• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.353-353
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• 2012

InAs nanowires (NWs)는 나노소자스케일의 전자소자나 광전자소자를 위한 기본 단위(building block)로 사용될 수 있고, 1차원적 나노구조를 가지면서 나타나는 특별한 전기적, 광학적 특성으로 인해 전계효과 트랜지스터, 레이저, 광발광 다이오드, 가스 검출 센서 등의 많은 응용소자로 활용을 위한 연구가 진행되 있으며 주로 실리콘, 갈륨비소 기판 위에 금속유기기상 증착(MOCVD) 또는 분자선 증착 (MBE)을 이용하여 선택적 수직배열 성장 조절을 위한 연구와 특성 평가 연구가 주로 이뤄지고 있다. 본 연구에서는 InAs NWs를 MBE 장치를 이용하여 Si(111) 기판 위에 Au와 같은 촉매를 사용하지 않고 Si과 InAs의 큰 격자 불일치로 인하여 성장되는 Volmer-weber 성장 모드를 이용 하였다. InAs NW 성장모드는 Si ($5.4309{\AA}$)과 InAs ($6.0584{\AA}$) 사이에 큰 격자상수 차이를 이용하게 되는데 촉매를 사용하여 성장하는 일반적인 이종 화합물 반도체 성장 모드와 달리 액상상태가 존재하지 않고 바로 In과 As이 Si 기판 위를 이동하여 수직방향으로 성장이 이루어지는 vaporsolid(VS) 모드이다. InAs NW V-S 성장 모드는 Si 기판과의 격자 상수차에 의한 스트레스를 이용해야 하므로 Si기판 위에 존재하는 native oxide는 완벽히 제거되어야 한다. InAs NW 최적 성장 조건을 찾기위해 V/III raitio, 성장 온도, 기판표면처리 등의 성장 변수를 변화 시켜가며 실험을 수행하였다. Native oxide를 제거하기 위하여 HF와 buffered oxide etchant (BOE)를 사용하였다. InAs NWs 성장조건은 Indium flux를 고정 시키고 V/III ratio는 50~400까지 변화를 주었다. V/III ratio를 200으로 고정을 시키고 성장온도를 $375{\sim}470^{\circ}C$에서 성장 하였다. 이 때 InAs NWs는 $430^{\circ}C$에서 가장 높은 밀도와 aspect ratio를 얻을 수 있었다. Arsenic flux에 대해서는 많을 수록 좋은 aspect ratio를 얻을 수 있었다. 하지만 InAs 구조의 절대 부피는 거의 같다는 것을 확인 할 수 있었고 이는 온도와 V/III ratio가 Indium adatom의 surface migration length에 대하여 중요한 요소로 작용되는 것을 알 수 있었다.

• 방사성폐기물학회지
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• 제2권2호
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• pp.125-133
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• 2004

최대 선출력 61 ㎾/m 및 평균 연소도 1,770 ㎿d/tU의 조건으로 하나로에서 조사한 DUPIC(Direct Use of Spent PWR Fuel in CANDU Reactors) 핵 연료를 EPMA (Electron Probe Micro Analyzer)를 이용하여 핵분열 생성물을 분석하였다. EPMA의 정확한 분석 방법을 확립하고자, 핵분열생성물 대신 시약을 첨가하여 제조한 모의 DUPIC 핵연료로 EPMA 분석을 수행하였고, 그 결과를 습식 화학 분석의 결과와도 비교하여 평가하였다. 모의 DUPIC 핵연료 중심부의 금속 석출물은 약 1 $\mu\textrm{m}$ 정도의 크기로 관찰되었으며, 이들의 조성은 Mo-53.89 at.%, Ru-37.40 at.% 및 Pd+Rh-8.71 at%이었다. 모의 DUPIC 핵연료 시험에서 정립한 시험방법으로 조사한 DUPIC 핵연료 시편의 금속 석출물 특성을 분석하였다. 핵연료 중앙부에서 관찰된 금속 석출물들의 크기는 2∼2.5 $\mu\textrm{m}$ 정도이었으며, Mo-47.34 at.%, Ru-46 at.%, Pd+Rh-6.65 at.%의 조성임을 확인하였다. 이 실험을 위하여, 특별히 시료의 전도성을 향상시키기 위한 처리를 하였으며, 작은 금속 석출물에 EPMA의 전자빔을 정확히 조사할 수 있는 실험 조건을 제시하였다.

