• 제목/요약/키워드: V-B 곡선

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하천유역에서 GIS를 이용한 GIUH 모형의 해석 (Analysis of GIUH Model by Using GIS in River Basin)

  • 허창환;이순탁
    • 한국수자원학회논문집
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    • 제35권3호
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    • pp.321-330
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    • 2002
  • 본 연구는 미 계측유역이나 자료가 결핍된 유역에서 지리정보시스템을 이용하여 지형학적 순간단위도(GIS-GIUH)를 해석하는데 목적이 있으며, IHP 위천대표시험유역의 6개지점(동곡, 고로, 미성, 병천, 효령, 무성)에 대하여 강우-유출해석을 실시하였다. 지형학적 순간단위도의 분석에는 본 연구에서 제안한 GIS-GIUH 모형과 Rosso-GIUH 모형을 이용하여 계산된 결과를 실측유출수문곡선과 비교하였다. 분석결과 GIS-GIUH 모형이 Rosso-GIUH 모형보다 실측수문곡선에 더욱 접근하여 우수한 결과를 보이고 있었으며, GIS-GIUH 모형의 매개변수인 N=3.25( $R_{B}$/ $R_{A}$)$^{0.126}$ $R_{L}$$^{-0.055}$과 K=1.50( $R_{A}$/( $R_{B}$. $R_{L}$))/$^{0.10}$.(( $L_{{\Omega}}$+ $L_{{\Omega}-1}$)/V)$^{0.37}$을 지형특성의 관계식으로 제시하였다. 본 연구에서 개발한 GIS-GIUH 모형이 미계측 유역에서 적용 가능성이 높은 것으로 판단되었다.되었다.

SBT 박막의 저온화 공정을 위한 솔-젤법과 $IrO_2$하부전극의 효과 (Effects of Sol-Gel Process and $IrO_2$Bottom Electrode for Lowering Process Temperature of SBT Thin Films)

  • 선봉균;송석표;김병호
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권1호
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    • pp.39-44
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    • 2001
  • 솔-젤법으로 S $r_{0.9}$B $i_{2.1}$T $a_2$$O_{9}$ stock solution을 합성하고, Ir $O_2$/ $SiO_2$/Si 및 기판 위에 스핀코팅법으로 약 2000$\AA$ 정도의 두께를 가지고 SBT 박막을 제조하였다. Pt/Ti $O_{x}$ 전극을 사용한 SBT 박막과 비교하였을 때 Ir $O_2$전극을 사용한 SBT 박막의 경우 더 낮은 급속 열처리 온도 즉, 72$0^{\circ}C$에서 형석상에서 층상 페롭스카이트 상으로의 상전이가 관찰되었다. 그리고, Ir $O_2$전극을 사용한 SBT 박막은 낮은 열처리에서 결정성장이 이루어졌다. Ir $O_2$전극을 사용한 SBT 박막은 $650^{\circ}C$에서 열처리하였을 때 포화된 이력곡선을 얻었지만, Pt/Ti $O_{x}$ 전극을 사용한 SBT 박막은 $700^{\circ}C$에서 열처리하였을 때 이력곡선이 관찰되었다. Ir $O_2$전극을 사용한 SBT 박막은 $700^{\circ}C$의 열처리에서 8.79 $\mu$C/$ extrm{cm}^2$ (3V)의 2Pr 값을 나타내었다.나타내었다.다.

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Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 $AgInS_2$단결성 박막의 성장과 가전자대 갈라짐에대한 광전류 연구 (Photocurrent Study on the Splitting of the Valence Band and Growth of $AgInS_2$GaAs Single Crystal Thin Film by Hot Wall Epitaxy)

  • 홍광준
    • 한국결정학회지
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    • 제12권4호
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    • pp.197-206
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    • 2001
  • 수평 전기로에서 AgInS₂ 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 AgInS₂ 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판에 성장시켰다. AgInS₂ 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 680℃, 기판의 온도 410℃였고 성장 속도는 0.5㎛/hr였다. AgInS₂ 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10 K에서 광발광(photoluminescence)스펙트럼이 597.8 nm(2.0741 eV)에서 exciton emission스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 박폭치(FWHM)도 121 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 9.35×10/sup 16/㎤, 294㎠/V·s 였다. AgInS₂ /SI(SEmi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap E/sub g/(T)는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 2.1365eV-(9.89×10/sup-3/eV/K/)T²(T+2930K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamiltopn matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting Δcr값이 0.1541eV이며 spin-orbit Δso 값은 0.0129eV임을 확인하였다. 10K일때 광전류 봉우리들은 n=1 일때 A₁-, B-₁와 C₁-exction 봉우림을 알았다.

