Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.197-197
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2000
AC-PDP의 구동 요소 중 중요한 것은 벽전하와 그로부터 유도되는 벽전압, 그리고 프라이밍입자(priming partical)의 밀도 변화라고 할 수 있다. 패널의 초기화가 전구간의 방전을 좌우하기 때문에 초기화 펄스의 기울기에 따른 방전현상을 이해하고자 각 구간에서의 전기-광학적 특성과 함께 휘도와 효율의 관점에서 연구 조사하였다. 본 실험에서 사용한 reset 펄스파형은 셀의 방전개시전압과 인가전압사이의 차이가 적고, 초기 프라이밍 입자와 단위시간당 전자에 공급되는 에너지가 적은 램프형태의 초기화 펄스를 사용하였다. 실험장치는 VDS(versatile driving simulator)시스템을 이용하였다. 실험결과 reset의 기울기가 커질수록 반응시간이 빨라지며, 약방전의 형태를 고속이미지로 확인하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.199-199
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2000
본 실험은 궁극적으로 coplanar AC-PDP 구동의 고효율(η)과 고화질을 목표로 두고 있는 기초 물리실험이다. AC-PDP의 최적화는 이 외에 많은 요소를 가지고 있으므로 다각도로 고찰하여야 한다. 이번 연구에서는 VDS(versatile driving simulator)를 이용하여 ramp resets pulses에서의 addressibility를 dynamic margin의 관점에서 조사하였다. AC-PDP panel의 구조는 R,G,B 3개의 cell이 모여 한 개의 화소를 이루고 있으며, R,G,B 각각의 Vf가 다르게 Va가 각각 다르다. 그러므로 실험을 통해 panel에서 R,G,B의 Vf-Va 공통 영역을 최적화하려는데 의미를 두고 있다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.203-203
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2000
VDS(Versatile Driving Simulator) 시스템을 이용하여 방전유지전압펄스의 휴지기 변화에 따른 공간전하의 거동과 벽전하, 벽전압 및 효율 특성을 연구하였다. 이때 휴지기 변화에 따른 실험을 위하여 방전유지전압의 진동수 및 duty ratio를 변화시켰고, 사용된 테스트 패널은 전극폭 260um, 전극간격 100um, 격벽높이 120um, 기압은 400Torr로 Ne-Xe(4%) 기체를 사용하였다. 이 결과로부터 방전유지전압펄스의 휴지기 변화에 따른 벽전하, 벽전압 및 효율 측정을 통하여 최적의 방전유지전압펄스의 조건을 결정할 수 있으며, 이는 AC PDP의 효율 향상에 기여할 것으로 판단되어 진다.
According to the National Space Program of Korea, KARI (Korea Aerospace Research Institute) has been developing a large space simulator (working dimension; $\Phi8m\;\times\;L10m$) to verify the performance of future large satellites under the space environment conditions. Especially, a very low temperature condition of space will be simulated by shrouds covering the inside surface of the vessel. The surface of shrouds will be cooled down to 17K by liquid nitrogen (LN2) from ambient temperature and hence, an optimal LN2 circulation system design is necessary to remove gaseous nitrogen (GN2) sufficiently and maintain the shrouds at the LN2 temperature.
Effect of design factors on the performance of vacuum system was simulated for optimum design of system. In this investigation, the feasibility of modelling mechanism for $VacSim^{Multi}$ simulator was proposed. Simulation results of pumping design factor showed the possibilities of simulation fore-study for the detailed design factors. Simulation of roughing pump presented the expected pumping behaviors based on the specifications of commercial pump. Application of booster pump exhibited the high pumping efficiency for middle vacuum range. Combinations of optimum backing pump for diffusion and turbo vacuum system were obtained. And, the characteristics of process application of both systems were also acquired.
