• 전자공학회논문지A
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• 제32A권6호
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• pp.75-81
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• 1995

InGaAsP/InP uncooled LDs emitting at 1.3$\mu$m wavelength are of interest for several application of fiber-to-the-home, optical interconnection, long-haul high-bit-rate optical transmission systems, etc. The strain compensated PBH-MQW-LD employing 1.4% compressive strained well (${\lambda}=1.3{\mu}m$) and 0.7% tensile strained barrier (${\lambda}=1.12{\mu}m$) layers grown by low pressure metallicorganic vapor phase epitaxy was found to be low threshold current and stable temperature characteristics. The average threshold current of 5.6mA and average slope efficiency of 0.27mW/mA at room temperature were obtained for uncoated uncooled-LD.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권7호
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• pp.185-197
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• 1996

We have adopted the strain compensated PBH(planar buried heterostructure) - LD in which the MQW active layer consisted of 1.4% compressively strained GainAsP (E$_{g}$ = 0.905eV) wells and 0.7% tensile strained GaInAsP(E$_{g}$ = 1.107eV) barriers grown by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). We hav einvestigated effects of number of wells and the structure of the separate confinement heterostructure (SCH) layer in the strain-compensated MQW-PBH-LD. The threshold current, the external quantum efficiency, the transparency current density J$_{o}$, and the gain constant .beta. have been evaluated for uncoated MQW-PBH-LD. As the number of wells increases, the internal quantum efficiency and the transparency current density decreases, whereas the gain contant increases. The small width of the SCH layer shows the large internal quantum efficiency. The small internal loss and the large gain constant have been obtained by inserting the large bandgap SCH layer.

• 한국광학회지
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• 제18권5호
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• pp.333-336
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• 2007

[ $-40^{\circ}C$ ]에서 $85^{\circ}C$의 온도에서 냉각장치 없이 동작하는 1.31 um 비냉각 DFB-LD가 유기 금속 화학 증착법에 의해 성장되었다. 높은 전광변환효율을 갖는 레이저의 제작은 스트레인이 인가된 다중양자우물 구조의 최적화를 통해 가능하며, 특히 스트레인의 양, 양자 우물의 두께, 전위장벽의 두께, 양자 우물의 수, 활성층의 폭에 주로 영향을 받는다. 본 연구에서 제작된 DFB-LD는 $25^{\circ}C$와 $85^{\circ}C$에서 전광변환효율은 0.38[mW/mA]와 0.26[mW/mA], 발진개시전류는 각각 7.1[mA]와 19.8[mA]의 값을 가졌다.

• 융합신호처리학회 학술대회논문집
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• 한국신호처리시스템학회 2003년도 하계학술대회 논문집
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• pp.226-229
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• 2003

본 논문은 Uncooled DFB-LD를 광원으로 사용하는 일반적인 8채널 구조의 CWDM시스템에 대해 메트로 파장대를 사용하여 최대 15채널까지 증설이 가능한 시스템 구조에 대한 제안 및 특성을 시뮬레이션 하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.94-95
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• 2003

최근 들어 저가용 광통신 소자를 제조하기 위한 방법으로 TEC를 사용하지 않는 비냉각형(uncooled) 레이저에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이를 위해 반도체 레이저를 형성하는 화합물 반도체 재료 적인 측면에서는 기존에 널리 사용되는 InGaAsP계 물질에 비해 AlGaInAs계 물질구조는 큰 conduction band offset ($\Delta$Ec=$\Delta$O.72Eg) 등으로 인해 고온에서 전자의 overflow를 억제하고 균일한 hole injection으로 인해 우수한 고온특성과 높은 이득(gain)을 보이는 장점을 지니고 있다. (중략)

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2002년도 하계학술발표회
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• pp.188-189
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• 2002

기간망의 속도 증가와 더불어 가입자망치 고속화는 필수 불가결한 것으로 이를 위해 메트로 네트웍의 고속화에 대한 노력이 진행되고 있다. 메트로 네트웍 및 가입자망의 고속화를 위해서는 시스템의 저가화가 필요하다. CWDM(Coarse WDM)은 채널 간격이 10 - 25nm로 채널 간격이 넓기 때문에 복잡한 온도제어 없이 저가의 Uncooled DFB-LD 및 WDM 소자를 사용할 수 있어서, 메트로 네트웍의 대용량화를 보다 경제적으로 실현가능하기 때문에 CWDM 시스템이 유망한 것으로 받아들여지고 있다. (중략)

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.92-93
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• 2003

초고속 광전송 네트워크에 사용되는 광부품으로 단일 모드 광섬유와의 낮은 광 결합 손실을 가지는 레이저 다이오드 개발이 필수적이다. 이러한 레이저 다이오드의 요구되는 특성으로써 저가의 광부품 제작을 위해 thermoelectric cooler 없이 고온에서 안정된 동작을 하는 uncooled type에, 광 isolator 도움없이 광반사에 의한 광손실을 줄여야 한다. 이러한 요건을 충족시키기 위하여 선택적 영역 MOCVD성장을 이용한 InP／InGaAsP 계열의 SSC-LD(spot-size converter integrated LD)를 연구하여 왔다. (중략)