• 제목/요약/키워드: Yttrium Oxide

검색결과 94건 처리시간 0.026초

Screen printing 방법에 의한 후막형 Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O 초전도체의 소결조건과 기판의 초전도성에 미치는 영향 (Effects of Substrate and Sintering Conditions on the Properties of Screen Printed Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O Superconduction Thick Films)

  • 김혜동;임호빈
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 1990년도 추계학술대회 논문집
    • /
    • pp.26-30
    • /
    • 1990
  • Bi$\_$0.7/Pb$\_$0.3/Sr$_1$Ca$_1$Cu$\_$1.8/Ox thick films were screen printed on magnesia(MgO), silver and yttrium stabilized zirconia (YSZ) substrates and were sintered in a boat with cover to prevent the evaporation. The high-Tc phase increase and the low-Tc phase and Ca$_2$PbO$_4$ decrease with an increase in sintering temperature from 835$^{\circ}C$ to 860$^{\circ}C$. YSZ substrate interact strongly with the oxide resulting in poor superconductor, while the Ag and MgO substrates were satisfactory to make screen printed superconductors. The Bi$\_$0.7/Pb$\_$0.3/Sr$_1$Ca$_1$Cu$\_$1.8/Ox thick films screen printed both on Ag and MgO substrates show high Tc phase of ~85% and Tc of 96K.

Yttrium 도핑 IGZO 채널층을 적용한 TFT 소자의 전기적, 안정성 특성 개선

  • 김도영;송풍근
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
    • /
    • pp.214.1-214.1
    • /
    • 2015
  • Thin-film transistors (TFTs)의 채널층으로 널리 쓰이는 indium-gallium-zinc oxide (IGZO)는 높은 전자 이동도(약 10 cm2/Vs)를 나타내며 유기 발광 다이오드디스플레이(OLED)와 대면적 액정 디스플레이(LCD)에 필수적으로 사용되고 있다. 하지만, 이러한 재료는 우수한 TFT의 채널층의 특성을 가지는 반면, ZnO 기반 재료이기 때문에 소자 구동에서의 안정성은 가장 큰 문제로 남아있다. 따라서 최근, IGZO layer의 특성을 향상시키기 위한 연구가 다양한 방법으로 시도되고 있다. IGZO의 조성비를 조절하여 전기적 특성을 최적화거나 IGZO layer의 조성 중 Ga을 다른 금속 메탈로 대체하는 연구도 이루어지고 있다. 그러나 IGZO에 미량의 도펀트를 첨가하여 박막 특성 변화를 관찰한 연구는 거의 진행되지 않고 있다. 산화물 TFTs의 전기적 특성과 안정성은 산소 함량에 영향을 많이 받는 것으로 알려져 있으며, 더욱이 TFT 채널층으로 쓰이는 IGZO 박막의 고유한 산소 공공은 디바이스 작동 중 열적으로 활성화 되어 이온화 상태가 될 때 소자의 안정성을 저하시키는 것이 문제점으로 지적되고 있다. 그러므로 본 연구에서는 낮은 전기 음성도(1.22)와 표준전극전위(-2.372 V)를 가지며 산소와의 높은 본드 엔탈피 값(719.6 kJ/mol)을 가짐으로써 산소 공공생성을 억제할 것으로 기대되는 yttrium을 IGZO의 도펀트로 도입하였다. 따라서 본 연구에서는 Y-IGZO의 박막 특성 변화를 관찰하고자 한다. 본 연구에서는 magnetron co-sputtering법으로 IGZO 타깃(DC)과 Y2O3 타깃(RF)를 이용하여 기판 가열 없이 동시 방전을 이용해 non-alkali glass 기판 위에 증착 하였다. IGZO 타깃은 DC power 110 W으로 고정하였으며 Y2O3 타깃에는 RF Power를 50 W에서 110 W까지 증가시키면서 Y 도핑량을 조절하였다. Working pressure는 고 순도 Ar을 20 sccm 주입하여 0.7 Pa로 고정하였다. 모든 실험은 $50{\times}50mm$ 기판 위에 총 두께 $50nm{\pm}2$ 박막을 증착 하였으며, 그 함량에 따른 전기적 특성 및 광학적 특성을 살펴보았다. 또한, IGZO 박막 제조 시 박막의 안정화를 위해 열처리과정은 필수적이다. 하지만 본 연구에서는 열처리를 진행하지 않고 Y-IGZO의 안정성 개선 여부를 보기 위하여 20일 동안 상온에서 방치하여 그 전기적 특성변화를 관찰하였다. 나아가 Y-IGZO 채널 층을 갖는 TFT 소자를 제조하여 소자 구동 특성을 관찰 하였다. Y2O3 타깃에 가해지는 RF Power가 70 W 일 때 Y-IGZO박막은 IGZO박막과 비교하여 상대적으로 캐리어 밀도는 낮은 반면 이동도는 높은 최적 특성을 얻을 수 있었다. 상온방치 결과 Y-IGZO박막은 IGZO박막에 비해 전기적 특성 변화 폭이 적었으며 이것은 Y 도펀트에 의한 안정성 개선의 결과로 예상된다. 투과도는 Y 도핑에 의하여 약 1.6 % 정도 상승하였으며 밴드 갭 내에서 결함 준위로 작용하는 산소공공의 억제로 인한 결과로 판단된다.

