• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
• /
• pp.220-223
• /
• 2005

We studied the effect of composition, processing, and sintering temperature on the microwave properties of $Mg_{3-x}Co_x(VO_4)_2$ system which is applicable to LTCC. When $Mg_{3-x}Co_x(VO_4)_2$ was fabricated by solid-state reaction process and sintered at the temperature range of $800\sim910^{\circ}C$, it was found that the optimum composition of x was 2 at which microwave properties of 910$^{\circ}C$-sintered one were as follows: $Q\times f_0\sim55,200GHz$ and $\varepsilon_r\sim10$. When $(MgCo_2)(VO_4)_2$ was fabricated by sol-gel process and sintered at 800$^{\circ}C$, $Q\timesf_0$was 34,400GHz which is much high compared to those fabricated by solid-state reaction process at the same sintering temperature.

• Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
• /
• 제15권17호
• /
• pp.7297-7301
• /
• 2014

Objective: To explore the radiosensitization effect of overexpression of silent information regulator 6 (SIRT6) on A549 non-small cell lung cancer (NSCLC) cells. Methods: Adenovirus vector Ad-SIRT6 causing overexpression of SIRT6 was established. Western blotting and MTT assay were adopted to detect the level of SIRT6 protein and the inhibitory rate of A549 cell proliferation after different concentrations of adenovirus transduction (0, 25, 100, 200, and 400 pfu/cell) for 24 h. Control group, Ad-null group and Ad-SIRT6 group were designed in this experiment and virus concentration of the latter two groups was 200 pfu/cell. Colony formation assays were employed to test survival fraction (SF) of the 3 groups after 0, 2, 4, 6, 8, 10 X-ray irradiation. Flow cytometry was used to detect the status of cell cycle of 3 groups after 48 h of 4Gy X-ray irradiation and Western blotting was used to determine the expression of apoptosis-related genes of 3 groups after 48 h of 4GyX-ray irradiation. Results: In the range of 25~400 pfu/cell, the inhibitory rate of A549 cell proliferation increased as adenovirus concentration raised. The inhibitory rates under the concentrations of 0, 25, 100, 200, and 400 pfu/cell were 0%, $4.23{\pm}0.34%$, $12.7{\pm}2.57%$, $22.6{\pm}3.38%$, $32.2{\pm}3.22%$, $38.7{\pm}4.09%$ and $47.8{\pm}5.58%$ and there were significantly differences among groups (P<0.05). SF in Ad-SIRT6 group was lower than Ad-null and control groups after 4~10Gy X-ray irradiation (P<0.05) and the sensitization enhancement ratio (SER) was 1.35 when compared with control group. Moreover, after 48 h of 4Gy X-ray irradiation, there appeared a significant increase in G1-phase cell proportion, upregulated expression of the level of apoptosis-promoting genes (Bax and Cleaved caspase-3), but a obvious decline in S-phase and G2-phase cell proportion and a significant decrease of the level of apoptosis-inhibiting gene (Bal-2) in the Ad-SIRT6 group (P<0.05). Conclusion: The over-expression of adenovirus-mediated SIRT6, which has radiosensitization effect on A549 cells of NSCLC, can inhibit the proliferation of A549 cells and cause G0/G1 phase retardation as well as induce apoptosis of cells.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
• /
• pp.33.1-33.1
• /
• 2009

Lead-free (1-x)$(Na_{0.5}K_{0.5})NbO_3$-xBa($Ti_{0.9}Sn_{0.1})O_3$ [NKN-BTS-100x] ceramics doped with 1 mol% $MnO_2$ have been prepared by the conventional solid state method and their structural and piezoelectric properties were investigated. The NKN-BTS-100x ceramics exhibited a dense and homogeneous microstructure when they were sintered at $1030-1150^{\circ}C$. Grain growth was observed for the specimen sintered at relatively low temperature of $1050^{\circ}C$. A tetragonal/orthorhombic morphotropic phase boundary (MPB) in the perovskite structure was also appeared for the NKN-BTS-100x ceramics (0.04$1050^{\circ}C$. The enhanced piezoelectric properties in the NKN-BTS ceramics with a MPB composition were obtained. Especially, for the NKN-BTS-6 ceramics, a high dielectric constant (${\varepsilon}^T_3/\varepsilon_0=1,400$), piezoelectric constant ($d_{33}=237$) and electromechanical coupling factor ($k_p=0.42$) were obtained.

