• 대한치과교정학회지
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• 제22권3호
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• pp.509-529
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• 1992

Skeletal Class III malocclusion is one of the most difficult type to treat and stabilize. For a child with developing skeletal Class III malocclusion, the treatment objective would be to stimulate maxillary growth, particulary one who has markedly deficient maxilla, and to restrain excessive mandibular growth. In order to stimulate the maxillary growth, maxillary protraction appliance is the one of the effective orthopedic appliances in skeletal Class III. The purposes of this study were as follows ; evaluation of the skeletal and dental changes of the maxillary protraction in children with Class III Maxillary deficiency , comparison of the clinical effects between the group with RPE and labiolingual intraoral appliances , comparison of the clinical effects and stability related to the ages of the patients : stability of the maxillary protraction about 1 year after retention. The subjects consisted of 60 children between the ages of 8 and 13.4 who were diagnosed as Class III with maxillary deficiency and were treated with Face Mask (Delaire Type) from the Dept. of Orthodontics Yong Dong Severance Hospital, Yonsei University. 48 children wore the RPE and 12 children wore Labiolingual Appliance. Lateral Cephalograms were taken for each patient at before and after correction of anterior cross-bite in 60 children, and after an observation period of 10 to 14 months in 19 children. X and Y coordinate of 10 landmarks were analyzed using a horizontal line through sella and rotated $6^{\circ}$ down anteriorly as the horizontal reference axis, and a perpendicular verticual line through sella as the vertical reference axis. Each of the 31 measurents (10 verticals, 10 horizontals, 2 angles and 9 others) was statistically analyzed using SPSS/PC statistics. The results are as follows; 1. After maxillary protraction the maxilla and maxillary teeth moved downward and forward, while the mandible and mandibular incisor rotated downward and backward. 2. Maxillary protraction with rapid palatal expansion appliance was more effective than with labiolingual appliance. 3. More downward movement of the posterior palatal plane obserbed with maxillary protraction doing the midpalatal suture opening than with protraction after finishing the palatal expansion 4. The clinical effects of protraction and changes of the retention periods were not statistically significant among the age groups. 5. During the retention period, maxilla and maxillary teeth, and mandible and mandibular teeth moved downward and forward, however the mandibular changes were larger than the maxillary changes.

• 한국재료학회지
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• 제21권2호
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• pp.111-114
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• 2011

As a growth-template of ZnO nanorods (NR), a hexagonal $\beta-Ni(OH)_2$ nanosheet (NS) was synthesized with the low temperature hydrothermal process and its microstructure was investigated using a high resolution scanning electron microscope and transmission electron microscope. Zinc nitrate hexahydrate was hydrolyzed by hexamethylenetetramine with the same mole ratio and various temperatures, growth times and total concentrations. The optimum hydrothermal processing condition for the best crystallinity of hexagonal $\beta-Ni(OH)_2$ NS was determined to be with 3.5 mM at $95^{\circ}C$ for 2 h. The prepared $Ni(OH)_2$ NSs were two dimensionally arrayed on a substrate using an air-water interface tapping method, and the quality of the array was evaluated using an X-ray diffractometer. Because of the similarity of the lattice parameter of the (0001) plane between ZnO (wurzite a = 0.325 nm, c = 0.521 nm) and hexagonal $\beta-Ni(OH)_2$ (brucite a = 0.313 nm, c = 0.461 nm) on the synthesized hexagonal $\beta-Ni(OH)_2$ NS, ZnO NRs were successfully grown without seeds. At 35 mM of divalent Zn ion, the entire hexagonal $\beta-Ni(OH)_2$ NSs were covered with ZnO NRs, and this result implies the possibility that ZnO NR can be grown epitaxially on hexagonal $\beta-Ni(OH)_2$ NS by a soluble process. After the thermal annealing process, $\beta-Ni(OH)_2$ changed into NiO, which has the property of a p-type semiconductor, and then ZnO and NiO formed a p-n junction for a large area light emitting diode.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권1호
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• pp.16-22
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• 2008

