• 제목/요약/키워드: VDD Sensitivity

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Single-Pass VDD 심파를 위한 자동화된 심장 박동기 탈분극파 검출 알고리즘의 효용성 (Behavior of an Automatic Pacemaker Sensing Algorithm for Single-Pass VDD Atrial Electrograms)

  • 김정국;이승한;허웅
    • 전기전자학회논문지
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    • 제5권2호
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    • pp.182-189
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    • 2001
  • Single-pass VDD 심장 박동기(pacemaker)는 하나의 리드만 이식하는 수술 과정의 단순함과 하나의 리드만으로 심방 탈분극파를 적절히 검출하여 심방-심실 탈분극의 연속성(A-V sequence)을 이를 수 있다는 이유로 널리 사용되고 있으나, 검출의 신뢰도에 대해서는 여전히 논의의 대상이 되고 있다. 본 논문에서는 논의의 대상이 되고 있는 심방 탈분극파 검출을 개선하기 위하여 자동화된 심장 박동기 심파 검출 알고리즘을 9명의 환자로부터 얻은 Single-pass VDD 심파에 적용하고, 실제 심파 검출과정에서의 동작 특성을 관찰하였다. 자동화된 검출 알고리즘은 최근에 검출된 두 개의 intrinsic 탈분극파 진폭의 평균치를 계산하여 그 평균치의 50%로 검출 문턱치를 매 박동마다 조정하는 매우 단순한 방법으로, 자동화된 검출 알고리즘의 핵심인 문턱 전압 검출치의 자동적 조정만으로도 Single-pass VDD 심방 탈분극파 검출을 개선할 수 있음을 확인하였다.

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NVM IP용 저전압 기준전압 회로 설계 (Design of Low-Voltage Reference Voltage Generator for NVM IPs)

  • 김명석;정우영;박헌;하판봉;김영희
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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    • pp.375-378
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    • 2013
  • 본 논문에서는 EEPROM이나 MTP 등의 NVM 메모리 IP 설계에 필요로 하는 PVT(Process-Voltage-Temperature) 변동에 둔감한 기준전압(Reference Voltage) 회로를 설계하였다. 매그나칩반도체 $0.18{\mu}m$ EEPROM 공정을 이용하여 설계된 BGR(Bandgap Reference Voltage) 회로는 wide swing을 갖는 캐스코드 전류거울 (cascode current-mirror) 형태의 저전압 밴드갭 기준전압발생기 회로를 사용하였으며, PVT 변동에 둔감한 기준전압 특성을 보이고 있다. 최소 동작 전압은 1.43V이고 VDD 변동에 대한 VREF 민감도(sensitivity)는 0.064mV/V이다. 그리고 온도 변동에 대한 VREF 민감도는 $20.5ppm/^{\circ}C$이다. 측정된 VREF 전압은 평균 전압이 1.181V이고 $3{\sigma}$는 71.7mV이다.

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A Pacemaker AutoSense Algorithm with Dual Thresholds

  • Kim, Jung-Kuk;Huh, Woong
    • 대한의용생체공학회:의공학회지
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    • 제23권6호
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    • pp.477-484
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    • 2002
  • A pacemaker autosense algorithm with dual thresholds. one for noise or tachyarrhythmia detection (noise threshold, NT) and the other for intrinsic beat detection (sensing threshold. ST), was developed to improve the sensing performance in single pass VDD electrograms. unipolar electrograms, or atrial fibrillation detection. When a deflection in an electrogram exceeds the NT (defined as 50% of 57), the autosense algorithm with dual thresholds checks if the deflection also exceeds the ST. If it does, the autosense algorithm calculates the signal to noise ratio (SNR) of the deflection to the highest deflection detected by NT but lower than ST during the last cardiac cycle. If the SNR 2, the autosense algorithm declares an intrinsic beat detection and calculates the next ST based on the three most recent intrinsic peaks. If the SNR $\geq$2, the autosense algorithm checks the number of deflections detected by NT during the last cardiac cycle in order to determine if it is a noise detection or tachyarrhythmia detection. Usually the autosense algorithm tries to set the 57 at 37.5% of the average of the three intrinsic beats, although it changes the percentage according to event classifications. The autosense algorithm was tested through computer simulation of atrial electrograms from 5 patients obtained during EP study, to simulate a worst sensing situation. The result showed that the ST levels for autosense algorithm tracked the electrogram amplitudes properly, providing more noise immunity whenever necessary. Also, the autosense algorithm with dual thresholds achieved sensing performance as good as the conventional fixed sensitivity method that was optimized retrospectively.

0.35㎛ CMOS 저전압 저전력 기준 전압 및 전류 발생회로 (0.35㎛ CMOS Low-Voltage Low-Power Voltage and Current References)

  • 박찬영;황정현;조민수;양민재;윤은정;유종근
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2015년도 추계학술대회
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    • pp.458-461
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    • 2015
  • 본 논문에서는 저전압, 저전력 회로에 적합한 2가지 유형의 기준전압 발생회로와 1가지 유형의 기준전류 발생회로를 제안하고, $0.35{\mu}m\;CMOS$ 공정을 이용하여 설계하였다. 저전압, 저전력 특성을 얻기 위해 약반전(weak inversion) 영역에서 동작하는 MOS 트랜지스터를 사용하고, bulk-driven 기법을 이용하였다. 첫 번째 기준전압 발생회로는 1.2V의 공급전압에서 1.43uA의 전류를 소비하며, 585mV의 기준전압과 $6ppm/^{\circ}C$의 온도특성을 갖는다. 두 번째 기준전압 발생회로는 0.3V의 공급전압에서 48pW의 전력을 소비하며, 172mV의 기준전압과 $26ppm/^{\circ}C$의 온도특성을 갖는다. 기준전류 발생회로는 0.75V의 공급전압에서 246nA의 전류를 소비하며, 32.6nA의 기준전류와 $262ppm/^{\circ}C$의 온도특성을 갖는다. 모의실험을 통해 설계된 기준회로들의 성능을 검증하였다.

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