• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1429_1430
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• 2009

본 연구에서는 7인치 샘플패널의 가속 Aging 실험을 통해 Aging time(24hr~529hr)변화에 따른 오방전 발생 Mechanism을 분석하고자 했다. 상온에서 Aging time변화에 따른 정마진, 휘도, Vt close curve를 측정 하였고 시간과 온도(고온: $70^{\circ}C$, 상온: $25^{\circ}C$, 저온: $-20^{\circ}C$)에 따른 Discharge time lag의 변화양상을 측정하였다. 그리고 Sustain pulse수의 조절을 통해 패널의 Priming 조건을 제어하면서 오방전 발생 확률을 수치적으로 측정하였다. 실험을 통해, 패널의 Aging time이 늘어남에 따라서 상판의 MgO층에서 Sputtering현상이 발생하여 MgO 잔재들이 하판의 형광체 표면을 덮는 등 방전 개시 전압의 변화가 오방전 발생에 주요한 원인임을 알 수 있었다.