• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권6호
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• pp.1-6
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• 2011

투명 산화물 반도체 (Transparent Oxide-TFT)를 활성층과 소스/드레인, 게이트 전극층으로 동시에 사용한 비결정 indium zinc oxide (a-IZO), 절연층으로 co-sputtered $HfO_2-Al_2O_3$ (HfAIO)을 적용하여 실온에서 RF-magnetron 스퍼터 공정에 의해 제작하였다. TFT의 게이트 절연막으로써 $HfO_2$ 는 그 높은 유전상수( > 20)에도 불구하고 미세결정구조와 작은 에너지 밴드갭 (5.31eV) 으로 부터 기인한 거친계면특성, 높은 누설전류의 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는, 어떠한 추가적인 열처리 공정 없이 co-sputtering에 의해 $HfO_2$와 $Al_2O_3$를 동시에 증착함으로써 구조적, 전기적 특성이 TFT 의 절연막으로 더욱 적합하게 향상되어진 $HfO_2$ 박막의 변화를 x-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and spectroscopic ellipsometer (SE)를 통해 분석하였다. XRD 분석은 기존 $HfO_2$ 의 미세결정 구조가 $Al_2O_3$와의 co-sputter에 의해 비결정 구조로 변한 것을 확인 시켜 주었고, AFM 분석을 통해 $HfO_2$ 의 표면 거칠기를 비교할 수 있는 RMS 값이 2.979 nm 인 것에 반해 HfAIO의 경우 0.490 nm로 향상된 것을 확인하였다. 또한 SE 분석을 통해 $HfO_2$ 의 에너지 밴드 갭 5.17 eV 이 HfAIO 의 에너지 밴드 갭 5.42 eV 로 향상 되어진 것을 알 수 있었다. 자유 전자 농도와 그에 따른 비저항도를 적절하게 조절한 활성층/전극층 으로써의 IZO 물질과 게이트 절연층으로써 co-sputtered HfAIO를 적용하여 제작한 Oxide-TFT 의 전기적 특성은 이동도 $10cm^2/V{\cdot}s$이상, 문턱전압 2 V 이하, 전류점멸비 $10^5$ 이상, 최대 전류량 2 mA 이상을 보여주었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제25권5호
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• pp.173-181
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• 2015

A stoichiometric mixture of evaporating materials for $BaIn_2S_4$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $BaIn_2S_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $620^{\circ}C$ and $420^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $BaIn_2S_4$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $6.13{\times}10^{17}cm^{-3}$ and $222cm^2/v{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $BaIn_2S_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=3.0581eV-(3.9511{\times}10^{-3}eV/K)T^2/(T+536K)$. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $BaIn_2S_4$ have been estimated to be 182.7 meV and 42.6 meV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_5$ states of the valence band of the $BaIn_2S_4/GaAs$ epilayer. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_1$-, $B_1$-exciton for n = 1 and $C_{24}$-exciton peaks for n = 24.

• Radiation Oncology Journal
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• 제9권1호
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• pp.131-141
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• 1991

