• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제11권1호
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• pp.11-15
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• 1990

The temperature dependence of electrical conductivities and thermoelectric power of $I_2$-doped poly(1,4-penylene vinylene-co-2,5-dimethoxy-1,4-phenylene vinylene)s [poly(PV-co-DMPV)] and poly(1,4-phenylene vinylene-co-2,5-thienylene vinylene)s [poly(PV-co-TV)] were studied. The former copolymers were also doped with $FeCl_3$. All the samples used were in thin film forms. The temperature dependence of electrical conductivity implies that the variable range hopping conduction mechanism applises to these systems. The activation energy for the electrical conduction in dimethoxy-phenylene vinylene (DMPV) copolymers ranged from about 7 to 30 meV depending on the polymer composition and the nature of the dopant. It was significantly higher for $I_2$-doped thienylene vinylene (TV) copolymers, namely 90-200 meV. The values of the room temperature thermoelectric power were $30-70{\mu}V/K$ for DMPV copolymer and $100-800{\mu}V/K$ for TV copolymers. Anisotropy in the electrical conductivities was also studied for oriented films obtained by uniaxial stretching of the precursor polymer films.

• 공업화학
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• 제9권3호
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• pp.342-347
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• 1998

경량성의 전도성복합수지는 전도성고분자인 폴리피롤과 폴리티오펜이 다공성의 가교폴리스티렌의 내부에 분산되어 전도성네트워크를 형성시킴으로 제조된다. 높은 다공성과 친유성의 특성을 갖는 호스트고분자는 고농축에멀션중합방법을 이용하여 합성하고 전도성복합수지는 이 호스트고분자를 이용하여 이단계 함침방법으로 제조한다. $FeCl_3$을 개시제와 혼입체로 사용하여 제조한 폴리피롤복합수지의 전기전도도는 0.82 S/cm이며, $FeCl_3$-아세토니트릴을 개시제로 사용하여 제조한 폴리티오펜복합수지는 전기전도도가 6.05 S/cm에 이른다. 전도성복합수지의 전기전도도는 사용된 산화제 용매와 초기산화제와 단량체 몰비율에 크게 영향을 받는다. 전자현미경조사에 의하면 전도성고분자가 다공성 호스트고분자 내부벽에 필림을 형성한다. 폴리피롤소재복합수지와 폴리티오펜소재복합수지의 전기차단효율은 2.0 GHz에서 각각 15.2dB와 22.5dB였다. 20K-300K의온도범위에서 저항의 온도의존성에 대한 실험결과에 의하면 전도성복합수지는 반도체특성을 보이고 전기전도기구는 전형적인 VRH모델을 따른다.

• 한국자기학회지
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• 제17권2호
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• pp.81-85
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• 2007

분자선 증착법을 이용하여 MnTe 박막을 Si(100):B 및 Si(111) 기판 위에 성장시켰다. 두개의 K-cell을 사용하여 기판온도 $400^{\circ}C$ 및 Te가 풍부한 조건에서 MnTe 합성이 잘 이루어졌다. 이 경우 증착속도는 $1.1 {\AA}/s$이었고 성장된 층의 두께는 $700{\AA}$ 정도이었다. 합성된 MnTe 박막들에 대하여 X선회절, 초전도 양자 간섭계, Physical Property Measurement System, 홀효과 측정 등을 사용하여 그 구조적, 자기적, 전기적 특성들을 조사하였다. X선회절 측정 결과 Si(100) : B및 Si(111)기판 위에 성장된 MnTe는 다결정성의 hexagonal 구조를 나타내었으며, 자기적, 전기적 특성 측정 결과 분말형태의 MnTe와 비교하여 매우 다른 특성을 나타내었다. Zero-field-cooling(ZFC) 및 field-cooling(FC) 조건에서 취해진 자화율 측정에서 다결정 박막은 21 K, 49K, 210K 근처에서 자기적 전이 현상을 보였으며, ZFC와 FC 자화율 사이의 큰 불가역성이 나타났다. MnTe박막의 5K와 300K에서의 자기이력곡선은 강자성 상태를 나타내었으며 잔류자화값과 보자력은 5 K에서 $M_R= 3.5emu/cm^3$와 $H_c=55Oe$를, 300 K에서 $M_R= 2.1emu/cm^3$와 $H_c=44Oe$로 나타났다. 전기수송 특성 측정 결과, 온도에 따른 비저항은 저온에서 Mott variable range hopping 전도특성을 나타내는 전형적인 반도체 성질을 보여주었다.

• 한국자기학회지
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• 제17권2호
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• pp.86-89
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• 2007

고압으로 제조된 $FeCr_2Se_4$의 전기 및 자기적 특성을 연구하기 위해 XRD, SQUID, 중성자회절, 비저항 측정 및 Mossbauer 분광실험을 수행하였다. 비저항 측정결과 온도전반에 걸쳐 반도체적 거동을 보였으며, 온도가 증가함에 따라 저항이 급격하게 감소하는 구간 I(T<20 K)와 온도가 증가함에 따라 저항이 천천히 감소하는 구간 II(T>42 K)으로 2의 구간으로 구분하여 각 각 Mott-VRH(variable range hopping)모델, small polaron 모델을 이용하여 갭 에너지를 계산하였다. 중성자회절실험 분석치를 비교한 결과 110K 이하에서 ferromagnetic 결합이 크게 작용하며, 110 K이상 Neel 온도 이하에서는 격자상수의 급격한 증가론 관찰할 수 있었다. $M\"{o}ssbauer$ 분광실험 결과, 자기 이중극자 상호작용에 대한 전기 사중극자 상호작용의 비 R값이 온도 상승과 더불어 증가하다가 55 K 부근에서 최대치를 형성한 후 Neel 온도로 접근함에 따라 급격히 감소한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제36권3호
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• pp.275-279
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• 2023

La_0.7Sr_0.3-xMg_xMnO₃ (LSMMO) (x=0.05~0.20) specimens are fabricated by a solid phase sintering method, and the sintering temperature and time are 1,300℃ and 2 hours, respectively. The dependence of the crystalline structure according to the amount of Mg²⁺ contents is not observed, and all specimens show a polycrystalline rhombohedral crystal structure, the X-ray diffraction (110) peaks move to the high angle side with increasing the amount of Mg²⁺ contents. LSMMO specimens exhibit a granule-shaped microstructure with an average grain size of 1 ㎛ or less. Resistivity gradually decrease as the amount of Mg²⁺ contents increased. And in the La_0.7Sr_0.1Mg_0.2MnO₃ specimen, resistivity and B_25/65-value are 36.7 Ω-cm and 394 K at room temperature, respectively. LSMMO specimens show a variable-range hopping (VRH) electrical conduction mechanism, and the negative temperature of coefficient of resistance (NTCR) is approximately 0.37~0.38%/℃.