The dielectric reliability of the Thin $SiO_2$ films of wet oxidation on n-type Si substrates has been studied by using self-healing method of breakdown and according to injection time high frequence C-V tests. These experiments have been performed to investigate the dielectric breakdown mechanism of a thin film in which positive charge generation during high-field Fowler-Nordheim tunneling are considered. In addition, The weak spots and robust areas are distinguished so that the localized dielectric breakdown could be described.
초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 미치는 효과에 대하여 고찰하였다. 기계적 손상의 정도는 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명, 습식산화/선택적 식각 방법, 표면 부위 미소 결함 및 X-선 단면 측정 분석으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수 록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 표면 부위 미소 결함 밀도는 비례적으로 증가하였으며, 산화 유기 적충 결함 밀 도와도 상호 일치하였다. 그래서, 표면 부위 미소 결함 기술은 산화 유기 적층 결함을 측정하는데 있어서 통상적인 부식 방법과는 별도로 사용될 수 있다.
Nickel powders were obtained by various preparation methods, and their sintering characteristics were investigated. Nickel powders made by wet chemical process (WCP) had a higher surface area and more narrow size distribution than that of chemical vapor deposition (CVD) method. Nickel-oxide powders by the WCP method were prepared at $200^{\circ}C$ for 3 hr. The oxidation behaviour of nickel-oxide powder is similar with that of the CVD method. Nickel powders made by the WCP method showed a higher shrinkage in the range of $600^{\circ}C$∼$900^{\circ}C$ than that of commercial powder made by the CVD method. The similar results were observed on the surface microstructure of sintered bodies by SEM measurements.
초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명 측정에 미치는 영향을 고찰하였다. 기계적손상의 정도는 X-선 이중결정 회절법과 X-선 단면 측정법 및 습식산화/선택적 식각 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 소수반송자 재결합 수명 측정에 영향을 미치는 반치전폭의 임계값은 약13초임을 알 수 있다.
질산산화법(nitric acid oxidation method)은 저온에서 안정적인 산화막을 형성하는 직접산화공정으로 azeotropic point(68 wt%)인 120도 이하의 온도에서 산화막을 형성한다. 120도에서 형성한 질산산화막은 CVD법으로 형성한 산화막 보다 낮은 누설전류밀도(leakage current density)를 나타낸다. 또한 질산의 농도가 증가함에 따라 형성한 산화막의 누설전류밀도가 감소하며, 이는 열산화법으로 형성한 산화막 보다 낮다. 질산산화의 낮은 누설전류밀도는 형성한 산화막의 높은 원자 밀도와 낮은 계면준위밀도에 의한 것으로 이 특성을 이용하여 게이트 절연막(gate insulator)과 태양전지의 passivation막으로 응용되고 있다.
초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 미치는 효과에 대하여 고찰하였다. 기계적 손상의 정도는 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명, 광열범위, X-선 단면 측정 및 습식산화/선택적 식각 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 광열 변위의 평균값은 비례적으로 증가하였으며, 손상된 웨이퍼에서 Grade 1의 과잉 광열 변위값을 1로 봤을 때 과잉 광열 변위의 정규화한 상대 정량 비는 Grade 1: Grade 2:Grade 3 = 1:19.6:41이다.
The effects of Mn2O3 and Y2O3 additives on the microstructure and dielectric properties of Sr(Zr, Ti)O3 have been investigated. Powders with Sr(Zr1-xTix)O3(0$\leq$x$\leq$0.1) composition were prepared by the conventional solid state processing from commercial TiO2 and precipitation-processed ZrO2. The powders containing sintering additives of Mn2O3 and Y2O3 were compacted and then sintered at 1,55$0^{\circ}C$ for 4 h to get>97% relative density. Mn2O3 suppressed the grain growth and Y2O3 enhanced the density of sintered body. The oxidation state of Mn ions were determined by a chemical wet method and EPR spectroscopy. Mn ions were present as Mn2+ and Mn4+ in SrZrO3, while as Mn3+ and Mn4+ in Ti-substituted Sr(Zr, Ti)O3. With the substitution of Ti, the lattice parameters of SrZrO3 decreased and its dielectric constant increased with remarkable decrease in Q value. The dielectric constant of Sr(Zr, Ti)O3 was in the range of 30 to 40, Q values 1,200~5,400 at 6 GHz and temperature coefficient of resonant frequency -67~100 ppm/K.
Through the process of chemical vapor deposition, Tungsten Hexafluoride (WF6) is widely used by the semiconductor industry to form tungsten films. Tungsten Hexafluoride (WF6) is produced through manufacturing processes such as pulverization, wet smelting, calcination and reduction of tungsten ores. The manufacturing process of Tungsten Hexafluoride (WF6) is required thorough quality control to improve productivity. In this paper, a real-time detection system for oxidation defects that occur in the manufacturing process of Tungsten Hexafluoride (WF6) is proposed. The proposed system is implemented by applying YOLOv5 based on Convolutional Neural Network (CNN); it is expected to enable more stable management than existing management, which relies on skilled workers. The implementation method of the proposed system and the results of performance comparison are presented to prove the feasibility of the method for improving the efficiency of the WF6 manufacturing process in this paper. The proposed system applying YOLOv5s, which is the most suitable material in the actual production environment, demonstrates high accuracy (mAP@0.5 99.4 %) and real-time detection speed (FPS 46).
본 연구는 폐지로부터 용액화물을 제조하고, 제조된 용액화물의 성분 분리 및 성상분석을 통해 용액화물의 효율적인 이용방안을 위한 기초자료 제공에 그 연구 목적이 있다. 폐지의 액화에 있어 건식해리된 폐지보다 습식해리된 폐지의 액화가 비교적 용이하였으며, 이러한 이유는 습식해리된 폐지의 약품 침투가 비교적 용이하기 때문으로 판단된다. 폐지의 최적 액화조건은 폐지 1 g에 대해 크레졸 2 ㎖, 물 4 ㎖, 인산 0.5 ㎖로 첨가하여 190℃에서 60분간 액화 시킨 조건이 가장 우수하였다. 폐지 액화물 중 리그닌은 용제인 크레졸 층으로, 탄수화물은 수층으로 용해되어 각각 분리되며, 두 성분의 분리·회수는 비교적 용이하였다. 액화 폐지 중의 리그닌은 80% 이상 회수되었고, 회수된 리그닌의 분자량은 1,000 정도의 저분자량을 나타냈었다.
본 연구에서는 다양한 상용 알루미나 지지체의 수소 상온산화 반응특성을 확인하기 위하여 활성금속 Pt를 기본으로 한 촉매에 습식함침법으로 제조하였다. 제조된 촉매들은 XPS, CO-chemisorption, BET를 이용하여 특성분석을 수행하였다. 다양한 $Pt/Al_2O_3$계 촉매는 열처리 조건에 따라서 촉매를 제조할 경우 전자 전하의 이동으로 발생하는 전기음성도 특성이 Pt의 산소종을 제어하였다. Pt의 담지량이 증가함에 따라 분산도가 감소하는 이유는 Pt의 HT (Huttig Temperature)에 기인한 것으로 보인다. 또한 상온에서 제어할 수 있는 최소 수소농도는 metallic Pt가 촉매 내 70.09% 이상에서 1.0 vol%까지 수소를 제어할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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