were synthesized and annealed at various temperatures of $500-800^{\circ}C$ in oxygen atmosphere to investigate hydrogen gas sensing properties. The diameter and length of the synthesized ZnO nanowires were approximately 50-100 nm and a few $10s\;{\mu}m$, respectively. $H_2$ gas sensing performance of the ZnO nanowires sensor was measured with electrical resistance changes caused by $H_2$ gas with a concentration of 0.1-2.0%. The response of ZnO nanowires at room temperature to 2.0% $H_2$ gas is found to be two times enhanced by annealing process in $O_2$ atmosphere at $800^{\circ}C$. In the current study, the effect of heat treatment in $O_2$ atmosphere on the gas sensing performance of ZnO nanowires was studied. And the underlying mechanism for the sensing improvement of the ZnO nanowires was also discussed.
We have prepared 20 kinds of Mn-Zn ferrites as content of CaO(0.1 mol%), NiO(0.0~0.60 mol%) and CoO(0.0~0.8 mol%) adding by the coprecipitation method and studied the magnetic properties as content of CaO, NiO and CoO adding. Initial permeability decrease as the content of NiO and CoO adding increases, while Curie tem~ perature increase as the content of NiO and CoO adding increases. $(H_{c})$, $(B_{s})$ and $(W_{h})$ increase as content of NiO adding increases.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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