국내에서 처음으로 사용되는 CLINAC 1800에서 발생된 15MV X-선의 특성을 구하기 위하여 3 Dimensional water Phantom Dosimetry system)를 이용하여 방사선 치료에 근간이 되는 심부선량 백분율(POD), 최대 조직 비율(TMR), 편평도(beam profile), 대칭도, Wedge인자 등을 측정하였고 선량계산을 위하여 출력 인자들을 구하였다. 1. 선축상 최대치 지점(Dmax)은 SSD 100cm일때 조사면이 $10\times10cm^2$에서 $3.0\pm0.1$ cm이였고 $4\times4cm^2,\;35\times35cm^2$에서 각각 $3.1\pm0.1\;cm,2.2\pm0.1$ cm으로 조사면이 넓어지면서 측정치가 표면에 가까워지는 결과를 보였다. 2. 조직표면 선량(Surface Dose)는 SSD 100cm일때 조사면이 $10\times10cm^2$에서 $15.5\%$이였고 $4\times4cm^2,\;35\times35cm^2$에서 각각 $9.8\%\;,51.2\%$로 조사면이 넓어지면서 표면 선량은 증가하는 결과를 보였다. 3. 심부선량 백분율(PDO)은 SSD 100cm에서 측정하였고 조사면이 $10\times10cm^2$이고 10cm depth에서 $76.8\%$이였고 $80\%,\;50\%$ 선량의 깊이는 각각 $9.1\pm0.1\;cm,19.9\pm0.2\;cm$으로 측정되었다. 4. 최대조직비율(TMR)은 심부선량 백분율(PDD)로부터 계산하였고 측정값과의 차이는 $10\times10cm^2$ 조사면에서 평균 $1\;%$ 이내의 오차를 보였다. 5. 대칭도(symmetry)와 편평도(flatness)는 조사면 $10\times10cm^2$일때 각각 $0.73\%,\;2.72\%$이였다. 6. 출력인자(output factor)는 $10\times10cm^2$ 기준 조사면에서 흡수선량을 1로 하였을때 $4\times4cm^2,\;35\times35cm^2$ 조사면에서는 각각 0.927, 1.087로 측정되었는데 조사면이 증가할수록 흡수량이 증가하는 결과를 보였다. 7. Wedge factor는 $15^{\circ}\;30^{\circ}\;45^{\circ}\;60^{\circ}$를 10cm깊이에서 측정하였는데 0.825, 0.099, 0.560, 0.457로 각각 측정되었고 아크릴 0.4 mm Tray의 투과율은 0.976이였다. 8. 15 MV X-선에 의한 납벽층의 반가층 두께는 13 mm였고 Cerrobend의 반가층은 15.5 mm으로 측정되었다.

• Radiation Oncology Journal
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• 제19권3호
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• pp.287-292
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• 2001

목적 : 본 연구에서는 골반부위 방사선치료 환자중 직장암 환자에서 고정기구로 사용한 air-vacuum cushion의 조사면의 변화에 따른 고정기구의 유용성을 후향적으로 분석하였다. 대상 및 방법 : 충남대학교병원 치료방사선과에서 1998년 8월부터 1999년 8월까지 직장암으로 방사선치료를 받은 20명의 환자를 대상으로 하였다. 환자들은 모두 복와위 자세로 치료를 받았고 대조군 10명과 실험군 10명으로 각각 나누어서 연구를 실행하였다. 전체 치료과정중 EPID를 이용하여 후면조사면은 x축(right-left), y축(cranio-caudal)에 대한 영상을 얻었고, 측면조사면은 z축(anterior-posterior), y축(cranio-caudal)에 대한 영상을 얻었다. 전체 치료과정 중 얻은 영상들을 모의치료시 촬영한 기준필름과 matching 기법을 이용하여 오차를 측정하였다. 통계적 유의성 확인은 t-검정법을 사용하였다. 결과 : 대조군에서 10명 환자의 후면 조사영역의 경우 x축, y축에 대한 평균이동값은 각각 0.02 mm, 0.78 mm이었고 계통오차과 우연오차의 표준편차값은 각각 2.13 mm, 2.40 mm와 1.46 mm, 1.51 mm이었다. 측면조사면에서 z축, y축에 대한 평균이동값은 각각 2.96 mm, 0.47 mm이었고 계통오차와 우연오차의 표준편차는 각각 3.69 mm, 1.96 mm와 2.79 mm, 1.48 mm이었다. 실험군 10명 환자의 후면 조사면에서 x축, y축에 대한 평균이동값은 각각 -0.33 mm, 0.81 mm이었고 계통오차과 우연오차에 대한 표준편차는 각각 1.71 mm, 3.08 mm와 1.40 mm, 1.88 mm이었다. 측면조사면에서 z축, y축에 대한 평균이동값은 각각 2.98 mm, 0.74 mm이었고 계통오차과 우연오차에 대한 표준편차는 각각 4.75 mm, 2.65 mm와 2.69 mm, 1.86 mm이었다. 본 연구에서는 대조군과 실험군간의 조사면에 대한 평균 이동값과 우연오차는 거의 일치하였으나 계통오차는 실험군에서 다소 큰 경향을 보였다. 후면조사면과 측면조사면에서 air-vacuum cushion에 의한 조사면 변화의 통계적 유의성이 없었다. 결론 : 직장암 환자의 방사선 치료시 고정기구로 사용한 air-vacuum cushion의 사용이 방사선치료의 정확도에 이익을 주지 않는 것으로 생각된다.

