본 연구에서는 제분기, 건조방법별 등 다양한 조건별로 현미쌀가루 제조하여 각 쌀가루별 품질특성을 조사하였다. 건조조건에 따른 roll mill 제분한 현미쌀가루의 수분함량은 열풍건조 10.7% 마이크로파건조 13.7%로 측정되었다. 대조구인 백미쌀가루의 수분함량은 10.0%였다. Zet mill 분쇄 후 쌀가루의 수분함량은 8.0-8.6%로 측정되었다. WAI는 전분손상도가 높을수록 흡수되는 수분의 양이 증가하여 전분손상도가 가장 높은 Zet mill로 분쇄한 현미쌀가루가 0.58-0.79g/g으로 높았고, 전분손상도가 낮은 roll mill 분쇄한 대조구와 BrWRH 쌀가루가 각각 0.45, 0.40g/g으로 낮은 값을 나타내었다. WSI 역시 WAI와 같이 전분손상도가 증가할수록 증가하는 경향을 나타내었고 입자크기가 감소함에 따라 증가하였다. 대조구 백미 쌀가루 L, a, b는 97.1, -0.4, 4.2로 측정되었고, 현미쌀가루는 분쇄과정에서 생성된 미강층 때문에 L값은 대조구보다 낮고 반면에 b값은 높은 결과를 나타내었다. 제분방법에 따른 L값, b값은 roll mill로 분쇄한 현미쌀가루의 L, b값은 각각 91.3-91.9, 9.2-10.1이었고, zet mill로 제분한 현미쌀가루의 L, b값은 각각 94.1-96.8, 5.8-6.8로 측정되어 입자크기가 작을수록 L값은 증가하였고, b값은 감소하였다. 전분손상도는 대조구가 8.2%로 가장 낮았고, 마이크로파 건조 시 열품건조보다 4-10%정도 높은 전분손상도 값을 보였다. 제분기 종류에 따른 전분손상도는 roll mill 15.5%, zet mill 28.2% 그리고 micro mill 51.9%로 입자크기가 작을수록 전분손상도는 증가하였다. RVA 측정결과 대조구 호화개시온도는 $65.4^{\circ}C$로 가장 낮은 값을 나타내었다. 제분방법에 따른 대조구, BrWRH, BrWZH, HBrZMU 쌀가루의 호화특성 측정결과 최고점도(peak), 최저점도(trough)는 각각 321, 255, 221, 162 RVU와 217, 185, 175, 113 RVU로 측정되어 입자크기가 작아질수록 감소하였다 또한 호화액의 안전성을 나타내는 breakdown 값은 대조구가 105 RVU, 현미 쌀가루가 37-96 RVU로 측정되어다 DSC 분석결과 호화엔탈피$({\Delta}H)$는 대조구가 10.4 J/g으로 가장 높은 값이었고, 가장 작은 입도분포를 나타낸 HBrZMU가 6.1 J/g으로 가장 낮은 값을 보였다. 본 연구결과 가공제품으로 현미쌀가루 이용 시 침지, 건조방법 보다는 제분방법 즉 입도분포가 현미쌀가루의 품질특성에 않은 영향을 미치는 것을 알 수 있었다.
Mg-Zn-Ce계 합금에서 비정질 단상 및 hcp-Mg입자분산형 비정질합금이 20-40%, Zn, 0-10%Ce과 5-20%Zn, 0-5%Ce 의 조성범위에서 각각 생성되었다. 초미세 hcp-Mg입자분산형 $Mg_{85}Zn_{12}Ce_{3}$비정질합금은 급속응고 또는 급속응고리본의 열처리에 의해 Mg입자의 입경을 4-20nm의 범위로 조절할 수 있었으며, 이 범위에서는 밀착굽힘이 가능할 만큼 충분한 인성을 가지고 있었다. 이 합금의 최대인장강도($\sigma_{B}$)와 파단 연신율($\varepsilon_{f}$)은 hcp-Mg입자의 체적분율에 따라서 670-930MPa, 5.2-2.0%의 범위였으며, 최대 비강도($\sigma_{B}$밀도 =$\sigma_{s}$)는 $3.6 \times 10^5N \cdot m/kg$에 달하였다. 이와 같이 Mg입자분산형 비정질 합금의($\sigma_{B}$), ($\sigma_{s}$)그리고 $\varepsilon_{f}$의 최대치가 Mg-Zn-Ce계 비정질합금(690MPa, $2.5 \times 10^5N \cdot m/kg$, 2.5%)보다 월등하게 높다는 것은 주목할 만 하다. 복합상 조직이 형성됨으로서 기계적 강도가 증가하는 것은 동일 조성의 비정질상보다 강한 hcp과포화 고용체의 분산강화에 기인하는 것이라고 고찰되었다.