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Hot Wall epitaxy(HWE)법에 의한 $CdGa_2Se_4$ 단결정 박막의 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구 (Photocurrent study on the splitting of the valence band and growth of $CdGa_2Se_4$ single crystal thin film by hot wall epitaxy)

  • 박창선;홍광준
    • 한국결정성장학회지
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    • 제17권5호
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    • pp.179-186
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    • 2007
  • [ $CdGa_2Se_4$ ] 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 $CdGa_2Se_4$ 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 $630^{\circ}C,\;420^{\circ}C$로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)으로 부터 구하였다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 293K에서 운반자 농도와 이동도는 각각 $8.27{\times}10^{17}cm^{-3},\;345cm^2/V{\cdot}s$였다. $CdGa_2Se_4/SI$(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap $E_g(T)$는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 $E_g(T)=2.6400eV-(7.721{\times}10^{-4}eV/K)T^2/(T+399K)$였다. 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting 에너지 ${\Delta}cr$값이 106.5meV이며 spinorbit 에너지 ${\Delta}so$값은 418.9meV임을 확인하였다. 10K일 때 광전류 세 봉우리들은 $A_{1^-},\;B_{1^-}$$C_{11}-exciton$ 봉우리임을 알았다.

W UMa형 식쌍성 VW Cep의 측광관측과 분석 (PHOTOMETRIC OBSERVATIONS AND ANALYSIS OF THE W UMa TYPE ECLOPSING BINARY VW Cep)

  • 강봉석;이용삼;정장해
    • Journal of Astronomy and Space Sciences
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    • 제17권1호
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    • pp.19-32
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    • 2000
  • 접촉쌍성 VW Cep의 BV 측광관측을 1999년 4-5월 중 7일간 소백산천문대에서 수행하여 총 1,018개의 관측점을 얻었다. 이 관측 자료를 사용하여 광도곡선을 만들었고 이로부터 극심시각 HJD2454327.2282을 결정하였다. 우리의 광도곡선을 Wilson-Devinney 프로그램을 사용하여 분석하였다. 이때 모드 3을 적용하였고, $i,T_2,\Omega_1,q,L_1$을 수정인자로, 나머지 요소는 모두 고정인자로 사용하였다. WD 프로그램 초기 입력값으로 $T_1,a,V_r$은 Kaszas et al. (1998)의 값을, A는 Hendry et al. (1992)의 값을, X1는 van Hamme (1993)의 값을 사용하였다. 우리의 광도곡선해와 Kaszas et al. (1998)의 분광학적 해를 결합하여 VW Cep의 절대량$M_1=0.95M_\odot,M_2=0.33M_\odot,R_1=1.02R_\odot,R_2=0.66R_\odot$을 산출했다.

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NaAlSiO4-KAlSiO4-SiO2-H2O 4성분계(成分系)의 불변점부근(不變點附近)의 P-T 곡선(曲線)의 변이(變移) (THE SEQUENCE OF P-T CURVES AROUND A QUATERNARY INVARIANT POINT IN THE SYSTEM NaAlSiO4-KAlSiO4-SiO2-H2O)

