• 제목/요약/키워드: X-band

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X-Band 휴대용 위성단말기의 고속 주파수 도약 합성기 구현 (Implementation of the Past frequency Hopping Synthesizer for X-band Satellite Transportable Terminal)

  • 김정섭;장동운;최태환;김재환
    • 한국통신학회논문지
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    • 제27권2B호
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    • pp.151-159
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    • 2002
  • 주파수 도약(Frequency Hopping)시스템을 구현하기 위해서는 고속으로 도약 가능한 주파수 합성기의 개발이 필수적이다. X-band 휴대용 위성단말기는 약 500홉/초로 주파수 도약하는 대전자전 기능을 가진 단말기이다. 본 논문에서는 X-band 휴대용 위성단말기에 실장되는 초고속 주파수 합성기를 DDS Driven PLL 방식을 이용하여 설계 및 제작하였다. 제작된 주파수 합성기는 102.4MHz 국부 발진주파수에서 100KHz 주파수 간격으로 송신주파수 6600∼7100MHz, 수신주파수 6140∼6640MHz를 발생시키고 입력되는 주파수 정보에 따라 원하는 주파수를 15usec 이내로 생성하며 1KHz 오프셀 주파수에서 -754Bc의 위상 잡음 특성을 보였다.

Analysis of Fra-X Gene Using Hair Root DNA

  • Lee, Ju-Young;Choi, Won-Chul
    • 한국환경보건학회지
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    • 제32권6호
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    • pp.560-565
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    • 2006
  • Extract of DNA for analysis of fragile X syndrome is usually performed by blood, the researches using hair root as specimen have been gradually spread. In this study, analyze fra X gene of the patients in mentally retarded children facilities was conducted using hair root DNA with molecular biologic test (PCR). The number of total subjects was 24, boys were 12, the average age was $17({\pm}3)$, and girls were 12, the average age was $18({\pm}2)$. In girls, normal size of band of 222 bp appeared in all lanes. Also, in all lanes except control in 517 bp, micro band appeared. Moreover, with appearance of band of 1198bp in lanes 2, 3, 4, 5, it is estimated that it is the band of full mutation whose CGG repeated sequences are more than 200. But it showed the peculiarity that it appeared with normal band in all the same lanes, thus it is not reasonable to judge it is the band of full mutation and further studies are needed. These results appeared in 50%, 6 of 12 mentally retarded girls. As the result of mentally retarded boys, normal band appeared in about 222 bp in control, however in experiment group, normal band did not appear. In 43%, 7 out of 12 boys, band did not either appeared in 1198bp, which showed different patterns from that of girls.

RELATIONSHIP BETWEEN FOREST STAND PARAMETERS AND MULTI-BAND SAR BACKSCATTERING

  • Shin, Jung-Il;Yoon, Jong-Suk;Lee, Kyu-Sung
    • 대한원격탐사학회:학술대회논문집
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    • 대한원격탐사학회 2008년도 International Symposium on Remote Sensing
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    • pp.332-335
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    • 2008
  • Newly developing SAR (Synthetic Aperture Radar) sensors commonly include high resolution X-band those data are expected to contribute various applications. Recent few studies are presenting potential of X-band SAR data in forest related application. This study tried to investigate the relationship between forest stand parameters and multi-band SAR normalized backscattering. Multi-band SAR data was radiometric corrected to compare signal from different forest stand condition. Then correlation coefficients were estimated between attribute of forest stand map and normalized backscattering coefficients. Although overall correlation coefficients are not high, only X-band shows strong relationship with DBH class than other bands. The signal of C- and L-band is composed of a large number of discrete tree components such as leaves, stems, even background soil. In forest, strength of radar backscattering is affected by complex parameters. Further study might be considered more various forest stand parameters such as canopy density, stand height, volume, and biomass.

