The surface of tube-type alumina substrate was modified with a silane coupling agent in order to modify the membrane surface with hydrophobicity. Contact angle of water drops on modified membrane was greater than $90^{\circ}$. The modified membrane was tested in pervaporation and vapor permeation for the recovery of menthol from dilute menthol/water mixture. With increasing menthol concentration in the feed at $45^{\circ}C$, permeation rate of menthol in pervaporation and vapor permeation increased from $0.039(g/m^2hr)$ to $0144(g/m^2hr)$ and from. $0.077(g/m^2hr)$ to $0.297(g/m^2hr)$ respectively. When feed concentration is 0.005(g/L) at $45^{\circ}C$, separation factor for menthol in pervaporation and vapor permeation is 20,7 and 40.5 respectively.
The effects of water vapor on the permeation rates of oxygen and nitrogen through poly sulfone hollow-fiber membrane were investigated. The permeation rates of both 02 and $O_2$ were decreased significantly owing to the presence of water vapor. The permeation rate of oxygen with 100% relative humidity was reduced by as much as 20%, while the permeation rate of nitrogen decreased by 14% at 30 "C and 3kgf/$cm^2$ of upstream pressure. The permeation rates of $O_2$ were declined monotonously with running time and arrived at steady state values by the presence of water vapor. However, those of $N_2$ increased tentatively and then decreased to the steady state.tate.
The surface of porous alumina membrane was modified with silane coupling agent in order to enhance hydrophobicity. The contact angle of water to the surface-modified alumina membrane was greater than $90^{\circ}$. The surface-modified membrane was tested in vapor permeation for the concentration of aqueous ethanol. With the increase of ethanol concentration in the feed, permeation flux increased due to the greater affinity of ethanol with surface-modified alumina membrane than that of water. The experimental results showed that the permeation rate of surface-modified alumina membrane was 15~1000 times greater than that of polymer membranes.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.450-450
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2012
In recent days, advances in ZnO-based oxide semiconductor materials have accelerated the development of thin-film transistors (TFTs), which are the building blocks for active matrix flat-panel displays including liquid crystal displays (LCD) and organic light-emitting diodes (OLED). In particular, the development of high-mobility ZnO-based channel materials has been proven invaluable; thus, there have been many reports of high-performance TFTs with oxide semiconductor channels such as ZnO, InZnO (IZO), ZnSnO (ZTO), and InGaZnO (IGZO). The reliability of oxide TFTs can be improved by examining more stable oxide channel materials. In the present study, we investigated the effects of an ALD-deposited water vapor permeation barrier on the stability of ZnO and HfZnO (HZO) thin film transistors. The device without the water vapor barrier films showed a large turn-on voltage shift under negative bias temperature stress. On the other hand, the suitably protected device with the lowest water vapor transmission rate showed a dramatically improved device performance. As the value of the water vapor transmission rate of the barrier films was decreased, the turn-on voltage instability reduced. The results suggest that water vapor related traps are strongly related to the instability of ZnO and HfZnO TFTs and that a proper combination of water vapor permeation barriers plays an important role in suppressing the device instability.
In this study the membrane preparation and water vapor permeation of the hydrophilic polymer materials, polyaminosiloxane and polyhydroxylsiloxane, used as the coating materials for the preparation of asymmetric flat and hollow fiber membranes were investigated. And the water vapor permeation towards air permeation and their permselectivity were intensively studied for the resulting Resin A/Resin C (coupling agent) and Resin B/Resin C membranes. The water vapor permeability for 3 wt% Resin C introduced into Resin A (Resin A/Resin C) membrane was higher than for 1 and 5 wt% membranes and also water vapor permeability increased with increasing operating temperatures. In addition, at this content of 3 wt% Resin C, the absorption capability became maximum through dynamic equilibrium absorption experiment. Water vapor permeability, 43578 Barrer (1 Barrer = $10^{-10}cm^3(STP){\cdot}cm/cm^2{\cdot}s{\cdot}cmHg$) and 53000 Barrer, and the selectivity of $P(H_2O)P(Air)$, 101.3 and 102.6 were shown at 25 and $35^{\circ}C$, respectively.
