• 제목/요약/키워드: UV A-LED

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자외선(UV-C) 조사에 의한 딸기병원균의 균사생장억제 (In vitro Test of Mycelial Growth Inhibition of 5 Fungi Pathogenic to Strawberries by Ultraviolet-C (UV-C) Irradiation)

  • 김선애;안순영;오욱;윤해근
    • 한국식품과학회지
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    • 제44권5호
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    • pp.634-637
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    • 2012
  • 딸기병해는 생육기 동안 과실의 생산량감소 및 품질저하를 가져오고 있으며, 약제방제의 어려움 등으로 인해 친환경적인 병해 방제법의 개발이 요구된다. 실내에서 자외선(UV-C, 264 nm)조사에 의한 딸기병원균의 균사생장 억제효과를 구명하기 위하여 5종의 딸기병원균을 자외선을 조사하면서 $25^{\circ}C$ 항온실에서 배양한 후 균총의 직경을 측정하였다. 5종의 딸기병원균을 PDA 상에서 배양하면서 자외선을 조사하면, 하루 1시간 조사에 의해서도 생장이 억제되었고 9-12시간을 조사한 균의 생육은 현저하게 억제되었으며 역병균은 생육이 완전하게 억제되었다. 자외선광원과 병원균의 거리에서는 40-50 cm의 거리에서 자외선을 조사한 배양기에서 병원균생장의 억제효과가 크게 나타났다. 배지에 접종한 후 바로 자외선을 처리한 병원균은 모두 2일간 배양한 후 자외선을 접종한 배양기에서보다 생육이 억제되었다. 딸기 탄저병균(C. gloeosprioides)과 시들음병균(F. oxysporum)은 V8A에서 자외선에 의한 균의 생장억제효과가 큰 것으로 나타났다.

정전 용량을 이용한 비접촉식 엘리베이터 버튼 (The contactless elevator button using the electrostatic capacity)

  • 방걸원
    • 산업융합연구
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    • 제19권6호
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    • pp.67-72
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    • 2021
  • 건물에 설치된 엘리베이터는 승강기 호출 버튼과 목적층으로의 선택을 위한 입력 버튼으로 구성되어 있다. 엘리베이터 버튼은 승강기를 이용하는 사람이 직접 눌러야 입력이 된다. 이러한 승객의 입력은 버튼의 오염으로 인해 전염병에 감염될 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 수단으로 비접촉식 버튼이 요구되고, 이는 정전용량 방식을 적용하여 물체의 근접을 감지한다. 적외선 열감지 센서를 부착하여 인체의 체온을 측정하는 기능을 구현하고 UV-LED를 부착하여 버튼의 살균 기능을 제공한다. 물체가 없을 때의 출력파형을 측정하고 물체가 근접할 때의 출력 파형을 측정하여 버튼이 선택되고 적외선온도측정 센서를 통해 체온이 측정되며, 사용자가 없을 때 UV-LED를 점등하여 살균하였다. 비접촉식 엘리베이터 버튼은 전염병을 옮기는 바이러스의 감염을 방지할 수 있는 효과가 있고, 체온을 감지하여 CIVID 19의 양성 확진자를 선별할 수 있어 감염병 예방에도 효과가 있을 것으로 기대된다.

