• 전자통신동향분석
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• 제13권3호통권51호
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• pp.27-41
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• 1998

본 고에서는 최근 들어 멀티서비스 통합망 솔루션으로 많은 관심을 끌고 있는 패킷 음성 기술에 대해 조사 분석한 내용을 기술한다. 패킷 음성 기술은 데이터 서비스 위주의 패킷망에 음성 트래픽을 통합하여 전달해 줌으로써 가입자 관점에서는 저가에 음성 서비스를 제공받게 되고, 망사업자 입장에서는 망 구축운용 비용의 절감과 망자원 사용 효율의 개선, 서비스 제공 능력의 강화에 의한 경쟁력 확보를 보장해 준다. 멀티서비스 통합 통신망의 구축은 초기에는 주로 업무용 가입자들을 주요 대상으로 WAN/LAN 도메인에서 진행이 되고, 이후 일반 가입자들을 대상으로 공중망으로 확산될 것으로 예상된다. 패킷 음성 기술의 기술적 대안으로는 인터넷을 통한 Voice over Internet (VoIP) 기술과 ATM 망을 통한 Voice and Telephony over ATM (VTOA) 기술 및 프레임 릴레이 망을 이용하는 Voice over Frame Relay (VoFR) 기술이 많은 관심을 끌고 있으며, 표준규격의 추진과 시스템 개발이 활발히 진행되고 있는 상태이다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2001년도 춘계학술발표논문집 (하)
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• pp.623-626
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• 2001

본 논문에서는 별도 장비에 의하여 음성 서비스와 ADSL 인터넷 접속 서비스를 각각 제공하는 현재의 통신망 환경에서 음성 서비스와 ADSL 서비스를 한 시스템에서 모두 제공하는 통합 액세스 장비를 이용한 액세스 망의 패킷화 방법과, VoATM/IP 게이트웨이를 이용한 중계망을 패킷화 방법, 그리고 통합 액세스 장비, VoATM/IP Gateway 그리고 SoftSwitch를 결합하여 통신망 전체를 패킷화 하는 차세대 통신망 진화 전략을 비교한다. 또한 경제성을 최대로 활용한 통신망 진화 전략과 패킷화 도입에 따른 고려사항을 방법을 도출하고자 한다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2002년도 추계학술발표논문집 (중)
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• pp.1301-1304
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• 2002

통신 환경이 변하면서, 기존의 서비스에 따라 크게 음성망과 패킷망으로 구분되던 망 구조가 하나의 통합된 망에서 모든 서비스를 제공하는 구조로 진화하고 있다. 그리고, 이러한 서비스를 가능하게 하는 기술로서 VoIP(Voice over IP)가 최근까지도 계속 각광받고 있다. 그러나, 많은 노력에도 불구하고, 음성서비스와 같은 실시간 서비스의 엄격한 품질 요구조건을 보장하는 문제 때문에 VoIP 기술의 실제 적용이 지연되고 있다. 이에 본 논문에서는 통합망의 패킷 전달망을 ACE2000 MPLS 시스템 기반의 MPLS 망으로 구축함으로써 음성서비스의 품질을 보장하는 망 구조를 제시하고자 한다. 아울러 TE Server를 이용해서, 음성호를 전달하는 ER-LSP(Explicit Routed Label Switched Path)를 설정하는 호 설정 절차를 제시하였다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2005년도 춘계학술발표대회
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• pp.1525-1528
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• 2005

본 논문에서는 초고속인터넷 망에서 VoIP 서비스 제공시 적용할수 있는 망별 QoS 제공기술을 소개하고 이러한 QoS 기술들을 이용하여 통화품질을 개선할수 있는 방안을 제시하였다 . 초고속인터넷망의 QoS 기술은 적용방법에 따라 다양한데 본 논문에서는 IEEE 802.1P, IP TOS 기술, DIFFFSERV 기술, Traffic classification & Queuing, ATM QoS 기술 등을 소개하고 이러한 기술을 사용하여 초고속인터넷망중 Metro EtherNet 망, ADSL 망을 중심으로 VoIP 서비스시 성능을 향상 할 수 있는 방안을 제시하였다

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2004년도 봄 학술발표논문집 Vol.31 No.1 (A)
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• pp.763-765
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• 2004

오늘날 인터넷은 가장 주목받고 있는 정보통신 혁명을 주도하였다. 회사, 연구소, 대학교 다양한 직장에서는 서브넷에 이더넷망을 구축하고, 백본망에는 FDDI, ATM 등의 다양한 고속망을 구축하여 인터넷 서비스를 제공받고 있는 상황이다. 아울러 가정이나 소규모 오피스에서는 홈 게이트웨이 장비를 활용하여 인터넷에 접속하고 있는 상황이다. 홈 게이트웨이 장비에 접속되어 PC에서 인터넷 전화, 데이터 통신을 하는 통신장비의 개발에 필수적이다. 본 논문에서는 홈 게이트웨이와 접속되는 이더넷 접속용 VoIP 장비를 임베디드 OS 환경하에서 개발하였다. 개발 환경으로는 STLC1502$^{[4]}$ 를 싱글 칩 솔루션으로, VxWorks$^{[6]}$ 를 RTOS로 활용하고, VoIP 표준 Protocol인 H.323$^{[5]}$ 뿐 아니라 DHCP, NAT, PPP를 채택하였으며 코딩 언어는 ANSIC 언어를 사용하였다. 홈 게이트웨이와 이더넷으로 접속되는 본 장비 황용은 이더넷 포트를 통한 PC상에서의 인터넷 서비스 및 본 장비에 장착된 인터넷 전화이다.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2001년도 가을 학술발표논문집 Vol.28 No.2 (3)
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• pp.187-189
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• 2001

