• 제목/요약/키워드: ZnCoO

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수열합성법을 이용한 ZnO 나노로드의 제조 및 이산화질소 감응 특성 (Preparation of ZnO nanorods by hydrothermal method and their $NO_2$ sensing characteristics)

  • 조평석;김기원;이종흔
    • 한국진공학회지
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    • 제15권5호
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    • pp.506-511
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    • 2006
  • $Zn(NO_3)_2{\cdot}6H_2O$, 수산화나트륨, cyclohexylamine, 에탄올, 물이 혼합된 용액을 수열합성하여 ZnO 나노로드를 합성하고, 합성한 물질의 이산화 질소$(NO_2)$와 일산화 탄소(CO)에 대한 감응특성을 조사하였다. 혼합 용액에 첨가되는 물의 양을 변화시켜 ZnO 나노로드의 형상과 응집현상을 조절할 수 있었다. 이는 물과 cyclohexylamine의 반응에 의해 발생되는 $OH^-$ 이온의 농도변화에 의한 것으로 해석된다. 물의 함량이 낮을 때에는 뭉쳐진 성게모양의 ZnO 나노로드를, 물의 함량이 많을 때에는 잘 분산된 ZnO 나노로드를 각각 합성할 수 있었다. 잘 분산된ZnO 나노로드는 공기 중에서 50 ppm 의 CO에 노출되었을 때 주목할 만한 반응을 보이지 않는 반면, 1 ppm 의 $NO_2$에 노출되었을 때에는 저항이 1.8배 증가하였다. 이러한 선택적 반응을 보이는 ZnO 나노로드는 자동차용 자동환기 시스템의 핵심부품인 매연센서의 감응물질로 사용될 수 있다.

P-형 ZnO 박막 특성 안정성 향상에 대한 연구 (Study on Stability Enhancement of P-type ZnO Thin Film Properties)

  • 남형진;차경환
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제8권3호
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    • pp.472-476
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    • 2007
  • 본 연구에서는 p-형 ZnO 박막 증착법 및 특성의 안정화 방안에 대하여 조사하였다. p-형 ZnO는 AlAs와 ZnO target을 사용하여 RF magnetron sputtering 기법으로 co-deposition하여 제작하였으며 특성 변화를 조사하기 위해 $250^{\circ}C$에서 144시간까지 스트레스 인가 시간을 변화하며 Photoluminescence 및 Hall 측정을 수행하였다. 연구 결과 co-deposition 은 p-형 박막을 제작하기 위해 유효한 방법인 것으로 밝혀졌으며, 특히 고온에서 이루어지는 과정을 수행하기 전 30% H2O2용액에 1분간 처리하는 것이 이후의 열처리 과정 중 발생하는 특성 변화를 크게 억제하는 것으로 관찰되었다.

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Properites of transparent conductive ZnO:Al film prepared by co-sputtering

  • Ma, Hong-Chan;Lee, Hee-Young
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.106-106
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    • 2009
  • Al-doped ZnO (AZO) thin films were grown on glass substrates by co-sputtering at room temperature. We made ZnO and Al target and ZnO:Al film is deposited with sputter which has two RF gun source. The Al content was controlled by varying Al RF power and effect of Al contents on the properties of ZnO:Al film was investigated. Crystallinity and orientation of the ZnO:Al films were investigated by X-ray diffraction (XRD), surface morphology of the ZnO:Al films was observed by atomic force microscope. Electrical properties of the ZnO:Al films were measured at room temperature by van der Pauw method and hall measurement. Optrical properties of ZnO:Al films were measured by UV-vis-NIR spectrometer.