Mesh/grid 기반 투명 전극의 구조 최적화

  • 윤민주;김경헌;박상영;김희동;안호명;김태근
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.411-412
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    • 2013
  • 최근 UV LED는 생화학 및 의료 산업에서 많은 각광을 받고 있다. 특히, 360nm 이하의 파장대를 갖는 UV LED는 치료 기술, 센서, 물이나 공기 등의 정화와 같은 목적으로 특별한 관심이 쏠리고 있다 [1]. 이러한 지속적인 연구를 통하여 현재까지 UV LED는 거대한 성장을 이루어 왔다. 하지만 이러한 노력에도 불구하고, 360 nm 이하의 UV LED는 여전히 오믹 접촉과 전류 분산이 원활하지 못하다는 문제점을 가지고 있다. 이것은 UV LED의 외부 양자 효율을 감소시키고, 더 나아가 극도로 낮은 광 추출 효율을 초래한다. 최근 이러한 문제를 해결하고자, 투명 전도성 산화물(TCO)을 금속 전극과 p-AlGaN 사이에 삽입해주는데, 현재 가장 널리 사용되는 TCO 물질은 ITO 이다 [2]. 하지만 ITO 물질은 상대적으로 작은 밴드갭(3.3~4.3 eV)과 단파장 빛이 가지는 큰 에너지로 인하여 deep-UV 영역에서는 빛이 투과하지 못하고 대부분 흡수된다 [3]. 따라서 본 연구에서는 기존의 박막형 ITO 투명 전극에 비해 투과도 손실을 최소화할 수 있는 mesh, grid 기반의 투명전극을 연구하였다. Fig. 1과 같이 $5{\mu}m$, $10{\mu}m$, $20{\mu}m$ 간격으로 이루어진 mesh, grid 구조의 투명전극을 구현하여 투과도 손실을 최소화하면서 우수한 전기적 특성을 확보하기 위한 구조 최적화 연구를 진행하였다. 본 연구를 위해 mesh, grid 구조의 ITO 전극 패턴을 photolitho 공정으로 형성하였으며, e-beam 증착법으로 60 nm 두께의 ITO 전극을 형성 후 질소 분위기/$650^{\circ}$에서 30초 동안 RTA 공정을 진행하였다. Fig. 1에서 볼 수 있듯이 mesh, grid의 간격이 증가할수록 투명 전극이 차지하는 면적이 감소하여 투과도는 향상되는 반면, 투명 전극과 p-GaN과의 접촉 면적 또한 감소하므로 오믹 특성이 저하된다. 따라서 투과도 손실을 최소화하면서 우수한 전기적 특성을 확보하기 위해 mesh는 $20{\mu}m$, grid는 $10{\mu}m$ 간격의 구조로 각각 최적화하였다. 그 결과 박막 기반의 ITO 투명전극 대비 최대 약 10% 향상된 투과도를 확보하였으며, I-V Curve 결과를 통하여 p-GaN 기판과 mesh 구조의 ITO 전극 사이에 박막 기반의 투명 전극과 비슷한 수준인 $0.35{\mu}A(@5V)$의 전기적 특성을 확보하였다. 결과적으로 mesh, grid 기반 투명전극의 구조 최적화를 통하여 p-GaN과 원활한 오믹 접촉을 형성하는 동시에 기존 박막형 ITO 투명 전극 구조보다 높은 투과도를 확보할 수 있었다.

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자외선 여기용 청색 및 황색 형광체의 발광특성 (Luminescence Characteristics of Blue and Yellow Phosphor for Near-Ultraviolet)

  • 최경재;박정규;김경남;김창해;김호건
    • 한국세라믹학회지
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    • 제43권5호
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    • pp.304-308
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    • 2006
  • We have synthesized a $Eu^{2+}-activated\;Sr_3MgSi_2O_8$ blue phosphor and $(Sr,Ba)_2SiO_4$ yellow phosphor and prepared white LEDs by combining these phosphors with a InGaN UV LED chip. Three distinct emission bands from the InGaN-based LED and the two phosphors are clearly observed at 405 nm, 460 nm and at around 560 nm, respectively. The 405 nm emission band is due to a radiative recombination from a InGaN active layer. This blue emission was used as an optical transition of the $Sr_3MgSi_2O_8:Eu$ blue phosphor and $(Sr,Ba)_2SiO_4:Eu$ yellow phosphor. The 460 nm and 560 nm emission band is ascribed to a radiative recombination of $Eu^{2+}$ impurity ions in the $Sr_3MgSi_2O_8:Eu$ and $(Sr,Ba)_2SiO_4$ host matrix. As a consequence of a preparation of UV White LED lamp using the $Sr_3MgSi_2O_8:Eu$ blue phosphor and $(Sr,Ba)_2SiO_4:Eu$ yellow phosphor, the highest luminescence efficiency was obtained at the ration of epoxy/two phosphor (1/0.2361). At this time, the CIE chromaticity was CIE x = 0.3140, CIE y = 0.3201 and CCT (6500 K).