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Raman 분광법을 이용한 $Li_{1-X}Al_{2X}Ta_{1-X}O_3$ 고용한계 분석 (Raman Spectroscopy of the Solid Solution Limit in $Li_{1-X}Al_{2X}Ta_{1-X}O_3$ System)

  • 김정돈;홍국선;주기태
    • 분석과학
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    • 제5권1호
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    • pp.115-120
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    • 1992
  • 강유전체인 $LiTaO_3$ 소재는 SAW filters나 IR sensors의 기본재료로 사용되고 있다. Dopant로서 $Al_2O_3$$LiTaO_3$에 일부 치환함으로써 유전 특성을 변화시키고 특히 용융점을 낮춤으로써 단결정 제조를 용이하게 한다. X-선 회절분석에 의한 격자상수 변화와 Raman spectroscopy의 band broadening을 측정한 결과 $LiTaO_3$에 대한 $Al_2O_3$의 고용한계가 $Li_{1-X}Al_{2X}Ta{1-X}O_3$에서 X=0.25mol이었으며, 고용한계 이상에서는 2차상인 $Al_2O_3$상이 XRD로 관찰되었다. Grain size에 의한 Raman band의 broadening을 고려하기 위하여 단결정과 소결체 $LiTaO_3$를 측정 비교하였다.

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질화물계 반도체 GaP1-X NX의 에너지 밴드갭 계산 (The Calculation of the Energy Band Gaps of Zincblende GaP1-X NX)

  • 정호용;김대익
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제12권5호
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    • pp.783-790
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    • 2017
  • 본 연구에서는 무질서 효과가 고려된, 새로이 가정한 가상 결정 근사법을 갖는 empirical pseudopotential method를 사용하여 온도와 조성비 변화에 따른 3원계 질화물계 화합물 반도체 GaP1-xNx의 휨 매개변수 및 에너지 밴드갭을 계산하였다. 300K의 조성비 구간($0{\leq}x{\leq}0.05$)에서 에너지 밴드갭들이 급격히 감소하며, 해당하는 계산된 휨 매개변수가 13.1eV임을 알 수 있었다. 에너지 밴드갭 계산 결과로부터 굴절률 n과 실수부 유전상수 함수 ${\varepsilon}$를 계산하였고, 에너지 밴드갭 계산 결과는 실험치를 대체로 잘 설명하였다.

CNN 강우여부 분류기를 적용한 ANN 기반 X-Band 레이다 유의파고 보정 (Estimation of Significant Wave Heights from X-Band Radar Based on ANN Using CNN Rainfall Classifier)

  • 김희연;안경모;오찬영
    • 한국해안·해양공학회논문집
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    • 제33권3호
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    • pp.101-109
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    • 2021
  • 항해용 X-band 레이다를 이용한 파랑관측은 해수면에 후방산란 된 전자기파 이미지를 분석하여 이루어진다. 1분당 42개의 해수면 시계열 이미지로부터 3차원 FFT를 계산하고 변조전달함수(Modulation Transfer Function)를 구하여 파랑정보를 추출한다. 따라서 레이다 파고계로 계측한 유의파고의 정확도는 X-band 레이다 영상의 상태에 따라 결정된다. 2020년 여름 태풍 마이삭과 하이선 내습 시 강릉 안인 해안에 설치된 X-band 레이다 파고계로 관측한 유의파고의 오차가 크게 발생하였다. 이는 태풍 내습 시 급격히 유의파고가 증가하는 한편 강한 강우가 동반되어 X-band 레이다 영상의 품질이 저하되었기 때문이다. 최대 오차 발생 이전까지 많은 강우가 있었음이 확인된다. 본 연구에서는 convolution neural network(CNN)을 이용하여 레이다 이미지로부터 강우 여부를 분류하고 강우여부에 따라 강우시 인공신경망 모델을 적용하여 태풍 시 유의파고 관측 정확도를 향상시켰다. 폭우를 동반한 태풍 시 레이다 자료 특성에 기반하여 인공신경망 유의파고 산출 알고리즘을 개선하고 이를 통해 X-band 레이다 파고계의 정확도를 향상시키는 방법을 제시하였다.

