Closing switch, key component of pulsed power system, is constructed simply and used frequently due to the easy control and manufacture of one. The kind of one are spark-gap, triggered vacuum switch, pseudo-spark switch and INPIStron. But the electrode of spark gap switch is damaged with the hot spot by Z-pinch and then the life of one become short. INPIStron with inverse pinch effect has long life but it is difficult trigger system to provide uniform discharge between cathode and anode. In this paper, the design and manufacturing of INPIStron with gas puffing trigger method in order to supply uniform discharge inter-electrode and the performance of the developed INPIStron applied to 500[kA]-2[MJ] pulsed power system is presented.
For the design of real applicable molecular devices, current-voltage properties through molecular nanostructures such as metal-molecule-metal junctions (molecular junctions) have been studied extensively. In thiolate monolayers on the gold electrode, the chemical bonding of sulfur to gold and the van der Waals interactions between the alkyl chains of neighboring molecules are important factors in the formation of well-defined monolayers and in the control of the electron transport rate. Charge transport through the molecular junctions depends significantly on the energy levels of molecules relative to the Fermi levels of the contacts and the electronic structure of the molecule. It is important to understand the interfacial electron transport in accordance with the increased film thickness of alkyl chains that are known as an insulating layer, but are required for molecular device fabrication. Thiol-tethered RuII terpyridine complexes were synthesized for a voltage-driven molecular switch and used to understand the switch-on mechanism of the molecular switches of single metal complexes in the solid-state molecular junction in a vacuum. Electrochemical voltammetry and current-voltage (I-V) characteristics are measured to elucidate electron transport processes in the bistable conducting states of single molecular junctions of a molecular switch, Ru(II) terpyridine complexes. (1) On the basis of the Ru-centered electrochemical reaction data, the electron transport rate increases in the mixed self-assembled monolayer (SAM) of Ru(II) terpyridine complexes, indicating strong electronic coupling between the redox center and the substrate, along the molecules. (2) In a low-conducting state before switch-on, I-V characteristics are fitted to a direct tunneling model, and the estimated tunneling decay constant across the Ru(II) terpyridine complex is found to be smaller than that of alkanethiol. (3) The threshold voltages for the switch-on from low- to high-conducting states are identical, corresponding to the electron affinity of the molecules. (4) A high-conducting state after switch-on remains in the reverse voltage sweep, and a linear relationship of the current to the voltage is obtained. These results reveal electron transport paths via the redox centers of the Ru(II) terpyridine complexes, a molecular switch.
Crowbar system Vacuum switches, widely used In a pulsed power system, could use the magnetic force to prevent the electrode damage. Vacuum switches using the magnetic forces are classified roughly into RMF(Radial Magnetic Field) and AMF(Axial Magnetic Field) type. The RMF type switches restrain a main electrode from aging due to high temperature and high density arc by rotating the arc which is driven by the Lorenz force. The AMF type switches generate axial magnetic field which decreases the electrode damage by diffusing arc. In this paper, we present the energy loss characteristics of both RMF and AMF type switches which are made of CuCr(75:25 wt%) electrodes. The time-dependent dynamic arc resistance of high-current pulsed discharge in a high vacuum chamber(~10$^{-6}$ Torr). which occurs in RMF and AMF type switches, was obtained by solving the circuit equation using the measured values of the arc voltage and current. In addition, we compared energy loss characteristics of both switches. Based on our results, it was found that the arc voltage and the energy loss of an AMF type switch are lower than a RMF type switch.
A TVS(triggered vacuum switch) use in high-power, high-current, and high-frequency conversion and switching circuits. The TVS has a six-gap trapezoidal rod electrode system. The electrode system consists of three cathode and anode rods which are made with OFHC. The trigger unit of the TVS is located at the cathode base center. To obtain a wide variety of characteristics this paper describes the results of tests.
펄스파워 시스템의 핵심은 스위치로서 현재까지 상당히 많은 종류가 개발되어 왔다. 이들 스위치는 구조 및 성능에 따라 장단점이 다르므로 목적에 적합한 시스템을 고려해 선택하여 사용되어 왔다. 일예로 펄스폭이 긴파형의 전류는 아크를 소화할수 있는 장치가 필요하다. 따라서 본 논문에서는 진공중의 두전극
(anode - cathode)을 나선형으로 제작하여 실험 하였다. 이방식은 결과적으로 아크를 회전시켜서 소호를 시키는 방식을 이용하였는데 전극의 수명을 연장시키는 효과를 얻을수 있었다.