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CoO 첨가량에 따른 $Pr_{6}O_{11}$계 ZnO 바리스터의 전기적 특성 (Electrical Properties of $Pr_{6}O_{11}$-Based ZnO Varistors with CoO Content)

  • 김향숙;류정선;남춘우
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.419-422
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    • 2001
  • The electrical properties of Pr$_{6}$O$_{11}$-based ZnO varistors composed of ZnO-Pr$_{6}$O$_{11}$-CoO-Cr$_2$O$_3$-Dy$_2$O$_3$- based ceramics were investigated with CoO content in the range of 0.5~5.0 mol%. As CoO content is increased, the average grain size and the density were increased in the range of 9.86~27.22 $\mu$m and in the range of 5.25-5.55 g/cm$^3$, respectively. The varistor voltage was decreased in the range of 235.32~86.01 V/mm due to the increase of average grain size with CoO content. The varistors doped with CoO in the rage of 1.0~2.0 mol% exhibited a high nonlinearity, in which is above 55 in the nonlinear exponent and below 1.5 $\mu$A in the leakage current. Increasing CoO content further greatly decreased the nonlinearity.ity.ity.

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돌입전류 제한용 $Mn_3$$O_4$-NiO-CuO-$Co_3$$O_4$-ZnO계 NTC 써미스터에서 ZnO/$Mn_3$$O_4$비에 따른 전기적 특성 (Electrical Properties as the ratio of ZnO/$Mn_3$$O_4$ of NTC Thermistor with $Mn_3$$O_4$-NiO-CuO-$Co_3$$O_4$-ZnO system for Inrush Current Limited)

  • 윤중락;김지균;권정렬;이현용;이석원
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제13권6호
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    • pp.472-477
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    • 2000
  • Oxides of the form Mn$_{4}$/O$_{4}$-CuO-Co$_{3}$/O$_{4}$-NiO-ZnO present properties that make them useful as power NTC thermistor for current limited. Electrical properties of Mn$_{3}$/O$_{4}$-CuO-Co$_{3}$/O$_{4}$-CuO-Co$_{3}$/O$_{4}$-NiO-ZnO power NTC thermistor such as I-V characteristics tim constant activation energy and heat dissipation coefficient measured as a function of temperature and composition. In Mn$_{4}$/O$_{4}$-CuO-Co$_{3}$/O$_{4}$-NiO-ZnO system with the 5wt% addition of Co$_{3}$/O$_{4}$ it can be seen that resistivity and B-constant were increased as the ratio of ZnO/Mn$_{3}$/O$_{4}$ was increased. Heat dissipation constant, I-V characteristics and time constant showed similar behaviour compared with those of conventional thermistors. In particular resistance change ratio ($\Delta$R) the important factor for reliability varied within $\pm$5% indicating the compositions of these products could be available for power thermistor.

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ZnO-WO$_3$복합체의 일산화탄소 가스 감응특성 (The CO Gas Sensing Properties of ZnO-WO$_3$Composite Ceramics)

  • 김태원;정승우;최우성;박춘배
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1997년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.401-404
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    • 1997
  • We prepared 0~20mo1% WO$_3$added ZnO composite ceramics in order to promote a CO gas sensitivity. Using SE,. we observed the microstructure of sample. The resistances of sample were measured by High Voltage Measure/source Unit in the temperature range of +5V~-5V. The measured 1000ppm CO sensitivities of pure ZnO were about 1~4.3, and the measured 1000ppm CO sensitivities of ZnO-WO$_3$composite ceramics were about 1~8.2. Therefore, the 1000ppm CO sensitivities of ZnO-WO$_3$composite ceramics were about 2 times larger than that of pure ZnO.