  • 김기태
    • 자원환경지질
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    • 제5권2호
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    • pp.77-86
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    • 1972
  • Bowen의 "Petrogeny's Residua System"으로 알려져 있는 NaAlSiO_4-KAlSiO_4-SiO_2-H_2O계(系)는 대륙지각(大陸地殼)에 있어 화성암(火成岩)과 변성암(變成岩) 간(間)의 상(相)의 관계(關係)를 이해(理解)하는데 대단히 중요(重要)한 것이다. 그럼에도 불구하고 이 계내(系內)의 상(相)의 관계(關係)는 아직 Mohorovicic 불연속면(不連續面) 이상(以上)의 위치(位置)의 P-T 범위(範圍)의 것 조차 완전(完全)히 알려져 있지 않다. 그러므로 이 상(相)들 간(間)의 관계(關係)를 알 필요(必要)가 있다. 본(本) 연구(硏究)는 Schreinemaker 법칙(法則)을 적용한 계내(系內)에 있는 불변점(不變點)(~5kb/${\sim}635^{\circ}C$) 부근(附近)에 있는 순서를 추이(推理)하였는데 이는 주(主)로 Morse (1969a&6) 실험자료에 근거하였다. 결론(結論)으로 불변점(不變點)(~5kb/${\sim}635^{\circ}C$) 부근(附近)에서의 P-T 곡선(曲線)의 순서(順序)는 각각(各各) P-T 투영(投影)에서는 (L), (Anl), (Or), (V), (Ne), 및 (Ab)의 순(順)이고 P-T 곡선(曲線) (L)은 P-T 구역(區域) 하부(下部)로 연장되며 (Anl) 곡선(曲線)은 불변점(不變點)보다 높은 온도(溫度)와 낮은 압력(壓力)의 구역(區域)으로 연장(延長)된다는 것을 알았다.

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침상 코크스(needle cokes)로부터 제조된 흑연질 탄소재료의 리튬 2차전지 음극특성 (Anodic Properties of Needle Cokes-derived Graphitic Materials in Lithium Secondary Batteries)

  • 박철완;오승모
    • 전기화학회지
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    • 제2권4호
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    • pp.221-226
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    • 1999
  • 조직의 형태와 불순물의 함량이 서로 다른 2종류의 침상 코크스(needle cokes, NC)를 $2000\~3000^{\circ}C$온도범위에서 열처리한 후 이들의 흑연화도, 분쇄하였을 때의 입자크기, 크기분포 및 표면적을 측정하였고 리튬 2차전지의 음극특성을 조사하였다. 두 시료 모두 열처리 온도가 증가함에 따라 흑연화도가 증가하였으나, NC-B는 불순물의 영향과 분자간의 배열이 적은 모자익 조직을 포함하고 있기 때문에 흑연화도가 낮게 나타났다. 동일한 조건에서 분쇄하였을 때 입자의 평균크기는 흑연화도와 비례하였고 표면적은 반비례하였다. 흑연화도가 큰 시료일수록 입자분포의 균일도는 감소하였다 열처리 온도에 따른 음극 특성을 조사하였을 때, 2000"C까지는 결정결함을 포함하는 탄소질 층간(carbonaceous interlayers)의 감소로 인해 용량이 감소하였으나 그 이상의 온도에서는 흑연질 층간(graphitic interlayers)의 성장으로 용량이 다시 증가하였다. 분쇄한 시료는 파단면 표면에 부정합 구조가 생성되어 1.0 V이상에서 기울기를 갖는 방전곡선을 보여 주었으나, 이는 거듭된 충방전과 재열처리에 의해 0.25 V 이하에서 방전되는 흑연질 구조로 전환되었다.

Hot Wall Epitaxy(HWE)범에 의한 $CuInSe_2$ 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구 (Growth and photocurrent study on the splitting of the valence band for $CuInSe_2$ single crystal thin film by hot wall epitaxy)

  • 홍명석;홍광준
    • 한국결정성장학회지
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    • 제14권6호
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    • pp.244-252
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    • 2004
  • $CuISe_2$ 단결정 박막은 수평 전기로에서 합성한 $CuInSe_2$ 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 $620^{\circ}C$, $410^{\circ}C$로 고정하여 단결정 박막을 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 선 요동곡선(DCRC) 으로 부터 구하였다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 293K에서 운반자 농도와 이동도는 각각 $9.62\times10^{16}/\textrm{cm}^3$, 296 $\textrm{cm}^2$/Vㆍs 였다. $CuAlSe_2$/Si(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293k에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap $E_g$(T)는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 1.1851 eV-($8.99\times10^{-4} eV/K)T^2$/(T+153k)였다. 광전류 스펙트럼으로 부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting Δcr값이 0.0087eV이며 spin-orbit Δso값은 0.2329 eV임을 확인하였다. 10K일 때 광전류 봉우리들은 n = 1일때 $A_1-, B_1$-와 $C_1$-exciton봉우리임을 알았다.

