• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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• pp.1025-1028
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• 2005

Microcrystalline Si (${\mu}c-Si$) TFTs were fabricated using a conventional bottom gate amorphous Si (a-Si) process. A unique ${\mu}c-Si$ deposition technique and TFT architecture was proposed to enhance the reliability of the TFTs. This three-mask TFT fabrication process is comparable with existing a-Si TFT procesess. In order to suppress nucleation at the bottom interface of Si, before deposition of the ${\mu}c-Si$ an $N_2$ plasma passivation was conducted. A typical transfer characteristic of the TFTs shows a low off-current with a value of less than 1 pA and a sub threshold slop of 0.7 V/dec. The DC stress was applied to verify the use of ${\mu}c-Si$ TFTs for AMOLED displays. After 10,000 s of application of the stress, the off-current was even lowered and sub-threshold slope variation was less than 5%. For AMOLED displays, OLED pixel simulation was performed. A pixel current of 13 ${\mu}A$ was achieved with $V_{data}$ of 10 V. After the simulation, a linear equation for the pixel current was suggested.

• 한국진공학회지
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• 제9권2호
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• pp.99-101
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• 2000

Submicron aperture 제작 기술은 near field optical sensor 또는 liquid metal ion source에 응용될 수 있는 가능성으로 인해 흥미를 모으고 있다. 본 실험에서는 submicron aperture 제작에 대해 기술할 것이다. 먼저 2 $\mu\textrm{m}$크기의 dot array를 광학 리소그라피 방법으로 패턴화하였다. KOH 비등방성 식각 방법으로 V-groove형을 만든 후, $1000^{\circ}C$에서 600분동안 건식 산화작업을 거쳤다. 이 산화과정에서 결정 방향에 따라 산화율이 달라지게 되는데 Si(111)면은 Si(100)면에 비해 산화율이 커서 두꺼운 산화막이 형성되며, 이 막은 연이은 건식식각 과정에서 etch-mask로 활용된다. Reactive ion etching은 ICP (Inductively Coupled Plasma) 장비를 사용하였으며, V-groove의 바닥에 형성된 90nm두께의 SiO$_2$와 그 아래의 Si을 식각하였다. 이 때, 기판에 걸린 negative bias는 $Cl_2$ RIE의 anisotropic etchig 효과를 증대시키는 것 같았으며, SEM촬영 결과 식각 후에 Si(111)면 위에는 약 130 nm정도의 산화층이 잔류하고 있었다. 이렇게 형성된 Si aperture는 향후 NSOM sensor등에 적용될 수 있을 것이다.

• 한국진공학회지
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• 제22권3호
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• pp.150-155
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• 2013

태양전지의 표면에 텍스쳐 구조를 형성하면 빛의 반사율을 줄일 수 있으므로 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있다. 또한 표면의 텍스쳐 구조는 넓은 파장대역에서 빛의 반사를 줄여주기 때문에 다중접합 III-V화합물 태양전지에 아주 유용하다. 본 연구에서는 얇은 Pt층을 식각 마스크로 사용하여 다중접합 III-V태양전지의 window층으로 사용되는 InAlP층에 다양한 텍스쳐 구조를 형성하고 반사율을 측정하였다. 습식식각에 의해 나노미터 크기로 형성된 피라미드 꼴 텍스쳐 구조는 $0.3{\sim}1.5{\mu}m$의 넓은 파장영역에서 빛의 반사율을 13.7%까지 감소시켰다.

• 한국재료학회지
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• 제8권3호
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• pp.263-267
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• 1998

본 연구에서는 금속 칼날 마스크와 펄스형 레이저 증착장치를 이용하여 $YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$/$SrTiO_{3}$/$YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$ 다층박막 형태의 In-situ SIS ramp dege 형태의 접합을 제작하였으며, 이의 특성을 조사하였다. 접합은 RSJ 형태의 전류-전압 특성ㅇ르 나타내고 있으며, 온도 변화에 따른 접합의 normal resistance는 약 $18 \omega$으로 온도에 무관하게 일정한 값을 나타내었다. 접합형태를 이용하여 감도(transfer function, dV/$d\Phi$)가 약 $22\mu$V/$\Phi_{0}$인 dc-SQUID센서를 제작하였으며, in-situ SIS ramp edge 형태의 접합이 센서로의 응용가능성을 충분히 가지고 있음을 보여 주었다.

• IMMUNE NETWORK
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• 제21권1호
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• pp.9.1-9.8
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• 2021

The most important characteristics of coronavirus disease 2019 (COVID-19) transmission that makes it difficult to control are 1) asymptomatic and presymptomatic transmission, 2) low incidence or lack of dominant systemic symptoms such as fever, 3) airborne transmission that may need a high infectious dose, and 4) super-spread events (SSEs). Patients with COVID-19 have high viral loads at symptom onset or even a few days prior to symptom onset, and most patients with COVID-19 have only mild respiratory symptoms or merely pauci-/null-symptoms. These characteristics of the virus enable it to easily spread to the community because most patients are unaware of their potential infectivity, and symptom-based control measures cannot prevent this type of transmission. Furthermore, severe acute respiratory syndrome coronavirus 2 (SARS-CoV-2) is also capable of airborne transmission in conditions such as aerosol-generating procedures, under-ventilated indoor spaces, and over-crowded areas. In this context, universal mask-wearing is important to prevent both outward and inward transmission until an adequate degree of herd immunity is achieved through vaccination. Lastly, the SSEs of SARS-CoV-2 transmission emphasize the importance of reducing contacts by limiting social gatherings. The above-mentioned transmission characteristics of SARS-CoV-2 have culminated in the failure of long-lasting quarantine measures, and indicate that only highly effective vaccines can keep the communities safe from this deadly, multifaceted virus.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1440-1441
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• 1995

We fabricated diode-type silicon field emitter array device and tested the current-voltage characteristics. Silicon oxide layer having the thickness of $1{\mu}m$ is grown in the (100) oriented n-type silicon substrates. Oxide layer is patterned by the mask with $10{\mu}m$ diameter circles. Silicon substrate is then etched using NAF 1 solution to form the sharp tip arrays as an electron source. In the UHV test station, we tested the current-voltage characteristics for the samples. Turn-on voltage was about 140V and maximum emission current was $310{\mu}A$ at 164V. We studied about silicon bonding process for future work, too.

