• Journal of Magnetics
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• 제8권1호
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• pp.7-12
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• 2003

The method for evaluation of the particle size distribution of fine particles from hysteresis loop measurements is Presented. The method is illustrated on the SiO$_2$-based Co nanoparticle systems. The influence of technological conditions of sample preparation onto particle size distribution is investigated.

• 공업화학
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• 제8권6호
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• pp.901-906
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• 1997

유기금속화합물인 Tetraethylorthosilicate(TEOS)를 출발원료로 기상열분해법을 이용하여 초미립 실리카분말을 제조하였다. 반응온도, 가스유량, 반응물질의 농도, 및 반응물질의 예비가열온도가 초미립 실리카분말의 입자크기 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 반응온도가 증가할수록 또한 체류시간이 감소할수록 생성분말의 입자크기가 작아지는 것을 알 수 있었다. 반응물농도가 증가할수록 입자크기가 증가하였고, 또한 반응물질의 예비가열온도가 증가하여도 입자크기는 큰 변화가 없음을 알 수 있었다. 본 연구조건에서 제조된 초미립 실리카분말의 평균 입자크기는 30~58 nm이었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 The 6th International Symposium of East Asian Resources Recycling Technology
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• pp.715-718
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• 2001

This study uses traditional alum coagulation and sedimentation process to treat CMP wastewater from cleaning after polishing. The primary goal is to successfully recycle both solid fines and water for semiconductor manufacturing. Results indicated that CMP wastewater may be successfully treated to recover clean water and fine particles by alum coagulation. The optimum operating conditions for coagulation are as fellowing: alum dosage of 10 ppm, pH at 5, rapid mixing speed at 800 rpm, 5 min rapid mixing time, and long slow mixing time. The treated water with low turbidity and an average residual aluminum ion concentration of 0.23 ppm may be considered for reuse. The settled sludge after alum coagulation contains mainly SiO$_2$particle with a minor content of aluminum (1.7 wt%) may be considered as raw materials for glass and ceramic industry.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권12호
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• pp.1202-1207
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• 2003

최근 개발된 하이브리드플라즈마 가속입자충격 프로세스를 이용하여 기상의 TEOS(tetraethoxysilane, (C$_2$ $H_{5}$O)$_4$Si)를 Ar-hybrid plasma 환경 하에 분사하는 방법으로 나노구조(nanostructured) Si 코팅 합성에 대해서 연구하였다. 반응가스와 함께 플라즈마제트는 노즐을 통해서 챔버속으로 700 torr정도에서 10 torr정도로 압력 강하를 동반하며 확장되었다. 노즐의 초중단부에서 핵생성 및 입성장한 초미세입자는 노즐의 하단의 자유 제트에서 가속되어 온도조절 기판위에 관성 충격에 의해 퇴적되어 10nm 이하의 비정질 실리콘 코팅층이 형성되었다. 퇴적된 비정질 코팅은 Ar분위기의 tube로에서 열처리 되었는데 90$0^{\circ}C$에서 30분간 열처리하여 결정화가 시작되었고, 이때 시편의 입자크기는 TEM을 통하여 10nm 이하로 유지됨을 알 수 있었다. 또한 라만분광기로 분석한 결과 이동치는 2.39$cm^{-1}$ /이며 반감폭은 5.92$cm^{-1}$ /으로 피크 이동치로 도출한 평균입자크기 7nm값과 일치하였으며, 특히 PL 피크는 398nm에서 강한 피크를 나타내어 3∼4 nm의 극미세 나노입자도 포함하고 있음을 알 수 있었다.