• Tuberculosis and Respiratory Diseases
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• 제44권2호
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• pp.241-250
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• 1997

목 적 : 결핵에 대한 국가결핵관리사업이 시작된 이후 결핵의 점차적으로 감소하고 있기는 하나 최근에 다제내성균결핵환자가 심각할 정도로 증가하고 있다. 다제내성균결핵은 기존의 항결핵제에 잘 반응하지 경향이 있으며 이는 낮은 치료순응도, 2차약제의 높은 부작용 그리고 사용할 수 있는 약제의 수가 많지않은 때문으로 생각된다. 본 연구의 목적은 일개 국립결핵병원에서 입원치료중인 결핵환자의 임상양태를 살펴보고 기존의 결핵치료의 문제점을 파악하여 궁극적으로 다제내성균결핵을 포함한 결핵의 치료효율을 개선시키고자 함이다. 방 법 : 1995년 12월 30일을 기준시점으로 국립마산결핵병원에 임원한 환자 336명을 대상으로 성별 및 나이, 처음결핵을 발견하게된 계기, 가족력, 환자의 생활근거지의 지역별 분포, 과거결핵치료력 등의 역학적 조사와 입원 당시의 주증상, 흉부 X-선 사진상의 병소별 분포, 동반질환 그리고 결핵치료중에 발생한 부작용등 임상양태에 대한 조사와 입원전 사용한 약제별 분류와 약제감수성검사의 결과 등에 대해 descriptive cross-sectional study를 시행하였다. 결 과 : 연령별 분포는 20대에서 50대까지 고른 분포를 보였으며 성별로는 남자가 269예로 압도적으로 많았다. 발견계기별 분포는 보건소가 64.6%로 가장 높았다. 입원당시 주증상으로는 체중감소가 가장 흔했으며 다음으로는 기침, 호흡곤란 등의 순서였다. 흉부 X-선 사진상 병소별 분포는 양측성 병소를 가진 예가 201예로 가장 많았다. 동반질환을 가진 경우가 130예 였는데 그 중 당뇨가 49예로 가장 많았으며 다음으로는 간질환, 정신질환 등의 순서였다. 95예에서 가족력이 있었는데 부모가 결핵을 앓았던 경우가 40예로 가장 많았으며 다음으로는 형제, 부부 등의 순서였다. 결핵을 처음 진단받은 시기별 분포에서 1980년 이전은 31예 였으나 이후 최근으로 오면서 약간씩 증가하는 추세였다. 지역별 분포로는 부산, 경남지역이 압도적으로 많았다. 과거치료력을 가진 258예중 1회의 치료력을 가진 경우는 86예, 2회가 60예 그리고 3회이상이 112예 였다. 과거치료력을 가진 환자의 약제순응도별 분포는 133예만이 규칙적으로 복약하였다. 입원전 사용한 약제별 분포는 INH, EMB, RFP, PZA 등을 사용한 경우가 82예, INH, EMB, RFP 등을 사용한 경우가 50예 였으며 INH, EMB, RFP, PZA 이외 1가지 약제를 더 사용한 경우는 20예, 3가지 이상의 약제를 더 사용한 경우는 97예 였다. 154예를 대상으로 약제감수성검사를 한 결과 5제 이상 내성이 생긴 경우가 77예 였다. 치료도중 발생한 부작용으로는 위장장애가 58예로 가장 많았으며 다음으로는 피부발진 및 소양감 그리고 관절통 등의 순서였다. 결 론 : 원인 모를 체중감소가 있을 때에는 결핵을 의심해 볼 수 있을 것으로 생각된다. 결핵을 치료할 때 환자에게 결핵의 치료과정에 대해 충분한 설명을 해 줌으로 치료의 순응도를 높일 수 있을 것으로 생각된다. 초치료시 균음전화시기가 늦다든지, 여러가지 상황으로 치료에 실패 할 가능성이 높다든지 환자의 여건상 지속적인 항결핵제 투여가 어렵다고 생각될 때는 수술요법이 고려되어야 할 것으로 생각된다. 초치료실패후 재치료약제를 선택할 때는 이전에 사용한 초치료약제와 혼용처방이 되지않도록 주의해야 할 것으로 생각된다.

