• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.55-56
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• 2005

The properties of phosphorus doped ZnO thin films deposited on (001) sapphire substrates by pulsed laser deposition (PLD) were investigated depending on various deposition conditions. The phosphorus (P) doped ZnO target was composed of ZnO + x wt% Al (x=1, 3, 5). The structural, electrical and optical properties of the ZnO thin films were measured by X-ray diffraction (XRD), Hall measurements and photoluminescence (PL). As the deposition temperature optimized, the electrical properties of the phosphorus doped ZnO (ZnO:P) layer showed a electron concentration of $7.76\times10^{16}/cm^3$, a mobility of 10.225 $cm^2/Vs$, a resistivity of 7.932 $\Omega$cm. It was observed the electrical property of the film was changed by dopant activation effect as target variations and deposition conditions.

• Corrosion Science and Technology
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• 제8권1호
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• pp.40-43
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• 2009

We investigated the corrosion resistance of Zn and Cu coated steel pipes as a substitute for Cu pipe in an air-conditioner system. In addition, the galvanic corrosion tendency between two dissimilar metal parts was studied. The corrosion resistance of the Cu electroplated steel was similar to that of Cu, while the corrosion rate of the Zn electro- galvanized and the galvalume (Zn-55 % Al) coated steels was much higher and not suitable for Cu substitute in artificial sea water and acidic rain environments. Furthermore, the galvanic difference between Cu electroplated steel and Cu was so small that the Cu coated steel pipe can be used as a substitute for Cu pipe in an air-conditioner system.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.117-117
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• 1999

최근 광소자와 더불어 발전과 더불어 고효율의 새로운 광소자에 대한 수요가 증가되고 있다. ZnO는 이러한 특성을 가진 재료중에 한가지로서 최근 들어 그 가능성에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 특히 상온에서 exciton binding energy가 다른 재료보다 큰 60meV로 고효율의 blue, UV 발광이 가능한 재료로 알려져 있다. 본 연구에서도 광소자로서 ZnO를 활용하기 위해서 RF magnetron sputtering법을 이용하기 위하여 광특성의 향상에 목적을 두고 연구하였다. ZnO 박막은 RF magnetron sputtering법을 이용하여 sapphire (0001) 기판위에 성장시켰다. RF power는 60W에서 120W까지 변화시켰고 박막의 성장온도는 55$0^{\circ}C$와 $600^{\circ}C$로 변화시켰으며, 박막의 성장시간은 60분, ZnO target과 기판과의 거리는 4.5cm로 하여 성장시켰다. 성장된 ZnO 박막은 XRD $\theta$-rocking scan 측정을 통해서 박막의 C-축 배향성과 RBS channeling를 이용하여 ZnO 박막의 epitaxial 성장 정도를 측정하였다. 박막의 상온 발광 특성은 He-Cd laser를 사용한 photoluminescence spectra로 측정하였다. 또한 표면의 morphology는 atomic force microscope(AFM)를 이용하여 관찰하였으며 transmission electron microscopy(TEM)을 사용하여 ZnO박막의 단면적을 관찰함으로서 grain의 성장과 광특성 및 결정성과의 영향에 대해서 연구하였다. ZnO 박막의 성장온도 55$0^{\circ}C$에서 RF power를 60W에서 120W까지 변화시킬 경우 XRD $\theta$-rocking peak의 반치폭이 0.157$^{\circ}$에서 0.436$^{\circ}$까지 변화하였고 80W에서 최소값을 가졌으며 in-plain에 대한 XRD 측정 결과 ZnO 박막의 성장은 sapphire 기판에 대해서 30$^{\circ}$회전되어 성장된 것으로 알 수 있었으며 이는 ZnO [100]∥ Al2O3[110]의 관계를 갖는다는 것을 나타낸다. 광특성의 측정 결과인 PL peak의 반치폭은 133.67meV에서 89.5meV까지 변화함을 알 수 있었고 80W에서 최대값을 가졌으며 이는 RF power의 변화에 따른 결정성의 변화와는 반대되는 현상임을 알 수 있었다. 그러나 성장온도 $600^{\circ}C$일때에는 XRD $\theta$-rocking peak의 반치폭이 0.129$^{\circ}$로 결정성이 우수한 박막임을 확인할 수 있었고 PL peak의 반치폭 또한 Ar과 O2의 비율에 따라 76.32meV에서 98.77meV로 광특성도 우수한 것으로 나타났다. RBS channeling 결과 55$0^{\circ}C$에서는 $\chi$min값이 50~60%였으나 $600^{\circ}C$일 때에는 $\chi$min값이 4~5%로 박막이 epitaxial 성장을 하였다는 것을 알 수 있었다. 결정성과 광특성과의 연관성을 알아보기 위해 TEM을 이용한 박막의 cross section image를 관찰한 결과 광특성이 우수한 시편일수록 grain의 크기가 큰 것으로 나타났고 결정성이 우수한 시편의 경우에서는 XRD분석 결과에서처럼 C-축배향성이 우수한 것을 확인할 수 있었다. 이상의 결과로부터 RF magnetron sputtering 법으로 광특성이 우수한 양질의 ZnO박막 성장이 가능하였다는 것을 알 수 있었으며 광소자로써의 가능성을 확인 할 수 있었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권6호
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• pp.1782-1786
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• 2008