LED 광원의 눈부심 현상을 감소시키기 위한 표면 실장형 CR 렌즈 개발 (Development of Surface-mount-type Crown-shaped Lens for Reducing Glare Effect of Light-emitting Diode Light Source)

  • 박용민;방현철;서영호;김병희
    • 한국생산제조학회지
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    • 제23권1호
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    • pp.64-68
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    • 2014
  • This paper introduces the use of a crown-shaped (CR) lens to effectively diffuse the light from a light-emitting diode (LED) without any loss in the light intensity, in contrast to polymer-bulb-type diffusers. The diffusion lens was designed based on the Snell's law, which describes the physical path of a ray passing through the boundary between different media. CR lenses were fabricated by polydimethylsiloxane (PDMS) casting and UV-embossing processes, which used a pre-designed metal mold and UV-curable resin, respectively. Through experiments and optical evaluations, it was verified that the newly proposed CR lens not only decreased the vertical light strength and glare effect from an LED light source but also improved the diffusion characteristics while maintaining the quality of the LED's light intensity.

양극산화법과 UV-LED를 이용한 다공성 3C-SiC 박막 형성 (Formation of porous 3C-SiC thin film by anodization with UV-LED)

  • 김강산;정귀상
    • 센서학회지
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    • 제18권4호
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    • pp.307-310
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    • 2009
  • This paper describes the formation of porous 3C-SiC by anodization. 3C-SiC thin films were deposited on p-type Si(100) substrates by APCVD using HMDS(Hexamethyildisilane: $Si_2(CH_3)_6$). UV-LED(380 nm) was used as a light source. The surface morphology was observed by SEM and the pore size was increased with increase of current density. Pore diameter of 70 $\sim$ 90 nm was achieved at 7.1 mA/cm$^2$ current density and 90 sec anodization time. FT-IR was conducted for chemical bonding of thin film and porous 3C-SiC. The Si-H bonding was observed in porous 3C-SiC around wavenumber 2100 cm$^{-1}$. PL shows the band gap enegry of thin film(2.5 eV) and porous 3C-SiC(2.7 eV).

Achieving the Naked-eye 3D Effect for Right-angled LED Screen by Off-line Rendering Production Method

  • Fu Linwei;Zhou Jiani;Tae Soo Yun
    • International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
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    • 제15권2호
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    • pp.157-167
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    • 2023
  • As a new trend in the development of urban public spaces, the use of right-angle LED screens perfectly combines building facades with naked-eye 3D visual effects, providing designers with a brand-new creative platform. How to create a realistic naked-eye 3D effect on a right-angle LED screen and bring an immersive visual experience to the audience has become a question worth exploring. So far, production companies have yet to announce the relevant design ideas and complete production methods. In order to explore the production principle and production process of the naked-eye 3D effect of the right-angle LED screen, we summarize the basic production principle of the naked-eye 3D impact of the right-angle LED screen through case analysis. Based on understanding the production principle, the actual case production test was carried out, and a complete production process of the naked eye 3D visual effect of the right-angle led screen was tried to be provided by off-line rendering. For the problem of how to deal with image deformation, we provide two production methods: post-production software correction and UV mapping. Among them, the UV mapping method is more efficient and convenient. Referring to this paper can help designers quickly understand the production principle of the naked eye 3D effect of right-angle LED screens. The production process proposed in this paper can provide a reference for production method for related project producers.

System Design and Performance Analysis of a Variable Frequency LED Light System for Plant Factory