10nm Ni/30 nm와 70nm poly Si/200nm $SiO_2/Si(100)$ 구조로부터 니켈실리사이드의 열적안정성을 연구하기 위해서 쾌속열처리기를 이용하여 실리사이드화 온도 $300{\sim}1100^{\circ}C$에서 40초간 열처리하여 실리사이드를 제조하였다. 준비된 실리사이드의 면저항값 변화, 미세구조, 상 분석, 표면조도 변화를 각각 사점면저항측정기, FE-SEM, TEM, HRXRD, SPM을 활용하여 확인하였다. 30 nm 다결정실리콘 기판 위에 형성된 실리사이드는 $900^{\circ}C$까지 열적안정성이 있었다. 반면에 70 nm 다결정실리콘 기판 위에 형성된 실리사이드는 기존연구결과와 동일한 $700^{\circ}C$ 이상에서 고저항상인 $NiSi_2$로 상변화 하였다. HRXRD로 확인한 결과, 30 nm 두께의 기판 위에 니켈실리사이드는 $900^{\circ}C$ 고온에서도 NiSi상이 유지되다가 $1000^{\circ}C$에서 $NiSi_2$로 상변화 하였다. FE-SEM 과 TEM 관찰결과, 30 nm 두께의 다결정실리콘 기판에서는 $700^{\circ}C$의 저온처리에는 잔류 다결정실리콘 없이 매우 균일하고 평탄한 40 nm의 NiSi가 형성되었고, $1000^{\circ}C$에는 선폭 $1.0{\mu}m$급의 미로형 응집상이 생성됨을 확인하였다. 70 nm 두께의 다결정실리콘 기판에서는 불균일한 실리 사이드 형성과 잔류 다결정실리콘이 존재하였다. SPM결과에서 전체 실험구간에서의 RMS 표면조도 값도 17nm 이하로 CMOS공정의 FUSI게이트 적용의 가능성을 보여주었다. 다결정실리콘 게이트의 높이를 감소시키면 니켈실리사이드는 상안정화가 용이하며 저저항구간을 넓힐 수 있는 장점이 있었다.

• Journal of Chest Surgery
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• 제25권3호
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• pp.258-270
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• 1992

Benign lung tumors have been considered as relatively rare disease, which comprise approximately 8 to 15% of all solitary pulmonary lesions that are detected radiographically. We clinically analized 30 cases of benign lung tumors underwent the operation from Jan. 1970 to Aug.1991 in the department of thoracic and cardiovascular surgery, Catholic University Medical College. We adopted the classification presented by the World Health Organization[WHO], modified from Liebow, and added benign mesothelioma. There were 11 males & 19 females ranging in age from 2 years to 68 years old % the mean age was 38 years old. Of all 30 benign lung tumors, hamartomas [14 cases, 49%] were the most common & followed by hemangiomas [9 cases, 30%], 3 cases of benign mesotheliomas % a case of teratoma, papilloma, arteriovenous malformation and inflammatory pseudotumor. 14 cases of tumors were asymptomatic & were incidentally detected by plane chest x-ray In other cases, chief complaints at admission were coughing, chest discomfort, dyspnea, hemoptysis, and fever. Diagnosis were made by pathological examination; exploratory thoracotomy in 23 patients[76.7%], bronchoscopy in 4 patients and percutaneous needle aspiration biopsy in 3 patients. Precisely, preoperative diagnosis for confirmation of benign lung tumor was made only in 7 cases[23.6%]. Tumors were located on Rt.side[24 cases], especially Rt. middle lobe, and Lt.side[6 cases]. Operation methods were as follows: 21 cases [70%] of lobectomy, 2 cases of segmentectomy, 2 cases of wedge resection, 1 case of pneumonectomy, 1 case of bronchotomy, 2 cases of wedge resection, 1 case of pneumonectomy, 1 case of bronchotomy removal of the endobronchial hamartoma which located at the rt. main stem bronchus and 3 cases of complete resection in benign mesotheliomas. There were no operative death. The post operative complications were developed in 3 cases; post pneumonectomy empyema, wound infection and atelectasis. In conclusion, benign lung tumors must be histologically diagnosed to confirm of benignity and to provide limited resection for preservation of the lung tissue, whenever possible.

• 한국자기학회지
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• 제13권2호
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• pp.64-69
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• 2003