  • PDF

CELLULAR ATTACHMENT AND GENE EXPRESSION OF OSTEOBLAST-LIKE CELLS ON ZIRCONIA CERAMIC SURFACES

  • Pae, Ah-Ran;Lee, Hee-Su;Kim, Hyeong-Seob; Baik, Jin;Woo, Yi-Hyung
    • 대한치과보철학회지
    • /
    • 제46권3호
    • /
    • pp.227-237
    • /
    • 2008
  • STATEMENT OF PROBLEM: Zirconium oxide can be a substitute to titanium as implant materials to solve the esthetic problems of dark color in the gingival portion of implant restorations. PURPOSE: This study was performed to define attachment and growth behavior of osteoblast- like cells cultured on grooved surfaces of zirconium oxide and evaluate the genetic effect of zirconium oxide surfaces using the reverse transcriptase-polymerase chain reaction (RT-PCR). MATERIAL AND METHODS: MC3T3-E1 cells were cultured on (1) commercially pure titanium discs with smooth surface (T group), (2) yttrium-stabilized tetragonal zirconia polycrystal (Y-TZP) with machined surface (ZS group), and (3) Y-TZP with $100{\mu}m$ grooves (ZG group). Cell proliferation activity was evaluated through MTT assay and cell morphology was examined by SEM. The mRNA expression of Runx2, alkaline phosphatase, osteocalcin, TGF-${\beta}1$, IGF-1, G3PDH in E1 cells were evaluated by RT-PCR. RESULTS: From the MTT assay, after 48 hours of adhesion of MC3T3-E1 cells, the mean optical density value of T group and ZG group significantly increased compared to the ZS group. SEM images of osteoblast-like cells showed that significantly more cells were observed to attach to the grooves and appeared to follow the direction of the grooves. After 24 hours of cell adhesion, more spreading and flattening of cells with active filopodia formation occurred. Results of RT-PCR suggest that T group, ZS group, and ZG group showed comparable osteoblast-specific gene expression after 24 hours of cell incubation. CONCLUSION: Surface topography and material of implants can play an important role in expression of osteoblast phenotype markers. Zirconia ceramic showed comparable biological responses of osteoblast-like cells with titanium during a short-time cell culture period. Also, grooves influence cell spreading and guide the cells to be aligned within surface grooves.

융제법에 의한 RIG 단결정 육성 (Growth of RIG Single Crystals by Flux Technique)

  • 김성현;이석희;정수진
    • 한국세라믹학회지
    • /
    • 제26권4호
    • /
    • pp.459-470
    • /
    • 1989
  • Single crystals of rare-earth iron garnets were grown from solutions of molten lead oxide, lead fluoride, baric oxide, iron oxide, and the oxides of yttrium, samarium orgadolinium. The crystals were grown by slow cooling technique. A convenient composition was 41.8mol% PbO, 20.59mol% PbF2, 8.23mol% B2O3, 20.00mol% Fe2O3 and 10.00mol% R2O3 where R is Y, Sm or Gd. For this experiment, platinum crucibles of size 20, 30cc and a vertical siliconit tube furnace were used. The precipitation temperature of YIG was observed in the range of 115$0^{\circ}C$-112$0^{\circ}C$ and the optimum growth conditions in this experiment were determined. The nucleation rate was controlled by the holding time after the fast colling, the growth rate by the slow cooling conditiions. The form of the grown YIG crystals showed a combination of {110} and {211}, and the size of the crystals grown in this experiment was up to about 9mm under the conditions of holding time 16hour, cooling rate 2$^{\circ}C$/hr. and temperature range 115$0^{\circ}C$-90$0^{\circ}C$. The precipitatin temperature of SmIG was observed in the range of 105$0^{\circ}C$-98$0^{\circ}C$ and the size of the crystals grown in this experiment was up to about 5mm under the conditiions of holding time 16hours, cooling rate 2$^{\circ}C$/hr. and temperature range 100$0^{\circ}C$-80$0^{\circ}C$.