화장품에서 UV 차단제의 피부 자극성과 SPF 측정 (SPF Measurement and Cytotoxicity of Sunscreen Agents in Cosmetic)

  • 김인영;강삼우
    • 분석과학
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    • 제11권2호
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    • pp.79-87
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    • 1998
  • 최근의 소비자들은 waterproof 기능을 가진 광범위한 UV 차단 제품을 선호하며, 피부 안전성에도 많은 관심을 가지고 있다. NR method로 세포 자극성(in-vitro)을 실험한 결과, UV-B의 자외선 차단제들은 0.08 w/v% 이상에서 세포의 생존율이 떨어졌고, UV-A의 자외선 차단제들은 0.06 w/v% 이상에서 세포의 생존율이 떨어졌다. 무기 자외선 차단제들의 patch-test는 각각 10.5와 11.25 이하로 피부에 자극성은 없었다. UV 흡수 곡선, UV-B는 octyl methoxycinnamate(OMC), UV-A는 butyl methoxy dibenzoylmethane(BMDM) 가장 적합하였다. 따라서, 유기 자외선 차단제는 OMC와 BMDM이 nylon과 polyethylene에 코팅된 원료인 $Nylonpoly^{TM}$ UVA/UVB을 사용하였다. 무기 자외선 차단제는 zinc oxide(ZnO)와 titanium dioxide($TiO_2$)를 사용하였다. ZnO와 $TiO_2$의 혼합 비율은 6:4가 적당하였다. 총 UV차단제의 함량은 ZnO 6%, $TiO_2$ 4%와 $Nylonpoly^{TM}$ UVA/UVB 5%를 썬 스크린 크림에 혼합하였다. In-vi-tro의 SPF값은 38.9이었다. 응용으로, 동일 함량을 넣은 O/W type과 W/S type의 썬 스크린 크림을 만들어 시간 경과에 따른 SPF를 측정한 결과, SPF가 O/W type보다 W/S type이 5배 이상 오래 지속되었다. 이것은 해수욕, 등산, 스키를 탈 경우에 효과적이다. 본 연구는 자외선 차단제의 피부 트러블을 최소화하고자 하였으며, 매끄러움성, 피부 안전성과 자외선 차단 효과가 우수한 화장품이라고 생각되어진다.

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세종 산개성단 탐사관측 (SOS) II. 중년 산개성단 NGC 2353의 UBVI CCD 측광

  • 임범두;성환경
    • 천문학회보
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    • 제35권2호
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    • pp.79.1-79.1
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    • 2010
  • 세종 산개성단 탐사관측 연구의 일환으로 중년 산개성단 NGC 2353에 대한 UBVI CCD 측광을 수행하였다. 측광학적인 방법으로 성단 내의 구성원을 선정하였으며, 이로부터 이 성단의 성간소광과 거리를 각각 E(B-V)=$0.10\pm0.02mag$$d=1.17\pm0.04\;kpc$으로 얻었다. 성단 구성원의 공간적인 분포를 통해서 성단의 형태가 북서 방향에서 남동 방향을 잇는 축을 중심으로 타원의 형태를 띠고 있는 것을 발견하였다. Padova 그룹이 제시한 이론적인 등연령 곡선을 관측한 색등급도에 맞춤으로써 이 성단의 나이를 1억 3천만년으로 추정하였으며, 이는 기존 연구보다 나이가 많은 것으로 나타났다. 구성원의 거리지수 분포에서 이 성단의 거리지수보다 밝은 곳에 나타나는 쌍성의 분포를 Gaussian 분포와 맞추어 $46\pm4%$ 정도의 최소 쌍성비율을 추정하였다. 마지막으로 광도함수와 질량함수를 유도하였고, 질량함수의 기울기는 $\Gamma=-1.4\pm0.2$를 얻었다.

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