• 동의생리병리학회지
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• 제16권1호
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• pp.141-145
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• 2002

In order to clarify the neuroprotective effect of Gamibojungikki-tang (GBJIKT) water extract on cultured mouse spinal sensory neuron damaged by glucose Oxidase (GO), MTT [3-(4,5-dimethylthiazole-2-yl) -2,5-diphenyltetrazolium bromide] assay and SRB (Sulforhodamine B) assay were carried out after the cultured mouse spinal sensory neuron were preincubated with various concentrations of GBJIKT water extract for 3 hours prior to exposure of GO. Cell viability of cultured mouse spinal sensory neurons exposed to various concentrations of GO for 8 hours was decreased in a dose-dependent manner. MTT50 values were 45 mU/ml GO. Cultured mouse spinal sensory neurons in the medium containing various concentration of GO for 8 hours showed decreasing of total protein synthesis. GO was toxic on cultured spinal sensory neurons. Pretreatment at GBJIKT water extract for 3 hours following GO prevented the GO-induced neurotoxicity such as decreasing of total protein synthesis. These results suggest that GO shows toxic effect on cultured spinal sensory neurons and GBJIKT water extract is highly effective in proecting the neurotoxicity induced by GO.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.161-161
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• 2012

본 연구에서는 InGaAs을 이용한 테라헤르쯔(THz) 발생과 검출 특성을 GaAs에 의한 특성과 비교, 조사하였다. 고온성장(HTG, $530^{\circ}C$) InGaAs를 이용하여 photo-Dember (pD) 효과(표면방출)에 의한 THz 발생 특성을 조사하였으며, THz 검출 특성에는 저온성장(LTG, $530^{\circ}C$) InGaAs: Be을 이용하였다. HTG-InGaAs 기판 위에 패턴한 금속전극 (Ti/Au, ${\sim}500{\times}500{\mu}m$)의 가장자리에 Ti: Sapphire fs 펄스 레이저(30 ps/90 MHz)를 조사하여 LTG-GaAs 수신기(Rx)로 THz를 검출, 전류신호(a)와 Fourier transform (FT) 주파수 스펙트럼(b)을 얻었다. HTG-InGaAs에서 얻은 파형은 SI-GaAs에서와 거의 비슷한 모양이었으나, 주파수 범위(0.5~2 THz)는 SI-GaAs의 1~3 THz 보다 좁고 FT 스펙트럼의 세기는 약 1/8 정도로 낮았다. LTG-InGaAs 수신기 (Rx)의 안테나는 쌍극자 ($5/20{\mu}m$) 형태를 가지고 있으며, SI-GaAs Tx로 발생시킨 광원을 사용하여 THz 영역의 검출 특성을 조사하였다. HTG-InGaAs Tx 및 LTG-InGaAs Rx의 이득은 각각 약 $5{\times}10^{-8}$ A/W과 $2.5{\times}10^{-8}$ A/W인 것으로 분석되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.194.2-194.2
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• 2015

본 논문에서는 InP 기판에 자발형성법 (Self-assembled Mode)으로 성장한 InAs/InAlGaAs 양자점(Quantum Dots)의 외부 열처리 온도에 따른 광학적 특성을 논의한다. 분자선증착기 (Molecular Beam Epitaxy, VH80MBE)로 5주기 적층구조를 갖는 InAs/InAlGaAs 양자점 시료 (기준시료)를 성장 후 온도 의존성 및 여기광세기 의존성 포토루미네슨스 (photoluminescence, PL) 분광법으로 기본특성을 평가하였다. 양자점 시료를 $500{\sim}800^{\circ}C$에서 열처리를 수행하고 광학적 특성을 열처리 전과 비교하여 분석하였다. $550^{\circ}C$에서 열처리한 InAs/InAlGaAs 양자점 시료의 저온 (11K) PL 파장은 1465 nm를 보였으며, 이는 열처리를 하지 않은 기준시료의 1452 nm 보다 13 nm 장파장으로 이동하였다. 열처리 온도가 $700^{\circ}C$ 이상인 경우, 양자점 PL 파장이 다시 단파장으로 이동하는 현상을 보였지만 여전히 열처리하지 않은 기준시료보다 장파장을 나타내었다. $700^{\circ}C$에서 열처리한 양자점 시료의 저온 PL 광세기는 기준시료보다 15.5배 더 크게 나타났으며, 주변 온도가 증가할수록 더디게 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 온도의존성 PL로부터 구한 활성화에너지 (Activation Energy)는 $700^{\circ}C$ 열처리 온도의 경우 175.9 meV를 나타내었다. InAs/InAlGaAs 양자점 시료의 열처리 온도에 따른 광특성 변화를 InAs 양자점과 InAlGaAs 장벽층 계면에서 III족 원소인 In, Al 및 Ga의 상호확산과 결함이 완화되는 현상으로 해석할 수 있다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.21-26
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• 1981

