• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 춘계학술대회
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• pp.722-725
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• 2012

본 논문에서는 프로그램 된 eFuse 링크의 센싱 저항이 작으면서 기준 전압없이 BL 데이터를 센싱가능한 differential paired eFuse 셀을 사용하여 BCD 공정 기반의 8비트 eFuse OTP를 설계하였다. Differential eFuse OTP 셀의 프로그램 트랜지스터의 채널 폭은 $45{\mu}m$과 $120{\mu}m$으로 split하였다. 그리고 프로그램된 eFuse 저항의 변동을 고려한 variable pull-up load를 갖는 센싱 마진 테스터(sensing margin test) 회로를 구현하였다. $0.35{\mu}m$ BCD 공정을 이용하여 제작된 8bit eFuse OTP IP를 측정한 결과 프로그램 트랜지스터의 채널 폭이 $120{\mu}m$인 OTP IP의 수율이 $45{\mu}m$인 OTP IP보다 양호한 것으로 나타났다.