• 한국진공학회지
• /
• 제11권2호
• /
• pp.97-102
• /
• 2002

유기금속화학기상증착방법 (metal-organic chemical vapor deposition : MOCVD)을 이용하여 실리콘 (100) 기판위엔 ZnO막을 증착하였다. 공정온도 ($250^{\circ}C$~$400^{\circ}C$)와 Ar과 $O_2$가스의 유량 비 변화에 따른 ZnO막의 특성변화를 조사하였다. 막의 결정성은 공정온도가 증가함에 따라 향상되었으며 $400^{\circ}C$에서 $0.4^{\circ}$의 반치폭(full width at half maximum : FWHM)을 얻었다. 공정온도 변화에 따른 표면 평활도(surface smoothness)변화는 결정성과 반대의 경향성을 보였다.

• 한국진공학회지
• /
• 제12권4호
• /
• pp.251-256
• /
• 2003

분자선에피탁시법을 이용하여 InP(001) 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도 (370-$430 ^{\circ}C$)의 효과를 Normalski 현미경, 원자력현미경 (AFM), 광발광 (PL), 이중결정 x-선 회절법 (DCXRD)을 사용하여 분석하였다. InAlAs 에피층의 표면형상, 구조적, 광학적 특성은 370-$400^{\circ}C$에서 성장한 시료에서는 성장온도의 증가로 향상되지만, $430 ^{\circ}C$로 성장한 시료에서는 특성이 나빠졌다. 결과적으로 $400 ^{\circ}C$로 성장한 InAlAs 에피층의 특성이 가장 우수하였다.

• 한국진공학회지
• /
• 제22권5호
• /
• pp.245-249
• /
• 2013

MOSFET 구조의 차세대 Oxide 박막으로 주목받고 있는 $HfO_X$박막을 rf magnetron sputter를 이용하여 Si(100) 기판 위에 증착하였다. 증착시 산소의 유량을 5, 10, 15 sccm으로 변화를 주며 증착하였고 이후 furnace에서 400부터 $800^{\circ}C$까지 질소분위기로 열처리 하였다. 실험결과 $HfO_X$ 박막의 전기적 특성은 산소유량 증가에 따라 누설전류 특성이 향상되었으나, 열처리 온도가 증가함에 따라서는 감소하였다. 특히, 이 논문에서는 Nano-indenter와 AFM으로 $HfO_X$ 박막의 nanomechanics 특성을 측정하였다. 측정 결과에 의하면 열처리 온도가 증가함에 따라 최대 압입력을 기준으로 최대 압입 깊이가 24.9 nm에서 38.8 nm로 증가하였으며 특히 $800^{\circ}C$ 열처리된 박막에서 압입 깊이가 급격하게 증가하였다. 이러한 압입 깊이의 급격한 증가는 박막내 응력 완화에 의한 스트레스 변화로 예상되며, 그 원인으로 증착시 박막내 포함된 산소가 열처리 조건에 의해 빠져나감에 의한 것으로 판단된다.