천안시 대기 입자 중 원소 성분의 분포 특성을 파악하기 위해, Cascade Impactor를 장착한 High Volume Air Sampler를 이용하여 대기 입자를 미세입자와 조대입자로 나누어 채취한 후, ICP를 이용하여 16개 원소의 농도를 측정하였다. 측정된 미세입자와 조대입자의 총 질량농도는 각각 평균 33.23, $20.66{\mu}g/m3$ 이었으며, 이 중 총 원소농도는 각각 1.27, $1.71{\mu}g/m3$으로, 전체 질량의 3.8%와 8.3%를 차지하여 조대입자에 원소성분이 상대적으로 많이 분포함을 나타냈다. 미세입자와 조대입자 모두 Fe, Al, Ti이 가장 높은 농도를 나나내는 원소였으며 Pb는 총 농도가 84.55ng/m3으로 국내 기준치를 만족하였다. Al을 기준원소로 분석한 Sc, Cr, Cu, Zn, As, Se, Sn, Pb의 농축계수가 미세입자에서 1,000이상을 나타냈는데, 이는 천안시 미세입자에 포함된 원소 성분의 주요 배출원이 인위적 배출원임을 시사한다.

• 한국토양비료학회지
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• 제30권3호
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• pp.242-247
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• 1997

패각, 석탄회, 석고인 패각, 석탄회 및 석고를 산성 토양 개량제로서 논토양에 시용한 결과 벼 수량은 패각 처리구가 6,787 kg/ha로 무처리구에 비해 11% 증수되었고, 석탄회 처리구 6,696, 석탄회+석고 6,422 kg/ha로 각각 9.5% 증수되었다. 패각과 석탄회 처리구의 pH는 5.9~6.0으로 산성토양 개량효과가 있었으며, 석고 처리구는 토양 염류농도 상승을 유발하여 농업용으로 논토양에 시용하기에는 문제점이 있는 것으로 생각되었다. 수분율은 패각+석탄회+석고, 석탄회+석고 처리구에서 각각 55.9. 55.3%로 무처리구에 비해 8.2, 7.6% 증가하였다. 표토와 심토의 Fe, Zn, 수용성 Al 함량은 무처리구가 패각, 석탄회, 석고 처리구에 비해 높았으며, 표토와 심토의 수용성 B 함량은 석탄회 처리구에서 높았고, 수용성 As 함량은 석탄회+석고, 패각+석탄회+석고 처리구에서 높았다. 논토양에서 산성토양 개량제로 패각, 석탄회 처리는 무처리에 비해 토양중 Fe, Zn, Mn, 수용성 Al 함량이 낮아 80 ton/ha 이하로 사용할 경우 문제가 없을 것이며, 석고를 24 ton/ha 이상 시용할 경우 수용성 As가 문제가 될 것으로 판단되었다. 미질은 석탄회 처리구가 T-N 함량이 낮고, Mg, Mg/K 비율이 높아 밥맛이 좋은 것으로 나타났으며, 패각, 석탄회, 패각+석탄회+석고 처리에 의한 산성 토양 개량효과로 무처리에 비해 백미중 As, Al 함량이 낮아 미질의 안전도를 높이는 것으로 나타났다. 벼의 초장은 석탄회 처리구가 112.2cm로 무처리구에 비해 7.9cm 길었으며, 수당 립수는 석탄회 처리구가 135.9개로 무처리에 비해 58.8개 많았다. 임실율은 패각-석탄회+석고 처리구가 93.5%로 높게 나타났고, 천립중은 패각 처리구가 23.9g으로 무처리에 비해 2.5g 많았다.

• 대한화학회지
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• 제55권1호
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• pp.19-27
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• 2011

2-(Benzothiazol-2-yl)-N'-(2,5-dihydroxybenzylidene)acetohydrazide 에대한새로운일련의 Mn(II), Ni(II), Co(II), Cu(II) 및 Zn(II) 착물을 합성하여 그 특성을 원소분석, IR, UV-vis, $^1H$-NMR, 질량분석, ESR, 자기수자율 및 몰 전기전도도 측정에 의하여 조사하였다. 이들 착물의 기하구조가 사각평면 또는 팔면체임을 분광학적 데이터 및 자기적 측정으로부터 알았다. 이 리간드와 해당착물의 세균에(Aspergillus nigar 및 Fusarium oxysporium) 대한생물학적활성을 조사하였다. 그 결과, 금속착물들은 리간드 및 금속이온 모두에 비해 더 큰 활성을 나타내었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.55-56
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• 2007