적응형 레이다를 위한 다중대역 혼합기에 관한 연구 (The Study on Multi-band Mixer for Adaptive Radar)

  • 고민호;강세벽
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제16권6호
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    • pp.1053-1058
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    • 2021
  • 본 논문은 능동소자에 인가되는 게이트 바이어스 전압을 가변하여 X-, K- 및 Ka-대역 신호를 선택적으로 변환할 수 있는 다중대역 혼합기를 제안하였다. 제안한 다중대역 혼합기는 LO 전력 +6 dBm으로 구동하였고 X-대역의 경우, 게이트 바이어스 전압 -0.8 V에서 변환손실 -10 dB 특성, K-대역에서 게이트 바이어스 전압 -0.3 V에서 변환손실 -9 dB 특성, Ka-대역에서는 게이트 바이어스 전압 -0.2 V에서 변환손실 -7.0 dB 특성을 나타내었다. 모든 대역에서 1-dB 압축점 (P1dB)은 +0.5 dBm 특성을 나타내었다.

X-band용 MMIC 전력증폭기의 설계 및 제작에 관한 연구 (Studies on the Design and Fabrication of MMIC Power Amplifier for X-band)

  • 이성대;이호준;이응호;윤용순;박현식;이진구
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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    • pp.159-162
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    • 1999
  • In this paper, we have designed and fabricated a MMIC power amplifier for X-band using AlGaAs/InGaAs/GaAs PM-HEMTs and passive devices such as Ti thin film resistors, rectangular spiral inductors and MIM capacitors. The fabricated MMIC power amplifier for X-band shows that S/ sub 21/ and S$_{11}$ are 14.804 ㏈ and -29.577 at 8.18 GHz, respectively. The chip size is 1.86$\times$1.29 $\textrm{mm}^2$.>.>.

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0.25 ㎛ GaN HEMT 기술을 이용한 우수한 성능의 X-대역 전력 증폭기 (High performance X-band power amplifier MMIC using a 0.25 ㎛ GaN HEMT technology)

  • 이복형;박병준;최선열;임병옥;고주석;김성찬
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권2호
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    • pp.425-430
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    • 2019
  • 본 논문에서는 게이트 길이가 $0.25{\mu}m$인 GaN HEMT 기술을 사용하여 개발된 X-대역 전력 증폭기의 특성을 기술한다. 개발된 X-대역 전력 증폭기는 9~10 GHz의 대역에서 22.7 dB 이상의 소신호 이득과 43.02 dBm(20.04 W) 이상의 포화 출력 전력을 가진다. 최대 포화 출력 전력은 9.5 GHz에서 43.84 dBm (24.21 W)이였다. 전력 부가 효율은 41.0~51.24%의 특성을 얻었으며 칩의 크기는 $3.7mm{\times}2.3mm$이다. 출력 전력 밀도는 $2.84W/mm^2$를 나타내었다. 개발된 GaN 전력 증폭기는 다양한 X-대역 레이더 응용에 적용 가능할 것으로 예상된다.

X-대역 응용을 위한 GaN 기반 저잡음 증폭기 MMIC (GaN-based Low Noise Amplifier MMIC for X-band Applications)

  • 임병옥;고주석;김성찬
    • 전기전자학회논문지
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    • 제28권1호
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    • pp.33-37
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    • 2024
  • 본 논문에서는 0.25 ㎛ 게이트 길이를 갖는 GaN HEMT 기술을 사용하여 개발한 X-대역 저잡음 증폭기 MMIC의 특성을 기술한다. 개발된 GaN 기반 X-대역 저잡음 증폭기 MMIC는 9 GHz ~ 10 GHz의 동작 주파수 대역에서 22.75 dB ~ 25.14 dB의 소신호 이득과 1.84 dB ~ 1.94 dB의 잡음지수 특성을 나타내었다. 입력 반사 손실 특성과 출력 반사 손실 특성은 각각 -11.36 dB ~ -24.49 dB, -11.11 dB ~ -17.68 dB를 얻었으며 40 dBm (10 W)의 입력 전력에 성능 열화 없이 정상적으로 동작하였다. MMIC의 크기는 3.67 mm × 1.15 mm이다. 개발된 GaN 기반 저잡음 증폭기 MMIC는 X-대역의 다양한 응용에 적용 가능하다.