• 청정기술
• /
• 제25권1호
• /
• pp.74-80
• /
• 2019

하수슬러지의 열화학적 처리는 수분을 제거하여 연료로 사용되는 하수슬러지의 수분 함량을 낮추어 주는 기술이다. 열화학적 처리된 하수슬러지는 열량이 높아지기 때문에 에너지 집약적 과정이라고 할 수 있다. 이러한 공정 중에 소비되는 에너지를 절약하기 위해 하수슬러지의 수열 탄화 공정을 사용하였다. 수열탄화 공정은 하수슬러지를 사전 건조 없이 깨끗한 고체연료로 전환할 수 있다. 본 연구는 수열탄화 하수슬러지와 미분탄 연소 시스템의 혼소 특성을 조사하는 것을 목적으로 한다. 혼소 시 생성되는 유해물질 및 연소 효율의 변화를 측정하는 것을 목적으로 한다. 본 연구에 사용 된 연소 시스템은 $80kW_{th}$급 연소로로서 1기의 선회류 버너가 장착되어 있다. 두 가지의 석탄을 주 연료로 사용하였고, 하수슬러지의 혼소율은 열량 기준 0% ~ 10%까지 진행하였다. 실험 결과 $NO_x$는 400 ~ 600 ppm, $SO_x$는 600 ~ 700 ppm 사이를 유지하였고, CO는 100 ppm 전후로 일정하게 유지되어 안정적인 연소를 확인할 수 있었다. 하수슬러지를 혼소할 경우, 혼소율이 증가할수록 $NO_x$와 $SO_x$의 배출량도 증가하였으나 그 편차가 크지 않았다. 연소 배가스에 포함된 오염 물질 배출은 혼소 비율 보다 주 연료인 석탄의 조성에 의해 크게 영향을 받는 것으로 밝혀졌다.

• 한국진공학회지
• /
• 제4권S1호
• /
• pp.178-184
• /
• 1995

SiO2 위에 as-dep. 비정질 Si1-xGex 합금박막을 증착하기 위하여 Si2H6 와 GeH4 가스를 사용한 저압 화학 기상증착(LPCVD)에 관하여 연구하였다. 증착온도는 $400-500^{\circ}C$였으며, 공정압력은 0.5-1Torr 였다. 박막내의 Ge 함량은 온도 및 증착가스의 유량이 일정하면 공정압력이 증가함에 따라 증가하였고, 공정압력 및 증착가스의 유량이 일정하면 증착온도에 관계없이 일정하였다. 일정한 Si2H6가스의 표면반응은 박막내의 Ge 원자에 의해 촉진됨을 알 수 있었다. 조성이 일정한 Si1-xGex 박막의 증착속도는 증착온도 증가에 따라 Arrhenius 형태로 증가하여, Si, Si0.84Ge0.16,Si0.69Ge0.31박막증착의 활성화에너지는 각각 1.5, 1.13, 1 eV로서 박막내의 Ge함량이 증가함에 따라 활성화 에너지는 감소하였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
• /
• 한국정밀공학회 2003년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.705-708
• /
• 2003

To observe a hydrated biological specimen, an environmental chamber was necessary to keep the specimen in a wet state under vacuum surroundings. The specimen holder is as follows designed consequently. The specimen holder consisted of two Si wafers, the centers of which were Si$_3$N$_4$(100nm thickness) windows of a 0.3mm square. The windows were made by a photo-lithographic method. The transmission of a window at 400eV is about 70%. A hydrated biological specimen was put between the two windows. When the chamber was closed, two wafers were contact at the metal mesh by the pressure of O-rings, and the specimen holder moved by the three micrometers.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보과학회 2006년도 한국컴퓨터종합학술대회 논문집 Vol.33 No.1 (C)
• /
• pp.322-324
• /
• 2006

네트워크의 발달과 분산처리 시스템의 확산에 따라 정보의 노출이나 손실 및 변경과 같은 보안상의 문제들이 크게 증가하고 있다. 따라서 메시지처리와 보안에 대한 많은 연구가 진행 중에 있으며 X.400 메시지처리시스템과 메시지 보안 프로토콜이 대표적인 예이다. 하지만 메시지 보안 프로토콜은 X.509 공개키 기반구조를 사용하고 있어 인증단계가 복잡하다는 단점이 있다. 이에 본 논문은 기존 X.509 공개키 기반구조를 보다 단순화시켜 유연하게 지원하기 위해 SPKI/SDSI기반구조의 SPKI/SDSI인증형식을 갖춘 인증서를 정의하여 X.509 인증구조보다 간소화한 메시지 보안 프로토콜을 설계 및 구현하였다.