디스플레이용 전극 소재로 사용되는 투명 전도막은 높은 가시광 투과율 (89%이상)과 우수한 전기전도성(비저항 10$^{-4}{\Omega}cm$ 이하)을 동시에 가지므로 LCD, PDP, OLED 소자의 핵심소재로 인식되고 있다. 투명 전도막은 광학적 밴드갭이 3.5eV 이상인 wide-gap 반도체로서, 산화인듐($In_2O_3$)에 주석(Sn), 아연(Zn) 등을 치환고용 시킨 ITO, IZO, 산화아연(ZnO)에 Al 혹은 Ga을 치환고용 시킨 AZO, GZO 등 다양한 재료에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 정밀 제어 기술을 이용하여 80$^{\circ}C$이하의 저온 코팅 공정 조건에서 우수한 비저항( $2{\times}10^{-4}$ ${\Omega} cm $)을 나타낼 수 있는 TCO 코팅 공정 기술을 개발하였으며 이러한 연구결과는 차세대 디스플레이 소자로 예측되고 있는 Flexible 디스플레이 소자의 전극 재료로 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국재료학회지
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• 제11권10호
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• pp.889-894
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• 2001

2wt% $Al_2O_3-doped$ ZnO (AZO) thin films were deposited on sapphire (0001) single crystal substrate by parellel type rf magnetron sputtering at 55$0^{\circ}C$. The as-grown AZO thin films was polycrystalline and showed only broad deep defect-level photoluminescence (PL). In order to examine the change of PL property, AZO thin films were annealed in $N_2$ (N-AZO) and $H_2$ (H-AZO) at the temperature of $600^{\circ}C$~$1000^{\circ}C$ through rapid thermal annealing. After annealed at $800^{\circ}C$, N-AZO shows near band edge emission (NBE) with very small deep-level emission, and then N-AZO annealed at $900^{\circ}C$ shows only sharp NBE with 219 meV FWHM. In Comparison with N-AZO, H-AZO exhibits very interesting PL features. After $600^{\circ}C$ annealing, deep defect-level emission was quire quenched and NBE around 382 nm (3.2 eV) was observed, which can be explained by the $H_2$passivation effect. At elevated temperature, two interesting peaks corresponding to violet (406 nm, 3.05 eV) and blue (436 nm, 2.84 eV) emission was firstly observed in AZO thin films. Moreover, peculiar PL peak around 694 nm (1.78 eV) is also firstly observed in all the H-AZO thin films and this is believed good evidence of hydrogenation of AZO. Based on defect-level scheme calculated by using the full potential linear muffin-tin orbital (FP-LMTO), the emission 3.2 eV, 3.05 eV, 3.84 eV and 1.78 eV of H-AZO are substantially deginated as exciton emission, transition from conduction band maximum to $V_{ Zn},$ from $Zn_i$, to valence band maximum $(V_{BM})$ and from $V_{o} to V_BM}$, respectively.

• 한국식품영양과학회지
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• 제23권3호
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• pp.490-495
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• 1994

Acid phosphatase (EC3.1.3.2) from carrots was partially purified by ammonium sulfate fractionation (30%-80%), Sephacryl S-200 gel filtration, cm-Sepharose CL-6B and DEAE -Sephacel ion exchange chromatography. The optimum ph and temperature of acid phosphatase from carrots were pH 5.5 and 55$^{\circ}C$, respectively. The enzyme was most stable at ph 6.0 and relatively unstable below pH 4.0 . The activation energy of the enayme was determined to be 10.6kcal/mole. The enzyme utilized p-nitrophenyl phosphate as a substrate among tested possible substrates, whereas it hydrolyzed 5' -IMP and 5'-GMP poorly. The Michaelis -Menten constant(Km) of the enzyme with p-nitrophenyl phosphate as a substrate was identified as 0.55mM. Amongtested metal ions and inhibitors, Al+++ Zn++, Cu++ , fluoride, metavanadate and molybdate ions inhibited the enzyme activity drastically.

• 열처리공학회지
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• 제2권4호
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• pp.47-55
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• 1989

The effects of thermal cycle, aging heat treatment and Boron addition on the phase transformation characteristics and mechanical properties of the shape memory alloys of Cu-Zn-Al system, which was designed to operate about $80^{\circ}C$ by this research group, were studied. From the view point of the effects of thermal cycle on the phase transformation temperature change, it was found that up to 100 cycles Ms and Af points increased by $3-7^{\circ}C$ and Mf decreased a little bit and after that all of them were remain constant, and As point was not affected. All of the phase transformation temperatures were decreased $5-7^{\circ}C$ by aging heat treatment, at $140^{\circ}C$ for 24h however the effects of thermal cycle on aged alloys were same as on unaged alloys. As the thermal cycle increased the shape memory ability decreased a little up to 20 cycles, but above that it kept almost same ability. By Boron addition, grain size was refined from $1500{\mu}m$ to about $330{\mu}m$ and the hardness, fatigue property were improved but shape memory ability was lowered.