• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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• pp.185-188
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• 2003

본 논문에서는 공진기 길이 변화에 따른 V-자형 알루미늄갈륨비소-갈륨비소(AIGaAs-GaAs) 양자선 레이저의 서브밴드 에너지 천이에 대한 스펙트럼과 시간적 스위칭 특성을 조사하였다. $300{\mu}m$ 이하의 짧은 공진기 길이를 갖는 V-자형 양자선 레이저는 공진기 손실의 증가로 인하여 n=1에서 n=2 서브밴드(subband)로의 양자화 천이(불연속적인 파장 스위칭)가 발생하였고, 초단 광펄스를 생성하는 이득 스위칭방식을 이용하여 초고속 레이징 특성을 관찰하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권9호
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• pp.833-837
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• 2003

The spectral and temporal characteristics of a V-groove AIGaAs-GaAs quantum wire (QWR) laser were investigated with varying the cavity length. At cavity lengths shorter than 300 ${\mu}{\textrm}{m}$, a discrete shift in tile wavelength occurred from the n=1 to the n=2 subband due to the increased cavity losses. Utilizing this characteristic, ultrafast lasing characteristics at each subband were investigated by tile gain switching method.