Nowadays, in our country, large vacuum chambers for huge experimental facilities such as the tokamak fusion device, high power neural beam test stand, and space simulator have been constructed. In such a vacuum chamber of very large size, it is quite complicate to check on leakage quantitatively, while the probability of a leak is relatively high. To investigate the feasibility of applying reliably a helium leak detection to the huge vacuum chambers, and to find a reasonable methodology of choosing an optimum set-up for leak detection, several virtual constructions of the leak detection system have been analyzed by calculating the pressure distribution in the system and the helium level in the sensor part.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.35
no.6
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pp.576-580
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2022
Semiconductor devices have evolved from 2D planar FETs to 3D bulk FinFETs, with aggressive device scaling. Bulk FinFETs make it possible to suppress short-channel effects. In addition, the use of low-k dielectric materials as a vacuum gate spacer have been suggested to improve the AC characteristics of the bulk FinFET. However, although the vacuum gate spacer is effective, correlation between the vacuum gate spacer and the short-channel-effects have not yet been compared or discussed. Using a 3D TCAD simulator, this paper demonstrates how to optimize bulk FinFETs including a vacuum gate spacer and to suppress short-channel effects.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.602-602
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2012
TCAD simulation을 이용하여 국부적 후면 접촉 구조를 가지는 단결정 실리콘 태양전지구조를 형성하고 실리콘 기판과 후면 passivation막 사이의 계면 특성 변화에 따른 태양전지의 전기적, 광학적 특성 변화에 대해서 연구하였다. 상기 연구를 진행하기 위하여 process simulator를 이용하여 후면에 국부적인 doped BSF region을 형성하고 device simulator를 이용하여 실리콘 기판과 후면 passivation막 사이의 carrier recombination 특성을 변화시켜 태양전지의 광학적, 전기적 특성을 분석하였다. Carrier recombination velocity의 감소에 따라 국부적 후면 접촉구조를 갖는 태양전지의 특성이 증가하는 것으로 관찰되었다. 이는 후면에서 실리콘과 박막 사잉의 결함이나, dangling bond에 의해서 carrier들이 재결합하는 확률이 줄어듦과 동시에, 후면 전극에서 carrier를 수집할 수 있는 확률이 커지기 때문이며, 800 nm 이상의 장파장영역 광원이 후면 passivation 박막에 의한 reflection으로 이차적인 carrier generation으로 인한 영향으로 판단되며 quantum efficiency 분석으로 규명하였다.
A space averaged $SiH_4/O_2/Ar$ simulator for the high density inductively coupled plasma sources for $SiH_4/O_2/Ar$ discharge is developed. The developed simulator uses space averaged fluid equations for electrons, positive ions, negative ions, neutral species, and radicals in $SiH_4/O_2/Ar$ plasma discharge, and the electron heating model including the anomalous skin effect. Using the developed simulator, the dependency of the density of charged particles, neutral particles, and radicals, the electron temperature, the plasma resistance, and the power absorption coefficient for the RF power and pressure is calculated.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.202-202
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2012
염료감응태양전지(DSSC)의 광변환 효율을 향상시키기 위하여 진공챔버에서 450도 고온에서 O2, Ar, and N2 혼합가스를 주입하여 다양한 plasma로 TiO2 박막을 처리하면서 소성시켰다. TiO2 표면을 cleaning하고 활성화함으로서 염료의 결합력을 향상시키는 것 외에 TiO2 내부의 oxygen vacancy를 변화를 관찰하였다. 실험에 사용한 박막은 glass 위에 FTO 박막을 입히고, 다공성 TiO2 나노입자 박막을 코팅하여 제조하였다(porous TiO2 나노입자(${\sim}12{\mu}m$)/FTO(Fluorine doped Tin oxide; $1{\mu}m$)/glass). 완성된 광전극에 대해서 XRD, XPS, EIS, FE-SEM 등을 이용하여 분석하였다. 또한 이렇게 전처리된 광전극을 사용한 DSSC를 제작하였다. 그리고 Solar-simulator를 통해 그 효율을 측정하여 '플라즈마환경에서 소성된 광전극에 대한 DSSC의 광변환효율에 미치는 효과'을 고찰하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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