• 공업화학
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• 제10권3호
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• pp.354-361
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• 1999

티타늄을 물리증착시킨 후 열처리한 막과 플라즈마에 의해 무정형 실리콘을 증착시킨 후 열처리한 막은 양질의 결정성을 갖는 Si가 풍부한 티타늄 실리사이드가 형성되고, 열처리 과정에서 에피택시 성장을 위한 격자들의 회전에 의해 다양한 형태의 격자구조를 갖는다. 티타늄 실리사이드 막의 band gap은 플라즈마에 의해 a-Si:H막을 증착시킨 후 열처리한 막이 수소의 탈착에 의해 제공된 dangling bond, a-Si 등의 영향을 받아 1.14~1.165 eV의 값을 가진다. 물리증착하여 열처리한 막의 Urbach tail인 $E_0$는 0.045~0.05 eV 범위로 거의 일정하고, 플라즈마에 의해 a-Si:H 막을 증착시킨 후 열처리한 막의 결함수는 Ti/Si를 열처리했을 때 얻어진 결함수보다 약 2~3 배 정도 많은 것으로 나타났다.

• 공업화학
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• 제10권1호
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• pp.105-111
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• 1999

현재 iron silicide막을 제작하고 있는 방법은 열처리를 수행함으로써 막의 계면 상태가 좋지 않으나 플라즈마를 이용하였을 때는 열처리를 수행하지 않으므로 양질의 막을 얻을 수 있다. 본 실험에서 제작된 막은 Raman 스펙트럼 $250cm^{-1}$에서 나타난 Fe와 Si의 진동모드와 FT-IR에 의해 유기화합물 뿐만 아니라 Fe-Si의 결합이 형성되었음을 확인하였다. 또한 플라즈마의 높은 에너지에 의해 낮은 기판 온도에서 에피택시 성장이 진행되는 동안 iron silicide는 [220]/[202], [115] 등과 같은 격자구조를 갖는 ${\beta}$-상으로 성장하였다. 제조된 막의 band gap은 1.182~1.174 eV의 값을 가지고, 광학적 에너지갭을 3.4~3.7 eV의 값을 나타내었다. 막 내의 유기화합물에 의해 유발되는 Urbach tail과 sub-band-gap 흡수가 관측되었다. 따라서 플라즈마를 이용하여 제작된 막은 단일결정이 성장되어 양질의 박막을 얻을 수 있음을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1997년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.31-34
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• 1997

A reversible scalar phenomena in amorphous As$_{40}$ Ge$_{10}$ Se$_{15}$ S$_{35}$ have been investigated by blue-pass-filtered Hg lamp and He-Ne laser. Annealing causes the shift of the absorption edge to shelter wavelengths approximately 0.17ev, also illumination moves it to longer wavelengths about 0.05 ~ 0.07eV and it increases the refractive index maximum 0.3. Therefore the thermalbleaching(TB) and photodarkening(PD) effects have been understood by the results related to optical absorption characteristics. TB could be estimated as increasing the stabilization of amorphous chalcogenide films since absorption slope of extended regions(U) was not changed by annealing. On the other hand, PD could be understood as due to the enhancement of disorder since the slope of Urbach’s tail(1/F) around an absorption edge were decreased by illumination.ion.n.

• 한국안광학회지
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• 제1권2호
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• pp.63-69
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• 1996

비정질 $As_2Se_3$ 박막에 첨가된 Ag가 전기 및 광학적 성질에 미치는 효과를 연구하기 위해 직류전기전도도와 광투과도를 측정하였다. 직류전기전도도에서 구한 활성화에너지 $E_g$와 광투과도에서 구한 광학적 갭 $E_{opt}$는 Ag의 함량이 증가할수록 감소하였고, Urbach 꼬리는 Ag의 함량 변화에 관계없이 거의 일정한 것으로 나타났다. 시료에 첨가된 Ag의 함량이 5mol% 이하이면 Ag 함량의 증가에 대한 직류활성화에너지의 감소율은 광학적 갭의 감소율에 비해 크게 변하였다. Ag가 5mol% 이상 첨가되었을 때에는 Ag 함량의 증가에 대한 $E_g$의 감소율과 $E_{opt}$의 감소율이 비슷하였다. 이와 같은 현상은 Ag의 함량이 5mol% 이하인 시료에서는 Fermi준위가 이동도단 쪽으로 옮기고 Ag의 함량이 5mol% 이상이면 이동도단이 Fermi준위 쪽으로 옮기는 것을 의미한다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권2호
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• pp.100-106
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• 1994

A bilayer film consisting of a layer of a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ with a surface layer of silver -100[.angs.] thick and a monolayer film of a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ are irradiated with 9[keV] Ga$^{+}$ ion beam. The Ga$^{+}$ ion (10$^{16}$ [ions/cm$^{2}$] exposed a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ and Ag/a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ thin films show an increase in optical absorption, and the absorption edge on irradiation with shifts toward longer wavelength. The shift toward longer wavelength called a "darkening effect" is observed also in film exposure to optical radiation(4.5*10$^{20}$ [photons/cm$^{2}$]). The 0.3[eV] edge shift for ion irradiation films is about twice to that obtained on irradiation with photons. These large changes are primarily due to structural changes, which lead to high etch selectivity and high sensitivity.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.224-227
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• 1995

The micro-patterning by a Bow energy FIB whish has been conventionally utilized far mask-repairing was investigated. Amorphous Se$\_$75/Gee$\_$25/ resist irradiated by 9[keV]-defocused Ga$\^$+/ ion beam(∼10$\^$15/[ions/$\textrm{cm}^2$]) resulted in increasing the optical absorption, which was also observed also in the film exposed by an optical dose of 4.5${\times}$10$\^$20/[photons/$\textrm{cm}^2$]. The ∼0.3[eV] edge shift for ion-irradiated film was about twice to that obtained for photo-exposed. These large shift could be estimated as due to an increase in disorder from the decrease in the sloop of the Urbach tail. For Ga$\^$+/ FIB irradiation with a relatively low energy, 30[keV] and above the amount of dose of 1.4${\times}$10$\^$16/[ions/$\textrm{cm}^2$], the irradiated region in a-Se$\_$75/Ge$\_$25/ resist was perfectly etched in acid solution for 10[sec], which is relatively a short development time. A contrast was about 2.5. In spite of the relatively low incident energy,∼0.225[$\mu\textrm{m}$] pattern was clearly obtained by the irradiation of a dose 6.5${\times}$10$\^$16/[ions/$\textrm{cm}^2$] and a scan diameter 0.2[$\mu\textrm{m}$], from which excellent results were expected fur incident energies above 50[keV] which was conventionally used in FIBL.