• 센서학회지
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• 제11권5호
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• pp.309-318
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• 2002

수평 전기로에서 $CdIn_2S_4$ 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 $CdIn_2S_4$ 단결정 박막을 반절연성 GaAs (100)기판에 성장시켰다. $CdIn_2S_4$ 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 $630^{\circ}C$, 기판의 온도 $420^{\circ}C$였고 성장 속도는 $0.5\;{\mu}m/hr$였다. $CdIn_2S_4$ 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10 K에서 광발광(photoluminescence) 스펙트럼이 463.9 nm (2.6726 eV)에서 exciton emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중 결정 X-선 요동 곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 127 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 $9.01{\times}10^{16}/cm^3$, $219\;cm^2/V{\cdot}s$였다. $CdIn_2S_4$/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap $E_g(T)$는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 $2.7116eV-(7.74{\times}10^{-4}eV/K)T^2$/(T+434K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting ${\Delta}cr$값이 0.1291 eV이며 spin-orbit ${\Delta}so$값은 0.0248 eV임을 확인하였다. 10K일 때 광전류 봉우리들은 n = 1일때 $A_1$-, $B_1$-와 $C_1$-exciton 봉우리임을 알았다.

• 대한디지털의료영상학회논문지
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• 제9권1호
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• pp.37-43
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• 2007

I. 목적 : 본 연구에서는 복부의 이상적 영상 구현을 위한 Film Screen (F.S) System과 Computed Radiography(C.R) System의 촬영조건의 차이를 비교 분석해 보고, C.R system에서 촬영조건 변화에 따른 영상의 특성을 분석함으로써, C.R 환경에서 촬영조건 설정의 중요성을 살펴보고자 한다. II. 대상 및 방법 : F.S system에서 촬영 조건을 70kVp로 고정시키고, mAs를 단계적으로 변화시켜 복부 단순겸사를 시행하여 영상을 획득한 후, 진단방사선과 전문의와 방사선사로 구성된 영상평가 팀의 정량적, 정성적 분석을 통하여 F.S system 최적의 영상을 선정하였다. 동일 환자를 대상으로 C.R system 에서 위와 동일한 방법으로 영상을 획득한 후, F.S system과 C.R system의 영상의 특성곡선(Characteristic Curves)을 비교분석하고, C.R system에서 촬영조건 변화에 따른 복부 장기의 농도변화 및 영상의 특정을 비교 평가하였다. 마지막으로, F.S system과 C.R system의 최적의 영상 획득을 위한 촬영조건의 차이를 비교 분석하고, C.R 환경에서 촬영조건의 중요성을 살펴보았다. III. 결과 : F.S system에서 영상평가팀의 평가를 통하여 선택된 최적 영상의 촬영 조건은 70kVp, 20mAs로 나타났다. C.R system에서는 촬영조건 12mAs, 70kVp에서 복벽과 직접노출구역의 농도 차이가 최대인, 진단적 가치가 높은 영상을 얻을 수 있었다. C.R system에서는 (70kVp로 고정)변화한 mAs량(3.2mAs, 8mAs, 12mAs, 16mAs, 20mAs)에 상관없이 복부 장기는 거의 통일한 농도를 나타냈으며 12mAs 기준으로 노출 조건의 감소 또는 증가에 따라서 복벽과 직접노출부분의 명확한 구분이 불가능하였으며, mAs량이 낮아질수록 양자반점(Quantum Mottle)으로 인한 artifact는 증가함을 볼 수 있었다. IV. 결론 : 위의 실험 결과 본원 system의 복부단순검사에서는 C.R system 사용 시 F.S system 보다 촬영 조건을 약 40% 감소시킬 수 있었다. C.R환경에서 x-ray장치 Image processing 장치, 자동 감도조절(EDR : exposure data recognition processing) 장치, PACS 등 사용하는 장비들의 특성을 분석하여 적정 노출조건을 재설정한다면, 최소의 피폭선량으로 최대의 영상정보를 지닌 진단적 가치가 높은 영상의 획득이 가능하다고 사료된다.

