Degradation of Ultra-thin SiO2 film Incorporated with Hydrogen or Deuterium Bonds during Electrical Stress (수소 및 중수소가 포함된 실리콘 산화막의 전기적 스트레스에 의한 열화특성)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- v.18 no.11
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- pp.996-1000
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- 2005