사용자의 빠르고 좋은 서비스 욕구에 따라 점자 음성, 데이터, 영상을 포함하는 광대역 정보전달의 필요성을 가속화 시켰고 기술적 측면에서 전송기술, 교환기술, 서비스 기술 등 기존의 통신망의 인프라를 고급화가 이루어지고 있다. 본 논문에서는 이와 같은 사용자의 광대역에 대한 욕구를 가능하게 하는 VDSL (Very high bit-rate Digital Subscriber Line) 집중화 장치의 하드웨어와 소프트웨어 구조의 설계 및 구현과, 구현된 시스템의 VDSL 성능 측정에 대하여 기술하였다. 성능 측정 시험은 거리에 따른 전송속도의 성능을 고찰하였고 이 결과를 바탕으로 VoD (Video on Demand)시험을 하여 시스템 기능이 정상적으로 수행되는 것을 확인하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제9권1호
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• pp.21-24
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• 1988

The electrical conductivitv of the system $ThO_2-Ho_2O_3$ was measured in the temperature range 600-$1100^{\circ}C$ and $Po_2$range $10^{-5}-2{\times}10^{-1}$ atm. The mean value of activation energy was 1.45 eV. The observed conductivity dependence on $Po_2$ was ${Po_2}^{1/4}$ at $Po_2$'s above $10^{-3}$ atm and was independent on oxygen partial pressure at $Po_2$'s below $10^{-3}$ atm. It is suggested that these dependences are due to a mixed ionic plus electron hole conduction by Vo defect.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제7권5호
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• pp.341-346
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• 1986

The electrical conductivity of the system ${\alpha}-Fe_2O_3-CoO$ was measured in the temperature range 200-1000$^{\circ}C$ and PO$_{2}$ range 10$^{-7}-2{\times}10^{-1}$ atm. Possible defect models were suggested on the basis of conductivity data, which were measured as a function of temperature and of oxygen partial pressure. The observed activation energies were 0.50 eV and 1.01 eV in the low- and high-temperature regions, respectively. The observed conductivity dependences on PO$_{2}$ were ${\sigma}\;{\alpha}\;PO_2^{-1/6}$ in the PO$_{2}$ range $10^{-7}-10^{-4}$ atm and ${\sigma}\;{\alpha}\;PO_2^{-1/4}$ at PO$_{2}$ 's of $10^{-4}-2{\times}10^{-1}$ atm at temperatures from 300-1000$^{\circ}C$. An extrinsic electron conduction due to an Vo defect and an intrinsic electron conduction due to an Fei' defect were suggested at different temperature and oxygen partial pressure regions, respectively.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권7호
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• pp.722-730
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• 1997

The nonstoichiometry (x) of UO2+x and (Er0.06U0.94)O2+x has been in-situ measure against oxygen activity (Po2) at elevated temperatures by a coulometric titration method. From the dependence of the oxygen excess (x) of UO2+x on Po2 at 1000℃, it has been concluded that (2Vo2Oia2Oib)〃〃and (2Vo2Oia2Oib)' clusters are prevailing at low oxygen partial pressure [log(Po2/atm) -10.6] and at high oxygen partial pressure [log(Po2/atm) -10.6], respectively. The nonstoichiometry is found to be reduced with the addition of Er, which is ascribed to the fact that the fixed-valent Er3+ reduces the oxidation capacities of UO2+x. The enthalpy of oxygen incorporation in (Er0.06li0.94)O2+x has been evaluated from the mean valences of U-ion as -180±70 kJ/mole.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제2권3호
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• pp.131-136
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• 1996

The electrical conductivity of polycrystalline TiO2 samples was measured over the temperature range 1000°-1400℃ and from 0.21 to 10-16 atm of oxygen. Based on the excellent fit observed between the theoretically derived relatin σ3=(Aσ+B)Po2-1/2+D'σ2 and the experimental conductivity data, the nonstoichimetric defect structure of TiO2 was rationalized in terms of a defect model involving quasi-free electrons and both singly and doubly ionized oxygen vacancies. The standard enthalpy of formation for the following defect reactions in TiO2. (a) OO={{{{ { 1} over {2 } }}O2(g)+VO+e'; Δ{{{{ { H}`_{o } ^{a } }}=5.15(eV) (b) OO={{{{ { 1} over {2 } }}O2(g)+VO+2e'; Δ{{{{ { H}`_{0 } ^{ a} }}=6.30(eV) (c) VO=VO+e'; Δ{{{{ { H}`_{0 } ^{a } }}=1.15(eV) were determined from the temperature dependence of A and B obtained from the above relation and from the experimental expression between the electron mobility and temperature. The electrical conductivity of TiO2 in air below approximately 950℃ appears, on the basis of this investigation, to be impurity controlled due to the presence of aluminum rather than intrinsic conduction.