• 한국결정성장학회지
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• 제11권1호
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• pp.6-13
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• 2001

수직 Bridgman 방법으로 $Mg_xZn_{1-x}Te(0{\le}X{\le}0.48)$ 단결정을 성장하였다. 성장된 단결정의 결정구조는 X = 0~ 0.48 범위내에서는 zincblende 이었고, 성분이 증가함에 따라 격자 상수 값이 6.103$\AA$(X = 0.0)으로부터 6.239$\AA$(X = 0.48)까지 a(X)=6.103 + (0.33)X 를 만족하며 선형적으로 증가하였으며, 외사법에 의해 얻어진 zincblende MgTe의 격자상수는 6.433$\pm$0.002$\AA$로 주어졌다. 광전류 스펙트럼 측정 결과 $Mg_xZn_{1-x}Te$(X=0) 단결정의 에너지 띠 간격은 4.2K와 294K에서 각각 2.380 eV와 2.260eV 이었다. X 값에 따른 광전류 스펙트럼은 성분이 증가함에 따라 피크가 단파장 쪽으로 이동하였으며, X 값에 따른 에너지 띠 간격의 변화는 $E_g$(X)=b+(0.8)X를 만족하는 선형적인 변화를 보였다. 외사법으로부터 구한 zincblende MgTe의 에너지 띠 간격은 4.2K와 297K에서 각각 3.18ev와 3.06eV로 주어졌다. 또한 광전류 peak는 온도가 상승함에 따라 장파장 쪽으로 이동하였으며, 100K 이상의 온도에서 온도계수 $dE_g$/dT=-(5.6~$6.1){\times}10^{-4}$eV/K 이었다.

• 한국진공학회지
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• 제2권2호
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• pp.227-235
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• 1993

$SbS_{1-x}Se_xI,\;BiS_{1-x}Se_xI,\;Sb_{1-x}Bi_xSI,\;Sb_{1-x}Bi_xSeI,\;SbS_{1-x}Se_xI:Co,\;BiS_{1-x}Se_xI:Co,\;Sb_{1-x}Bi_xSI:Co$, and $Sb_{1-x}Bi_xSeI:Co$ single crystals were grown by the vertical Bridgman method using the ingots. It has been found that these single crystals have an orthorhombic structure and indirect optical transition. The composition dependences of energy gaps are given by $E_g(x)=E_g(0)-Ax+Bx^2$. The impurity optical absorption peaks due to cobalt deped with impurity are attributed to the electron transitions between the split energy levels of $Co^{2+}$ and $Co^{3+}$ ions sited at $T_d$symmetry of the host lattice.