Si 기판 위에 $\alpha$-Fe$_2$O$_3$을 하지층으로 하는 Ba-ferrite 박막을 pulsed laser deposition system으로 제조하여 결정학적 및 자기적 성질을 X선 회절, SEM, Mossbauer 분광법 및 VSM을 사용하여 연구하였다. $\alpha$-Fe$_2$O$_3$박막은 Si 기판위에 PLD를 이용하여 기판온도 400 $^{\circ}C$, 산소압력 0.1 Torr로 5분간 증착 하였고 그 위에 두께를 달리하여 Ba-ferrite 박막을 제조하였다. Ba-ferrite 결정은 가늘고 긴 모양의 결정립들로 형성되었으며 두께에 따라 그 모양과 상태가 변화하였다. Mossbauer 분광법으로부터 Ba-ferrite 결정내의 Fe 원자의 스핀 방향은 두께가 얇을수록 하지층의 영향으로 기판에 수직으로 정렬하려는 경향을 보이고 있음을 확인하였다. 자기이력곡선의 각형비 역시 두께가 얇을수록 더 크며 이러한 특성은 수평에 비하여 수직의 경우가 더 강하게 나타났다. 보자력 역시 같은 경향을 보이나 포화자화의 값은 수평의 경우에 더 큰 값을 나타내었다. 결정구조는 Magnetoplumbite로서 두께가 작아질수록 결정상수 $\alpha$는 감소하고 c는 증가하는 경향을 보였다.

• 한국결정학회지
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• 제16권1호
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• pp.38-42
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• 2005

Bis(ethylenediamine) cuprate(II)$\cdot$dichromate $Cu(C_2H_8N_2)_2{\cdot}Cr_2O_7$의 결정구조는 a=5.682(1), b=8.567(2), c=14.839(3) ${\AA},\;{\alpha}=97.50(2),\;{\beta}=101.06(1),\;{\gamma}=109.38(2)^{\circ}$, 삼사정계(Triclinic), 공간군 P-1, 공간군 번호 2이며, Z=2, V=653.9(2) ${\AA}^3,\;D_c=2.030gcm^{-3},\;{\mu}=3.273mm^{-1}$이었다. 구조분석은 중금속법으로 풀었으며, 최소 자승법으로 정밀화하였고, 최종 신뢰도 값들은 2291개의 회절반점에 대하여 $R_1=0.0256,\;R_w=0.0708,\;R_{all}=0.0316,\;S=1.151$이었다. 구리 착이온의 Cu-N의 평균 거리가 2.010(3) $\AA$이고, 면에 거의 수직으로 Cu-O 평균거리가 2.525(2) $\AA$로써 찌그러진 팔면체 구조를 하고 있다. 두 가지 이온들은 [111]-방향을 따라서 사슬구조를 형성하고, 이 축을 포함한 이차원 (0-11)면상에 놓인 인접한 축들 사이에는 N1-O5와 N3-O1 수소결합으로 연결되어 있다.

• 대한치과교정학회지
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• 제35권6호
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• pp.420-432
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• 2005

Bolton 분석이 치아크기 부조화를 예측하기 위해 널리 사용되고 있지만 그 정확도에 대해서는 의문이 제기되어왔다. 이에 본 연구는 부정교합자를 대상으로 하여 실제 전치부 부조화가 나타나는 양상을 조사하고. 그것에 영향을 주는 요인에 대해서 평가하고자 하였다.. 연구대상은 다양한 부정교합(Class I. Class II, Class III. Class III surgery)을 가졌으며, 교정치료를 마친 80명의 환자들로 구성되었다. 치료 전 모형, 치료 후 모형으로부터 얻어진 셋업 모형 그리고 치료 전후 측모 두부 X-선 계측사진을 분석하였으며 다음과 같은 결과를 얻었다. 한국인 부정교합자의 전치부 Bolton ratio는 Bolton의 표본 및 한국인 정상교합자 표본과 비교해 보았을 때 평균, 표준편차범위가 다소 크게 나타났다. 실제 전치부 부조화는 상악의 부족(deficiency)을 보이는 경우가 상악의 과잉(excess)을 보이는 경우보다 많았다. 전치부 Bolton ratio로부터 예측한 전치부 부조화는 셋업 모형을 통해서 얻은 실제 전치부 부조화와 비교해 버았을 때 차이를 보였다 (p<0.05). 성별 및 부정교합군은 실제 전치부 부조화에 유의한 차이를 보이지 않았다 (p>005). 수직피개와 상악 치아 절단연 두께는 실제 전치부 부조화와 상관관계가 거의 없는 것으로 나타났다. 다중회귀분석 결과 실제 전치부 부조화에는 치료 전 모형의 전치부 Bolton ratio, 치료 후 상악 전치가 교합평면과 이루는 각, 치료 후 절치간각, 치료 전 상악 우측 측절치 폭경 등의 요인이 기여하는 것으로 나타났다.