Si 기판위에 Ba2YCu3O7-$\delta$ 고온초전도체를 응용하기 위해 요구되는 buffer층으로 유망한 재료인 LaAlO3 단일상 분말을 고상반응법과 자발착한 연소반응법으로 제조하였다. 제조된 LaAlO3 분말의 입자형태와 결정상태는 scanning electron microscope (SEM)과 X-ray diffractometer (XRD)를 이용하여 분석하였다. 분말의 비표면적과 소결특성은 각각 Brunauer-Emmett-Teller(BET) 방법과 dilatometer를 측정하였다. 고상반응법으로 LaAlO3 분말을 제조할 때에는 하소온도를 150$0^{\circ}C$까지 높게 하여도 단일상을 얻는 것이 어려웠으나 자발착한 연소반응법에 의한 분말제조는 $650^{\circ}C$의 저온에서 하소하여도 쉽게 얻을 수 있었다. Dilatometer 측정을 통하여 분석해 보면, 고상반응법에 의한 분말보다 자발착한 연소반응법에 의한 분말로 제조된 소결체가 고상반응법에 의한 소결체에 비해 1.4배나 큰 소멸밀도(98.87%)를 가졌다. 이렇게 소결밀도에서 큰 차이가 나는 것은 자발착한 연소방법에 의한 분말의 평균 입자크기가 nano crystal size이고 비표면적 값(56.54 $m^2$/g)이 매우 크기 때문이다. 두가지 방법으로 제조된 분말을 이용, LaAlO3 layer를 스크린 프린팅과 소결법으로 Si 기판상에 제조하였으며 자발착한 연소합성법으로 제조된 분말은 110$0^{\circ}C$에서 우수한 소결특성을 나타내었다.
공침전물을 원료로 사용한 수열합성법을 통해 저온에서 미립의 BaTiO$_3$ 분말을 합성하였다. 출발물질로는 BaCl$_2$와 TiCl$_4$ 의 수용액을 사용하였다 이들의 혼합용액을 제조한 다음 과산화물 형태의 침전을 얻기 위해 과산화수소수($H_2O$$_2$)를 첨가하였으며 이렇게 준비된 용액을 암모니아수에 적하하여 공침전물을 얻었다. 이 과산화공침전물을 수열합성의 원료로 사용하였으며 반응온도와 시간 및 pH를 달리하면서 합성하였다. pH 13 이상이 요구되어 강염기인 KOH나 NaOH를 사용하는 일반적인 수열합성법과 달리 암모나아수로도 얻을 수 있는 pH 12 이하에서 perovskite BaTiO$_3$가 합성되었으며, 11$0^{\circ}C$ 이상에서 균일하고 미세한 BaTiO$_3$ 분말을 합성할 수 있었다. 13$0^{\circ}C$ 이상에서 얻은 분말의 경우 합성시간과 관계없이 일정한 물성을 보여주었다. 이렇게 합성된 분말은 76 $m^2$/g의 높은 비표면적을 보였으며 20 nm 이하의 미세한 일차입자들이 약하게 결합된 응집체를 이루고 있었다. 수열합성분말을 이용하여 l150~120$0^{\circ}C$의 온도범위에서 소결한 시편의 소결특성 및 유전 물성을 평가하였다.
솔-제법에 의한 고분자솔 제조를 위하여 금속 알콕사이드에 $\beta$-diketonate(DKT)기의 유기 리간드를 치환시켜 만든 전구체를 합성한 결과, 가수분해와 축합 반응의 속도 조절이 가능하였고, 이를 이용하여 코팅에 적합한 nm단위의 입자 크기를 갖는 알루미나, 티타니아 솔을 제조하고 그 물성을 파악하였다. 코팅에 적합한 알루미나 솔의 최적조건은 알콕사이드 1몰당 물 1몰, 산 0.3-0.4몰이었다. 티타니아 솔의 제조시는 물/알콕사이드의 몰비가 1이고, 산의 양은 치환수에 따라 달라 1개와 2개 치환된 전구체의 경우 1목의 알콕사이드당 각각 0.25, 0.20몰 이하였다. Dynamic light scattering 장치를 이용하여 제조한 솔의 평균 입자 크기를 측정한 결과 수 nm단위의 미세한 입자를 갖고 있었다. 슬라이드 글라스 위에 코팅하여 $450^{\circ}C$에서 소결한 막을 SEM으로 관찰한 결과 알루미나와 타타니아의 경우 각각 4-4.5$\mu \textrm{m}$, 2-2.5$\mu \textrm{m}$두께의 매끄럽고 균열이 없는 막이 형성되었음을 알 수 있었다. 이때의 입자 크기는 TEM사진을 통하여 알 수 있었으며 티타니아의 경우 수 nm에서 최대 30nm, 알루미나는 1-2nm이하 심지어 수 $\AA$정도의 입자들로 이루어졌음을 관찰하였다. 또한 회절무늬 분석 결과 알루미나는 $\gamma$구조, 티타니아는 anastase결정임을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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