  • Han, Jae Woong;Kang, Tae Hwan;Lee, Seong Ki;Han, Chung Su;Kim, Woong
    • Journal of Biosystems Engineering
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    • 제39권2호
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    • pp.87-95
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    • 2014
  • Purpose: The purpose of this study was to design a variable frequency LED light system for plant factory which combined red, blue, green, white, and UV lights and controlled the ratio of the light wavelength. In addition, this study evaluated the performance of each combination of LED to verify the applicability. Methods: Four combinations of LED (i.e. Red+Blue, Red+Blue+Green, Red+Blue+White, Red+Blue+UV) were designed using five types of LED. The system was designed to control the duty ratio of each wavelength of LED by 1% interval from 0~100%, the pulse by 1Hz interval from 1~20kHz. Response characteristics of the control system, spectral distribution of each combination, light uniformity and uniformity ratio were measured to test the performance of the system. Results: Clean waveforms were measured from 10Hz to 10kHz regardless of duty ratio. Frequency distortion was observed within 5% of inflection point at frequencies above 10kHz regardless of duty ratio, but it was judged negligible. Spectra showed a normal distribution, and maximum PPF with duty ratio of 100% was $271.4{\mu}mol{\cdot}m^{-2}{\cdot}s^{-1}$ for the Red+Blue combination. PPF of the Red+Blue+Green combination was $258.9{\mu}mol{\cdot}m^{-2}{\cdot}s^{-1}$, and that of the Red+Blue+White combination was $273.9{\mu}mol{\cdot}m^{-2}{\cdot}s^{-1}$. PPF of the Red+Blue+UV combination was $267.7{\mu}mol{\cdot}m^{-2}{\cdot}s^{-1}$. Uniformity ratio for the area excepting border showed 0.90 for the Red+Blue and Red+Blue+White combinations, 0.87 for the Red+Blue+Green combination, and 0.88 for the Red+Blue+UV combination. The light was irradiated evenly at the area excepting border, so it was suitable for plant growing. Conclusions: From the results of this study, response characteristics of the control system, spectral distribution of each combination, light uniformity and uniformity ratio were suitable for applying into the plant factory.

질화물 반도체 기반 자외선광원 기술동향 (Trends of UV Light Sources Based on Nitride Semiconductor)

  • 김성복;임영안
    • 전자통신동향분석
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    • 제30권6호
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    • pp.42-49
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    • 2015
  • 질화물 반도체 기반 가시광 청색 Light Emitting Diode(LED) 기술은 디스플레이의 Back Light Unit(BLU)뿐 아니라 일반 조명에 활용되며 우리 실생활에서 매우 밀접하게 사용하고 있다. 가시광보다 짧은 파장을 가지는 자외선 LED의 경우 경화기 및 위폐감지기에 기존의 유해 가스를 사용하는 자외선 램프를 대체하고 있다. 자외선 광원의 또 다른 거대 시장으로 살균 및 정화, 의료 및 바이오 응용 시장에서 자외선 램프를 대체할 수 있는 자외선 LED 기술이 활발히 발전하고 있다. 본고에서는 이들 자외선광원 시장동향과 국내외 자외선 LED의 기술동향을 파악하므로 앞으로 연구개발의 방향을 모색하고자 한다.

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LED용 Sr3MgSi2O8:Eu청색 형광체의 발광특성 (Luminescence Characteristics of Sr3MgSi2O8:Eu Blue Phosphor for Light Emitting Diodes)

  • 최경재;박정규;김경남;김창해;김호건
    • 한국세라믹학회지
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    • 제41권8호
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    • pp.573-577
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    • 2004
  • Eu$^{2+}$를 활성제로 Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$ 청색 형광체를 합성하고, Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$:Eu 청색 형광체를 InGaN의 UV chip에 도포하여 청색 LED Lamp를 제조하였다. 제조된 청색 LED Lamp는 405nm와 460nm에서 두 개의 파장을 나타내고 있다. 405nm의 파장은 InGaN의 활성영역으로부터의 radiative recombination 때문에 나타나는 피크이다. 여기에서 나오는 405nm의 발광은 본 Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$:Eu 청색 형광체의 여기원으로 사용된다 460nm에서의 발광 밴드는 Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$ 모체내에서 Eu$^{2+}$ 이온의 radiative recombination에 의한 것이다. 발광효율이 좋은 Sr$_3$MgSi$_2$ $O_{8}$:Eu 청색 형광체를 이용하여 UV 청색 LED Lmp를 제조한 결과, 에폭시와 청색 형광체의 무게 비율이 1$.$0.202에서 가장 좋은 광도값을 얻을 수 있었다. 이때 색좌표는 CIE x=0.1417, CIE y=0.0683이었다.