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$TiO_2$첨가에 의한 ZnO와 $SnO_2$의 일산화탄소 감응특성 변화 (The Changes of CO Gas Sensing Properties of ZnO and $SnO_2$ with Addition $TiO_2$)

  • 김태원;최우성;전선택
    • 한국재료학회지
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    • 제8권4호
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    • pp.312-316
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    • 1998
  • ZnO와 $SnO_2$$ TiO_2$를 첨가시킨 $ZnO-TiO_2$$SnO_2$-$TiO_2$세라믹 복합체를 제작하여 1000ppm 일산화탄소에 대한 감응특성을 조사하였다. 상분석을 위해서 X-선 회절 분석을 하였고, 전자 주사 현미경을 이용해서 시편 파단면의 미세구조를 관찰했다. 일산화탄소 감도는 건조공기 분위기에서 측정한 저항($R_{dry air}$ )과 1000ppm 일산화탄소 분위기에서의 저항($R_{co}$ )을 측정하여 각각의 저항값의 비로 정의하였다. $TiO_{2}$첨가에 의한 ZnO의 일산화탄소 감도의 변화는 ZT5의 경우 최대 감도가 약 1.7배 감소하였고, $TiO _{2}$첨가에 의한 $SnO_{2}$의 일산화탄소 최대 감도는 약 2.5배 증가함으로써 비교적 $ZnO-TiO_2$배 증가함으로써 비교적 $ZnO-TiO_2$배 증가함으로써 비교적 $ZnO-TiO_2$복합체 보다는 $SnO_2$- $TiO_2$복합체의 일산화탄소 감응특성이 우수했다.

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(F, Ga) 코도핑된 ZnO 투명 전도 박막의 솔-젤 제조와 특성 (Sol-gel Spin-coating of ZnO Co-doped with (F, Ga) as A Transparent Conducting Thin Film)

  • 남길모;권명석
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제13권1호
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    • pp.91-95
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    • 2014
  • (F,Ga) co-doped ZnO thin film on glass substrate was fabricated via a simple non-alkoxide sol-gel spin-coating. Contrary to the F single doped ZnO thin film, the (F,Ga) co-doped thin film showed a significant reduce in electrical resistivity after a second post-heat-treatment in reducing environment. The resulting decrease in electrical resistivity with Ga co-doping is considered to be resulted from the increases both carrier density and mobility. The optical transmittance of the (F,Ga) co-doped thin film in the visible range showed higher transmittance with Ga co-doping compared with F single doped ZnO thin film.

다양한 씨앗의 발아 및 발아지수에 근거한 나노입자 생물학적 독성평가 (Bioassessment of Nanoparticle Toxicity based on Seed Germination and Germination Index of Various Seeds)

  • 구본우;이민경;석우도;공인철
    • 청정기술
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    • 제21권1호
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    • pp.39-44
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    • 2015
  • 본 연구에서는 다섯 종의 씨앗(춘채, 아욱, 양배추, 배추, 당근)을 이용하여 금속산화물 나노입자(CuO, NiO, Fe2O3, Co3O4, TiO2, ZnO)들이 씨앗발아와 발아지수에 미치는 영향을 조사하였다. CuO, ZnO, NiO 나노입자는 씨앗 활성에 뚜렷한 독성 영향을 나타내었으며, 나노입자종류에 따라 상이한 민감도를 나타내었다. 각 나노입자에 대한 독성순서(EC50 범위)는 다음과 같다: CuO 6~27 mg/L > ZnO 16~86 mg/L > NiO 48~112 mg/L. 나머지 조사 대상 나노입자인 Co3O4, TiO2, Fe2O3은 최대 1,000 mg/L 높은 농도 노출에도 뚜렷한 영향을 나타내지 않았다. 씨앗별 상이한 민감도를 나타내었으며, 가장 민감한 종인 아욱의 씨앗발아 EC50은 CuO 5.5 mg/L ZnO 16.4 mg/L, NiO 53.4 mg/L로 조사되었다. 씨앗별 나노입자에 대한 독성 영향은 CuO > ZnO > NiO > Fe2O3 ≈ Co3O4 ≈ TiO2 나타났으나, 당근씨앗은 NiO [EC50 80.4(71.41~90.54) mg/L]와 ZnO [EC50 85.8(69.31~106.29) mg/L]가 유사한 독성을 나타내었다.