Tanveer, Waqas Hassan;Ha, Seung Bum;Ji, Sanghoon;Cha, Suk Won
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2011.11a
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pp.84.2-84.2
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2011
In this research, two thin film deposition techniques, Atomic Layer Deposition and Sputtering are carried out for the fabrication of Yittria Stabilized Zirconia electrolyte for thin film Solid Oxide Fuel Cell. Zirconium to Yittrium ratio for both cases is about 1/8. Scanning Electron Microscope(SEM) image shows that the growth rate per hour for Atomic Layer Deposition is faster than for sputtering. X-ray Photo-electron Spectroscopy(XPS) shows that the peaks of both Zirconia and Yittria shift towards higher bending energy for the case of Atomic Layer deposition and thus are more strongly attached to the substrate. Later, Nyquist plot was used to compare the conductivity of Yittria Stabilized Electrolyte for both cases. The conductivity at $300^{\circ}C$ for Atomic Layer Deposited Yittria Stabilized Zirconia is found to be $5{\times}10^{-4}S/cm$ while that for sputtered Yittria Stabilized Zirconia is $2{\times}10^{-5}S/cm$ at the same temperature. The reason for better performance for Atomic Layered YSZ is believed to be the Nano-structured layer fabrication that aids in along the plane conduction as compared to the columnarly structured Sputtered YSZ.
Recently, thin film processes for oxides and metal deposition, such as physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD), have been widely adapted to fabricate solid oxide fuel cells (SOFCs). In this paper, we presented two research area of the use of such techniques. Gadolinium doped ceria (GDC) showed high ionic conductivity and could guarantee operation at low temperature. But the electron conductivity at low oxygen partial pressure and the weak mechanical property have been significant problems. To solve these issues, we coated GDC electrolyte with a nano scale yittria-doped stabilized zirconium (YSZ) layer via atomic layer deposition (ALD). We expected that the thin YSZ layer could have functions of electron blocking and preventing ceria from the reduction atmosphere. Yittria-doped barium zirconium (BYZ) has several orders higher proton conductivity than oxide ion conductor as YSZ and also has relatively high chemical stability. The fabrication processes of BYZ is very sophisticated, especially the synthesis of thin-film BYZ. We discussed the detailed fabrication processes of BYZ as well as the deposition of electrode. This paper discusses possible cell structure and process flow to accommodate such films.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.445-445
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2008
The behavior of ion trapping and migration in the yittria-stabilized zirconia pellets following high dose ion beam irradiation have been studied using SEM, EDX, and TGA. The ion beam was irradiated at room and higher temperatures and the differences in their results were interpreted in terms of dynamic annealing effects. The SRIM calculation was also performed to explain the cross sectional SEM image of the electrolytes.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.446-446
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2008
The effects of proton beam irradiation on the yittria-stabilized zirconia (YSZ) pellets have been investigated using SEM, EDX and TGA. 130 keV proton beam was irradiated on YSZ with high doses and annealed at various temperatures. The ion conductivity was also measured as a function of proton irradiation temperature and annealing temperature and the results were compared with their corresponding SEM images and the results of SRIM calculations.
Joining Yittria Stabilized Zirconia (YSZ) to NiCr metal was fabricated using YSZ/NiCr Functionally Graded Materials (FGM) Interlayer by hot pressing process. Microscopic observations demonstrate that the composition and microstructure of YSZ/NiCr FGM distribute gradually in stepwise way, eliminating the macroscopic ceramic/metal interface such as that in traditional ceramic/metal joint. The thermal characteristics of this YSZ/FGM/NiCr joint were studied by thermal shock testing and therml barrier testing. Thermal shock test was conducted by gas burner rig. Acoustic Emission (AE) monitoring was performed to analyze the microfracture behavior during the thermal shock test. It could be confirmed that FGM was the excellent performance of thermal shock/barrier resistance at above $1000^{\circ}C$.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.11
no.10
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pp.842-848
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1998
The stability of paraseodymium-based zinc oxide varistor consisting of Zn-Pr-Co-Cr-Y oxide was investigated according to yttria additives under different stress conditons, such as 0.8V\ulcorner\ulcorner/373K/12h and 0.85V\ulcorner\ulcorner/393K/12h. Wholly, all varistor after the stress showed nearly symmetric and stable I-V characteristics. Particularly, in the case of 2.0mol% and 4.0mol% yttria-added varistor showing a good I-V characteristics, the varation rate of varistor voltage were less 1% and that of nonlinear coefficient were about degree of 5%, and what is remarkable, leakage current with increasing stress time during the applied stress was almost constant. It the light of these facts, it is estimated that varistor constituents having 2.0mol% and 4.0mol% yittria, respectively, will be utilized to various application fields.
Lee, Han Sol;Kim, Sung Hyun;Kim, Sun Dong;Woo, Sang Kuk;Chung, Woon Jin
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.56
no.2
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pp.173-177
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2019
Thermal properties of a SiO2-B2O3-BaO ternary glass system depending on compositional change of BaO have been examined to find a proper sealing material for reversible oxide cells. Glass transition temperature and thermal expansion coefficients increased simultaneously up to 55 mol% of BaO content. The structural role of BaO with regard to the thermal properties has been discussed on the basis of Raman spectroscopy results. Flowability of the glass at sealing temperature has been examined with packed glass powders of 12 mm diameter along with a high temperature optical microscope. The practical sealing property of the glass was also examined with YSZ coated with NiO-yittria stabilized zirconia (NiO-YSZ) and it showed good adhesion without noticeable reaction with NiO-YSZ layer.
Two kinds of new NOx sensing mechanism was proposed and examined. One of those was potentiomtric sensor based on the measurement of decomposed oxygen from NO using YSZ porous diffusion barrier and Pd catalytic electrode. The sensor based on decomposed oxygen measurement responded to the range of 300 - 1000 ppm NO in $N_{2}$ environment and the sensitivities were coincident with theoretical values at 700 and $800^{\circ}C$ but the decomposition rate depended on gas flow rate. The other sensor was equilibrium potentiometric type using $Gd_{2}O_{3}$-nitrates solid solution as sensing material. The sensor using $Gd_{2}O_{3}$-nitrates solid solution was suitable for NOxxsensing at $700^{\circ}C$ in 5 % oxygen and the sensitivity was 19.3 mV/decade. However, long term stability of the sensing material at high temperature was not sufficient.
Park, Yong-Ki;Kim, In-Seon;Ha, Dong-Han;Hwang, Doo-Sup;Huh, Yun-Sung;Park, Jong-Chul
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.29
no.5
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pp.430-436
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1996
We have grown superconducting thin films on various substrates using a pulsed laser deposition (PLD) method. $YBa_2Cu_3O_7-\delta$ (YBCO) superconducting thin films with the superconducting transition temperature ($T_{c. offset}$) of 87K were grown on Si substrates using yittria-stabilized zirconia (YSZ) and $CeO_2$ double buffer layers. We have developed a large area pulsed laser deposition system. The system was designed to deposit up to 6 different materials on a large area substrate up to 7.5cm in diameter without breaking a vacuum. The preliminary runs of the deposition of YBCO superconducting thin films on $SrTiO_3$ substrate using this system showed a very uniform thickness profile over the entire substrate holder area. $T_{c}$ of the deposited YBCO thin film, however, was scattered depending on the position and the highest value was 85K.
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