  • PDF

Bi와 Eu이 도핑된 yttrium oxide의 white LED용 적색 형광체 발광 특성 (Luminescence characteristics of bismuth and europium co-doped yttrium oxide red phosphor for white light emitting diodes)

  • 박우정;정몽권;윤석규;윤대호
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제16권3호
    • /
    • pp.112-115
    • /
    • 2006
  • 본 연구에서는 장파장 UV 영역하에서 비교적 우수한 발광강도를 가지는 적색 형광체를 얻기 위하여 고상법으로 합성하여 발광특성을 관찰하였다. 발광 피크는 581, 587, 593nm의 약한 발광 peak과 611 nm의 최대 peak을 관찰 할 수 있는데 이들 중 581, 587, 593nm의 peak들은 $^5D_0{\rightarrow}^7F_1$로의 전자천이에 기인하는 발광 peak들이며, 611 nm의 최대 발광 peak과 630nm의 약한 peak은 $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$로의 전자 천이에 기인하는 발광 peak들이다. 또한 합성된 적색 형광체는 $310{\sim}390nm$의 broad한 흡수피크를 나타낸다. 또한 융제를 0.43mo1% $H_3BO_3$와 2.08mo1% $BaCl_2{\cdot}2H_2O$를 첨가한 입자 크기는 $700{\sim}800nm$로 매우 균일하게 성장되었다.

폐형광등 재활용 공정의 개선 연구 (A Study on Improvement of Recycling Process of Waste Fluorescent Lamps)

  • 이기헌;이동훈;송영준;김창권
    • 자원리싸이클링
    • /
    • 제29권3호
    • /
    • pp.61-74
    • /
    • 2020
  • 본 연구에서는 폐형광등 처리 공정의 경제성 확보를 위하여 수행되었으며, 폐형광등 유리의 글래스비드용 원료로서의 사용 가능성, 폐형광체 분말로부터 희토류의 침출, 희토류 침출액으로부터 희토류의 용매추출 가능성 등을 검토하였다. 폐형광체는 산화이트륨 28.9%, 산화세륨이 3.46%, 산화유로퓸 1.95%, 산화터븀 1.76%, 산화란탄 1.43% 순으로 함유되어 있어 회수 및 정제 시 경제성이 충분할 것으로 판단되었다. 폐형광등 유리를 사용하여 글래스비드를 시험 생산 한 결과 그 생산수율과 품질이 우수하여 폐형광등 유리를 글래스비드용 원료로 사용할 수 있을 것으로 판단되었다. 소다배소한 폐형광체를 수침출하면 알루미늄과 규소성분 및 잔류 탄산나트륨 등이 용해하며, 이 수용액에 탄산가스를 불어 넣어 pH를 7 정도로 떨어뜨리면 NaAl2(CO3)(OH)2와 SiO2 등이 침전하였다. 자이렌을 희석제로 사용하는 cyanex272-hydrochloric acid, cyanex272-sulfuric acid, D2EHPA-hydrochloric acid, D2EHPA-sulfuric acid, lonquest290-hydrochloric acid, lonquest290-sulfuric acid, p507-hydrochloric acid 조합의 용매추출에서 Y, Eu, Ce, La, Tb의 추출률이 100%에 가깝다. 그러나 동일 조건에서의 원소별 추출률의 차이, 즉 선택성은 16% 이하이다.

철심과 권선을 이용한 전류제한기에 적용시킨 안정화층이 다른 YBCO Coated Conductor의 전류제한 특성에 관한 연구 (The Study on the Current Limiting Characteristics of YBCO Coated Conductor with Different kinds of Stabilization Layer Applied to SFCL Using Iron Core and Coil)

  • 이동혁;두호익;김용진;한병성;임성우;한상철;이정필
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제23권10호
    • /
    • pp.788-792
    • /
    • 2010
  • The yttrium-barium-copper-oxide (YBCO) coated conductor, which supplement the fault of the existing superconducting current-limit materials YBCO thin film, bismuth-strontium-calcium-copper-oxide(BSCCO) wire and bulk, has been improved its mechanical weakness and has high index; hence, after quench YBCO coated conductor could limit the fault current effectively because of fast resistance occurrence speed. Furthermore, it has wide applicable area as an current limit material because it shows different resistance occurrence tendency by the thickness and kind of stabilization material sputtered on the superconducting layer. Therefore, many researchers are carrying out the study of application of YBCO coated conductor to superconducting fault current limiter (SFCL) for making high quality current limit element, based on resistance type. On the other hand, the study for other type except resistance type has been rarely conducted for the application of YBCO coated conductor to SFCL as an current limit element. Consequently, in this study, YBCO coated conductor with different stabilization layer Cu and Stainless steel, is applied to SFCL using iron core and coil, and examine the many index points as an current limit element, such as current limit characteristic, the tendency of resistance occurrence, response time, the temperature trend for stability.