Park Seung-Jae;Suh Yoon-Taek;Kim Dae-Won;Kim Maeng-Hyun;Song Won-Pyo;Koh Hee-Seog
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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제5C권4호
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pp.145-151
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2005
The synthetic breaking test method was developed to evaluate the breaking performance of ultra high-voltage circuit breaker and made up of two independent circuits; current source circuit and voltage source circuit. In application of this test method, it is necessary to extend the arc of the test breaker. So, the new re-ignition system using VTGS (Vacuum Triggered Gap-Switch) was constructed to improve the efficiency and reliability of this test. In this re-ignition system, VTGS operates in high vacuum state of $5{\time}10^{17}$torr and control system consists of the triggering device and the air M-G (Motor-Generator). This re-ignition system showed the operating characteristics, such as delay time ($t_d$) and jitter time ($t_j$ not exceeding 5us and 1us respectively, and had the operating voltage of $25\~150kVdc$ at the gap distance of 24mm.
고전압 대전류 시스템에 사용하는 스위치의 기본 요구조건은 저가, 긴 수명, 적은 지터와 대용량 그리고 seal-off 형태로 쉽게 설치하여 운전하는 것이다. 본 논문은 고전압 대전류용 Seal-off TVS (Triggered Vacuum Switch)를 개발하는 것을 목적으로 하고있다. 제작한 TVS는 양전극과 음전극이 교대로 고정된 간격으로 각각 3개의 전극으로 배열되어 있으며 전극은 사다리꼴 모양으로 되어있고 트리거 시스템과 개스를 흡수하는 게터가 내부에 설치되어 있다. 제작한 스위치 내부는 약 $10^{-7}$ torr의 진공상태를 유지하고 있으며 세라믹 챔버를 사용하여 Seal-off 상태로 설계, 제작하였다. TVS의 에너지 최고 전달량은 74 C 이며 30 kV, 100 kA, $1{\sim}2$ ms의 스위치를 제작하여 시험을 하였다. 스위치 시험 장치는 200 ${\mu}F$, 22 kV 6개를 병렬로 연결한 커패시터 뱅크와 160 ${\mu}H$의 인덕터와 0.2 ${\Omega}$의 저항을 이용하여 시험 장치를 구성하였다. 본 논문은 제작한 스위치의 전기적인 특성 시험한 결과에 대하여 논하고자 한다.
In the technique of Q-switching, very fast electronically controlled optical shutters can be made by using the electro-optic effect in crystals or liquids. The driver for the Pockels cell must be a high-speed, high-voltage switch which also must deliver a sizeable current. Common switching techniques include the use of vacuum tubes, cold cathode tubes, thyratrons, SCRs, and avalanche transistors. Semiconductor devices such as SCRs, avalanche transistors, and MOSFETs have been successfully employed to drive Pockels cell Q-switch. In this study, a simple driver for the Pockels cell Q-switch was developed by using SCRs, pulse transformer and TTL ICs. The Pockels cell Q-switch which was operated by this driver was employed in pulsed Nd:YAG laser system to investigate the operating characteristics of this Q-switch. And we have investigated the output characteristics of this Q-switch as a function of the Q-switch delay time to Xe flashlamp current on.
The purpose of this experiment was to develope Triggered Vacuum Switch(TVS) and to improve understanding of the high current vacuum arc phenomena in the TVS. The TVS has an array of rods of alternate polarity in which a fixed gap spacing is maintained between the rods. The cross section of each rod has trapezoidal shape. Breakdown of the TVS produced high current vacuum arc plasma. A spectroscopic measurement was performed over 20 kA peak current in the center of electrodes, in the vicinity of cathode, and outside electrodes. The electrode material tested was Fe. Measured Fe spectrum range was from 200 nm to 900 nm. Measurement result showed that over 90 percent of the charge states were FeII and the others were FeI and FeIII. The electron temperature was determined from the relative line intensity ratio methode of FeII system by assuming the local thermal equilibrium(LTE). The electron temperature at the center of electrodes was measured as 1.5 eV at 26 kA peak current. The electron temperature varied with its peak current. Intensity of spectrums is the highest in the vicinity of the cathode. Further we will also present study result of the diode phenomena in the TVS.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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