• 대한치과교정학회지
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• 제37권2호
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• pp.125-136
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• 2007

교정치료에 따른 연조직 변화 양상은 개개인의 차이가 심하므로 교정치료 중 흔히 재평가가 필요하다. 이를 위해서 고정식 교정장치가 부착되어 있는 상태의 입술의 위치와 교정치료 종료 후의 위치에 대한 비교 예측이 필요하다. 이 연구는 교정치료가 종료되어 고정식 교정장치를 제거하는 52명을 대상으로 T1(장치제거 전), T2(장치제거 직후), T3(장치제거 1.5개월 후)의 측모두부방사선사진상에서 입술과 그 주위 연조직을 분석한 결과 다음과 같은 결론을 얻었다. 장치제거 직후(T2-T1) 하순이 후퇴하며 장치제거 직후부터 1.5개월 후 (T3-T2)까지도 계속 후퇴하였다. 장치제거 1.5개월 후 (T3-T1), 기준선(G-perpendicular line)에 대한 입술의 평균 후퇴양은 상순(Ls)에서 0.38mm, 하순(Li)은 0.88 mm를 보였다. 주로 장치제거 직후(T2-T1)에 하순이 후퇴하는 여자군과 달리 남자군은 장치제거 직후부터 1.5개월 후(T3-T2)가지 하순이 주로 후퇴하는 양상을 보였으나, 장치제거 1.5개월 후 (T3-T1)에는 남자군과 여자군간의 뚜렷한 차이를 보이지 않았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.58-58
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• 1999

The diamond films which can be applied to SOD (silicon-on-diamond) structure were deposited on Si(100) substrate using CO/H2 CH4/H2 source gases by microwave plasma chemical vapor deposition(MPCVD), and SOD structure have been fabricated by poly-silicon film deposited on the diamond/Si(100) structure y low pressure chemical vapor deposition(LPCVD). The phase of the diamond film, surface morpholog, and diamond/Si(100) interface were confirmed by X-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM), atomic force microscopy(AFM), and Raman spectroscopy. The dielectric constant, leakage current and resistivity as a function of temperature in films are investigated by C-V and I-V characteristics and four-point probe method. The high quality diamond films without amorphous carbon and non-diamond elements were formed on a Si(100), which could be obtained by CO/H2 and CH4/H2 concentration ratio of 15.3% and 1.5%, respectively. The (111) plane of diamond films was preferentially grown on the Si(100) substrate. The grain size of the films deposited by CO/H2 are gradually increased from 26nm to 36 nm as deposition times increased. The well developed cubo-octahedron 100 structure nd triangle shape 111 are mixed together and make smooth and even film surface. The surface roughness of the diamond films deposited by under the condition of CO/H2 and CH4/H2 concentration ratio of 15.3% and 1.5% were 1.86nm and 3.7 nm, respectively, and the diamond/Si(100) interface was uniform resistivity of the films deposited by CO/H2 concentration ratio of 15.3% are obtained 5.3, 1$\times$10-9 A/cm, 1 MV/cm2, and 7.2$\times$106 $\Omega$cm, respectively. In the case of the films deposited by CH4/H2 resistivity are 5.8, 1$\times$10-9 A/cm, 1 MV/cm, and 8.5$\times$106 $\Omega$cm, respectively. In this study, it is known that the diamond films deposited by using CO/H2 gas mixture as a carbon source are better thane these of CH4/H2 one.

• 한국결정성장학회지
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• 제25권2호
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• pp.45-50
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• 2015

본 논문에서는 Al 조성이 점진적으로 변화된 AlGaN 에피층을 HVPE (hydride vapor phase epitaxy) 방법에 의하여 성장하였다. 소스영역의 온도는 $950^{\circ}C$, 성장 영역의 온도는 $1145^{\circ}C$에서 연속적으로 (0001) 사파이어 기판위에 성장되었고, AlGaN 에피층은 시간당 100 nm의 성장률을 보였다. FE-SEM 측정과 EDS 측정으로부터 성장층의 Al 변화를 확인하였으며, AFM 측정결과 2인치 기판위에 성장된 graded AlGaN 에피층의 거칠기는 수십 nm였다. Al 조성의 변화는 XRD 측정에 의하여 확인하였으며, Al 조성 74 %의 (002) AlGaN의 주피크 관측과 함께 연속적으로 (002) AlN 층의 피크가 확인되었다. 이는 하나의 층에 사파이어 기판으로부터 Al 조성이 점진적으로 변화하는 에피층을 HVPE 방법으로 얻었음을 증명하며, 이 결과로부터 다양한 광소자 및 전자소자의 응용이 기대된다.