• 한국자기학회지
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• 제17권2호
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• pp.81-85
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• 2007

분자선 증착법을 이용하여 MnTe 박막을 Si(100):B 및 Si(111) 기판 위에 성장시켰다. 두개의 K-cell을 사용하여 기판온도 $400^{\circ}C$ 및 Te가 풍부한 조건에서 MnTe 합성이 잘 이루어졌다. 이 경우 증착속도는 $1.1 {\AA}/s$이었고 성장된 층의 두께는 $700{\AA}$ 정도이었다. 합성된 MnTe 박막들에 대하여 X선회절, 초전도 양자 간섭계, Physical Property Measurement System, 홀효과 측정 등을 사용하여 그 구조적, 자기적, 전기적 특성들을 조사하였다. X선회절 측정 결과 Si(100) : B및 Si(111)기판 위에 성장된 MnTe는 다결정성의 hexagonal 구조를 나타내었으며, 자기적, 전기적 특성 측정 결과 분말형태의 MnTe와 비교하여 매우 다른 특성을 나타내었다. Zero-field-cooling(ZFC) 및 field-cooling(FC) 조건에서 취해진 자화율 측정에서 다결정 박막은 21 K, 49K, 210K 근처에서 자기적 전이 현상을 보였으며, ZFC와 FC 자화율 사이의 큰 불가역성이 나타났다. MnTe박막의 5K와 300K에서의 자기이력곡선은 강자성 상태를 나타내었으며 잔류자화값과 보자력은 5 K에서 $M_R= 3.5emu/cm^3$와 $H_c=55Oe$를, 300 K에서 $M_R= 2.1emu/cm^3$와 $H_c=44Oe$로 나타났다. 전기수송 특성 측정 결과, 온도에 따른 비저항은 저온에서 Mott variable range hopping 전도특성을 나타내는 전형적인 반도체 성질을 보여주었다.

• 한국표면공학회지
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• 제41권5호
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• pp.226-231
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• 2008

Titanium and its alloy have been widely used in dental implant and orthopedic prostheses. Electrochemical characteristics of dental implant in the various simulated body fluids have been researched by using electrochemical methods. Ti-6Al-4V alloy implant was used for corrosion test in 0.9% NaCl, artificial saliva and simulated body fluids. The surface morphology was observed using scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive x-ray spectroscopy (EDX). The electrochemical stability was investigated using potentiosat (EG&G Co, 263A). The corrosion surface was observed using scanning electron microscopy (SEM). From the results of potentiodynamic test in various solution, the current density of implant tested in SBF and AS solution was lower than that of implant tested in 0.9% NaCl solution. From the results of passive film stability test, the variation of current density at constant 250 mV showed the consistent with time in the case of implant tested in SBF and AS solution, whereas, the current density at constant 250mV in the case of implant tested in 0.9% NaCl solution showed higher compared to SBF and AS solution as time increased. From the results of cyclic potentiodynamic test, the pitting potential and |$E_{pit}\;-\;E_{corr}$| of implant tested in SBF and AS solution were higher than those of implant tested in 0.9% NaCl solution.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권3호
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• pp.366-376
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• 1997

수평 전기로에서 $CdGa_2Se_4$ 다결정을 합성하여 HEW 방법으로 $CdGa_2Se_4$ 박막을 성장하였다. $CdGa_2Se_4$ 박막 성장은 증발원과 기판의 온도를 각각 $580^{\circ}C$, $420^{\circ}C$로 성장하였을 때 이중 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)값이 162 arcsec로 가장 작아 최적 성장조건이었으며, 성장된 박막의 두께는 3 $\mu \textrm{m}$ 였다. Van der Pauw 방법으로 Hall 쵸과를 측정하여 운반자 농도와 이동도의 온도의존성을 연구하였으며, 이동도는 30 K에서 200 K까지는 piezoelectric 산란에 기인하고, 200 K에서 293 K까지는 polaroptical 산란에 의하여 감소하였다. 광전도 셀의 특성으로 spectral response, 최대 허용 소비전력(MAPD), 광전류와 암전류(pc/dc) 및 응답시간을 측정하였다. Se 분위기에서 열처리한 광전도 셀의 경우 $\gamma$=0.98, pc/dc=$9.62{\times}10^6$ MAPD : 321 ㎽, rise time : 9 ㎳, decay time : 9.5 ㎳로 가장 좋은 특성을 얻었다.