Composite membranes with a titania layer were prepared by soaking-rolling method with the titania sol of nanoparticles formed in the sol-gel process and investigated regarding the vapor permeation of various organic mixtures. The support modification was conducted by pressing $SiO_2$ xerogel of 500 nm in particle size under 10 MPa on the surface of a porous stainless steel (SUS) substrate and designed the multi-layered structure by coating the intermediate layer of ${\gamma}-Al_2O_3$. Microstructure of titania membrane was affected by heat-treatment and synthesis conditions of precursor sol, and titania formed at calcination temperature of 300$^{\circ}C$ with sol of [$H^+$]/[TIP]=0.3 possessed surface area of 210 $m^2$/g, average pore size of 1.25 nm. The titania composite membrane showed high $H_2/N_2$ selectivity and water/ethanol selectivity as 25-30 and 50-100, respectively. As a result of vapor permeation for water-alcohol and alcohol-alcohol mixture, titania composite membrane showed water-permselective and molecular-sieve permeation behavior. However, water/methanol selectivity of the membrane was very low because of chemical affinity of permeants for the membrane by similar physicochemical properties of water and methanol.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.3
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pp.262-268
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2009
We investigated the properties of inorganic diatomic films like silicon oxide ($SiO_2$) and zinc oxide (ZnO) and their composite films are packed as a passivation layer around Ca cells on glass substrates by using an electron-beam evaporation technique and rf-magnetron sputtering method. When these Ca cells are exposed to an ambient atmosphere, the water vapor penetrating through the passivation layers is adsorbed in the Ca cells, resulting in a gradual progress of transparency in the Ca cells, which can be represented by changes of the optical transmittance in the visible range. Compared with the saturation times for the Ca cells to become completely transparent in the atmosphere, the protection effects against permeation of water vapor are estimated for various passivation films. The thin composite films consist of$SiO_2$ and ZnO are found to show a superior protection effect from water vapor permeation compared with diatomic inorganic films like $SiO_2$ and ZnO. Also, this inorganic thin composite films are also found that their protection effect against permeation of water vapor can be significantly enhanced by choosing their suitable composition ratio and deposition method, in addition, the main factors affecting the permeation of water vapor through the oxide films are found to be the polarizability and the packing density.
In this study, graphite or zeolite 4A was mixed with poly(acrylonitrile-butadiene-strene) (ABS) to make hybrid films, and permeation characteristics of air and water vapor through these films were investigated. In all cases, gas permeabilities of hybrid films were lower than that of pure ABS films. The permeability decrease of oxygen was slightly larger than that of nitrogen, resulting in the little decrease of $O_2/N_2$ selectivity. In addition, the water vapor transfer rates (WVTR) of hybrid films were about half of ABS film's. The decrease of permeabilities may be owing to the increase of tortuosity for diffusion in hybrid films.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2012.05a
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pp.110.1-110.1
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2012
Recently, advances in ZnO based oxide semiconductor materials have accelerated the development of thin-film transistors (TFTs), which are the building blocks for active matrix flat-panel displays including liquid crystal displays (LCD) and organic light-emitting diodes (OLED). However, the electrical performances of oxide semiconductors are significantly affected by interactions with the ambient atmosphere. Jeong et al. reported that the channel of the IGZO-TFT is very sensitive to water vapor adsorption. Thus, water vapor passivation layers are necessary for long-term current stability in the operation of the oxide-based TFTs. In the present work, $Al_2O_3$ and $TiO_2$ thin films were deposited on poly ether sulfon (PES) and $SnO_x$-based TFTs by electron cyclotron resonance atomic layer deposition (ECR-ALD). And enhancing the WVTR (water vapor transmission rate) characteristics, barrier layer structure was modified to $Al_2O_3/TiO_2$ layered structure. For example, $Al_2O_3$, $TiO_2$ single layer, $Al_2O_3/TiO_2$ double layer and $Al_2O_3/TiO_2/Al_2O_3/TiO_2$ multilayer were studied for enhancement of water vapor barrier properties. After thin film water vapor barrier deposited on PES substrate and $SnO_x$-based TFT, thin film permeation characteristics were three orders of magnitude smaller than that without water vapor barrier layer of PES substrate, stability of $SnO_x$-based TFT devices were significantly improved. Therefore, the results indicate that $Al_2O_3/TiO_2$ water vapor barrier layers are highly proper for use as a passivation layer in $SnO_x$-based TFT devices.
Dunkel, Ralf;Bujas, Roko;Klein, Andre;Horndt, Volker;Wrosch, Matt
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2005.07a
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pp.589-593
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2005
It is well known that proper encapsulation is crucial for the lifetime of organic light emitting diode (OLED) displays. With the development of increasingly better barrier coatings and perimeter seals, it has now become very desirable to be able to precisely measure the rate of water vapor and oxygen permeation through barrier coatings and perimeter sealing. This paper demonstrates a new permeation measurement method that uses tritium-containing water (HTO) as a tracer material. The theoretical detection limit of this direct method is $2.4{\times}10^{-8}g/(m^2day)$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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