• 복식문화연구
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• 제19권3호
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• pp.460-472
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• 2011

This paper developed motifs through the use of images of masks with which the Korean innate consciousness of aesthetics is expressed. The motifs were applied to fashion items. This paper investigated the concept, origin and types of traditional masks through the existing literature. Using the computer graphic programs of Illustrator and Photoshop CS2, three basic motifs were set from the images of the nobleman, Bune of Hahoi Tal and Byeongsan Tal. Each motif was extended into two motifs by changing shape and color. For the basic motif design, this study sought to express contemporary images, suitably for each fashion item, while maintaining the basic shape of the masks and their traditional images. In addition, this study set the concept of the design so that could be accepted by various age groups. For the design of handkerchiefs, a rotating array, involving enlargement, reduction, repetition, and the gradation of motifs, as well as a diagonal symmetric array, and all-over patterns were developed. The T-shirt design created here was divided into a half-sleeve box type, a round neckline sleeveless type, a V-neckline close-fitting sleeveless type, and a V-neckline close-fitting cap sleeve type. For the design of necklaces, OLED or LED, which are considered as a future display type, was used. Additionally, the production of an entertainment styled new atmosphere is proposed.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.479-479
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• 2013

산화물 반도체 물질을 이용한 Thin film transistor (TFT) 소자는 기존의 비정질 Si TFT와 저온 다결정 Si TFT 소자가 가지지 못하는 장점들이 보고되면서 차세대 디스플레이용 소자로 주목을 받고 있다. 그 중 TFT의 채널 물질로 a-IGZO가 많이 활용되고 있다. a-IGZO의 활용이 더 많아지고 있는 이유는 저온공정이 가능하고 3.2 eV의 큰 밴드갭으로 투명하며 높은 균일도, 캐리어 이동도를 모두 가지고 있기 때문이다. 본 연구에서는 산화물 물질인 IGZO를 채널 층으로 사용한 TFT소자에서 IGZO의 캐리어인 전자의 이동경로를 금속을 통하여 이동하게 함으로써 전기적 특성의 변화를 관찰하였다. TFT는 다수 캐리어가 게이트 전압에 의하여 박막 아래쪽에 채널을 형성하여 동작한다. 이 때 IGZO박막과 SiO2 사이의 Al을 증착하여 다수 캐리어인 전자의 이동도를 향상시켰다. 전극으로 사용되어지는 Al은 IGZO박막과 ohmic contant이기 때문에 전자의 이동이 어렵지 않기 때문이다. 소자 제작은 게이트로 도핑된 P형 기판을 사용하였고 게이트 절연체로 SiO2 200 nm를 증착하였다. 채널층로 IGZO를 증착하기 전에 게이트 절연체 위에 evaporation으로 Al을 20 nm를 증착하였다. 이때 mask는 $2.4{\times}10^{-4}cm^2$ 크기의 dot 형태를 사용하였다. Al을 증착 후 RF sputtering으로 IGZO를 30 nm 증착하였으며 $350^{\circ}C$에서 90 min 동안 열처리하였다. 소스와 드레인은 evaporation으로 Al을 100 nm 증착하였다. HB 4145B 측정기로 I-V 그래프를 통하여 전기적 특성의 변화를 관찰하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.1096-1099
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• 2001

The basic design structure of RC-GCTs (Reserve-Conducting Gate-Commutated Thyristors) is firstly given in this paper. The bulk of wafer is punch-through (PT) type with high resistivity and narrow N-base width. The photo-mask was designed upon the turn-off characteristics of GCT and solution of separation between GCT and diode part. The center part of Si wafer is free-wheeling diode (FWD) and outer is GCT part which has 240 fingers totally. The switching performance of GCT was investigated by Dessis of ISE. The basic manufacture process of 2500V-4500V RC-GCTs was given in this work. Additionally, the local carrier lifetime control by 5Mev proton irradiation was adopted so as to not only to have the softness of reverse recovering for FWD but for reduction of turn-off losses of GCT as well.

• 한국진공학회지
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• 제11권4호
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• pp.249-255
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• 2002

이방성 습식 식각기술을 이용하여 멤버레인을 제작하기 위하여 KOH 용액 및 KOH-IPA 혼합용액을 사용하여 단결정 실리콘 기판을 식각하였다. 단결정 실리콘의 식각속도는 식각 용액의 온도와 농도에 좌우되었으며, 식각 용액의 농도에 따라 식각 형태와 패턴 형성 방향이 달라짐도 관찰되었다. 식각을 위한 표면패턴은 실리콘웨이퍼의 primary flat에 $45^{\circ}$로 기울여 형성되었으며 KOH의 농도가 20 wt%로 유지되었을 때, 식각 용액의 온도 $80^{\circ}C$ 이상에서는 U-groove, $80^{\circ}C$ 이하의 온도에서는 V-groove 식각 형태가 형성되었다. 각 면에 대한 식각속도 차이에 의해서 생기는 hillock은 온도와 농도가 높아짐에 따라 현저하게 줄어들었다.