금속 기판 위에 MOCVD법에 의한 YBCO Coated Conductor용 Y-Sm 산화물 완충층 증착 (Deposition of Y-Sm Oxide on Metallic Substrates for the YBCO Coated Conductor by MOCVD Method)

  • 최준규;김민우;전병혁;이희균;홍계원;김찬중
    • Progress in Superconductivity
    • /
    • 제7권1호
    • /
    • pp.69-76
    • /
    • 2005
  • Complex single buffer composed of yttrium and samarium oxide was deposited on the metallic substrates by MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method using single liquid source. Two different types of the substrates with in-plane textures of about $8{\sim}10$ degree of Ni and $3at.\%W-Ni$ alloy were used. Y(tmhd: 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptane dionate)$_3$:Sm(tmhd)$_3$ of liquid source was adjusted to 0.4:0.6 to minimize the lattice mismatch between the complex single buffer and the YBCO. The epitaxial growth of $(Y_{x}Sm_{1-x})_{2}O_3$ was achieved at the temperature higher than $500^{\circ}C$ in $O_2$ atmosphere. However, it was found that the formation of NiO accelerated with increasing deposition temperature. By supplying $H_{2}O$ vapor, this oxidation of the substrate could be suppressed throughout the deposition temperatures. We could get the epitaxial growth on pure Ni substrate without the formation of NiO. The competitive (222) and (400) growths were observed at the deposition temperatures of $650\~750^{\circ}C$, but the (400) growth became dominant above $800^{\circ}C$. The $(Y_{x}Sm_{1-x})_{2}O_3$-buffered metallic substrates can be used as the buffer for YBCO coated conductor.

  • PDF

액정분자 배향용 원스텝 브러시 코팅으로 유도된 이방성 TiSrYZrO 박막 (Anisotropic TiSrYZrO Thin Films Induced by One-step Brush Coating for Liquid Crystal Molecular Orientation)

  • 오병윤
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
    • /
    • 제17권3호
    • /
    • pp.146-154
    • /
    • 2024
  • 본 논문에서는 액정디스플레이 산업에서 러빙공정의 대안으로 브러시 모(brush hair)를 이용한 편리한 액정분자 정렬 방식을 제시합니다. 졸겔 공정을 이용해서 타이타늄 스트론튬 이트륨 지르코늄 산화물(TiSrYZrO) 용액을 제조하였고, 원스텝(one-step) 브러시 코팅 공정을 통해 TiSrYZrO 배향막 제조와 액정분자 배향을 통합하였다. 경화온도가 높아짐에 따라 액정 셀의 액정분자 정렬 상태가 향상되었고, 코팅 표면의 brush hair 움직임에 의한 전단 응력에 기인하는 물리적 표면 이방성 구조 형성으로 인해 균일한 액정분자 정렬을 유도하였다. 균일하고 균질한 액정분자 정렬은 편광 광학 현미경과 선경사 각 측정을 통해 확인하였다. X-선 광전자 분광법으로 열산화를 통해 금속산화물로 잘 형성된 TiSrYZrO 박막을 확인하였고, 우수한 광학 투명성이 있음을 검증하였다. 이러한 결과로부터 러빙공정의 대안으로 brush hair를 이용한 편리한 액정분자 정렬 방식이 실행 가능한 차세대 기술이 될 것이라고 기대된다.

제일 원리 사용 Y-doped SrTiO3 연료극 특성 이해 및 3d 전위 금속 치환에 의한 표면 반응성 제어

  • 함형철;김희수;김용민;윤창원;윤성필;한종희;남석우
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
    • /
    • pp.140-140
    • /
    • 2012
  • 최근에 고체산화물 연료전지(SOFC) 연료극 조건에서 우수한 상 안정성, 높은 혼합 전자/이온 전도도 및 황/탄소 저항성 때문에 yttrium-doped strontium titanium oxide (Y-doped SrTiO3)가 대체 연료극 재료로 주목을 받아 왔다. 그러나 Y-doped SrTiO3는 연료 산화에 대해서 기존의 Ni 계열 연료극보다 낮은 전기화학적 활성을 보이는 단점이 있다. 따라서, 효율적인 Y-doped SrTiO3 계열의 연료극 재료를 개발하기 위해서는 Y-doped SrTiO3의 연료극 특성 및 반응성의 이해가 필수적이다. 본 발표에서는 SOFC 연료극에서 수소 산화 반응성을 결정함에 있어 표면 산소 vacancy 형성 에너지의 역할에 대한 spin-polarized DFT (density functional theory) 결과를 발표할 예정이다. 표면 산소 vacancy 형성 에너지는 수소 산화 반응[H2+O (surface) ${\rightarrow}$ OH+OH ${\rightarrow}$ H2O+O (vacancy)]과 밀접한 관계가 있다는 것을 확인하였다. 또한 Y-doped SrTiO3의 표면을 3d-전이금속을(Sc, V, Cr, Fe, Co, Mn, Ni, Cu) 도핑함으로써 표면 산소 vacancy 형성 에너지를 제어할 수 있다는 것을 보였다.

  • PDF