전자선 가열 증착장치를 사용하여, 결정면이 (100)이고 비저항이 2∼4(Ω·cm) 인 N형 Si단결정기판 위에 10∼20A정도의 얇은 절연층을 형성하고, 이 위에 약 1000A의 SnO2 또는 ITO를 증착시켜 SIS 태양전지를 만들고, 이들의 특성을 조사하였다. 절연 산화피막형성을 위한 가장 적합한 온도 및 시간은 공기중에서 각각 500℃ 및 5분이었다. SnO2나 ITO를 Si 기관위에 증착한 후, 공기중에서 행한 열처리 조건은, SnO2/n-Si 태양전지의 경우 300℃에서 10분간이고, ITO/n-Si 태양전지의 경우는 300℃, 20분이 적합함을 알 수 있었다. AMI(100mW/㎠) 상태에서 측정한 SnO2/n-Si 태양전지의 개방전압(Voc), 단락전류(Jsc), 충실도(FF) 및 효율(η)은 각각 0.4V, 34mA/㎠, 0.44 및 6.0%(활성영역 효율, 6.9%)이었고, ITO/n-Si 태양전지의 경우는 각각 0.44V, 36mA/㎠, 0.53 및 8.45%(활성영역 효율, 9.71%)였다.

• 천문학회지
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• 제36권1호
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• pp.43-48
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• 2003

We introduce and describe performance of the 6-meter telescope of Seoul Radio Astronomy Observatory (SRAO). All the softwares and instruments except the antenna structure and its driving system are developed for ourselves. The SIS mixer type receiver resulted in the receiver noise temperature less than 50 K (DSB) over the whole 3-mm radio window. An autocorrelation spectrometer, developed first in Korea, provides maximum 50 MHz band width over 1024 channels. Antenna surface is measured and adjusted using template method and radio holography which resulted in a superb surface accuracy bet-ter than 30${\mu}m$. Accordingly, the aperture and beam efficiences amount to $70\%$ and $75\%$, respectively, largely independent of frequency in the 85 - 115 GHz range. It is also found that telescope pointing errors are less than 10" in both azimuth and elevation and that antenna gain is almost constant against elevation greater than $20^{\circ}$, without adjusting sub-reflector position. The SRAO 6-meter telescope is now fully operational and all these characteristics verify that observations are carried out with high precision and fidelity.

• Maxillofacial Plastic and Reconstructive Surgery
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• 제38권
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• pp.22.1-22.6
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• 2016

Background: The aim of this study is to quantitatively evaluate the effect of rhBMP-2 for repair of bone defects after cyst enucleation using the osteogenesis index (OI). Methods: Under general anesthesia, 10 patients (12 lesions) underwent oral or maxillofacial surgery for cyst enucleation. Postoperatively, 12 lesions were divided into two groups: group A (six lesions) was treated with absorbable collagen sponge (ACS) in combination with rhBMP-2, and group B (six lesions) was treated with ACS alone. After 3 months, cone-beam computed tomographic scans were obtained to measure changes in the volume of the lesions. We then calculated the OI of each group at two different Hounsfield units to determine any statistically significant difference between these two groups (Mann-Whitney U test). Results: As tested at the level of new bone, the mean OI was 72.37 % in group A and 55.08 % in group B -a statistically significant difference (p = 0.041). As tested at the level of mature bone, the mean OI was 27.47 % in group A and 18.88 % in group B, but the difference was not statistically significant (p = 0.394). Conclusions: The application of rhBMP-2 after maxillofacial cyst enucleation accelerated new bone formation in the bone defects. Thus, the use of rhBMP-2 in combination with ACS may be considered an alternative to conventional bone grafting in some patients with postoperative bone defects.

• The Journal of Advanced Prosthodontics
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• 제8권3호
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• pp.207-213
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• 2016

PURPOSE. A recently introduced direct drill-guiding implant surgery system features minimal tolerance of surgical instruments in the metal sleeve by using shank-modified drills and a sleeve-incorporated stereolithographic guide template. The purpose of this study was to evaluate the accuracy of this new guided surgery system in partially edentulous patients using geometric analyses. MATERIALS AND METHODS. For the study, 21 implants were placed in 11 consecutive patients using the direct drill-guiding implant surgery system. The stereolithographic surgical guide was fabricated using cone-beam computed tomography, digital scanning, computer-aided design and computer-assisted manufacturing, and additive manufacturing processes. After surgery, the positional and angular deviations between planned and placed implants were measured at the abutment level using implant-planning software. The Kruskal-Wallis test and Mann-Whitney U test were used to compare the deviations (${\alpha}=.05$). RESULTS. The mean horizontal deviations were 0.593 mm (SD 0.238) mesiodistally and 0.691 mm (SD 0.344) buccolingually. The mean vertical deviation was 0.925 mm (SD 0.376) occlusogingivally. The vertical deviation was significantly larger than the horizontal deviation (P=.018). The mean angular deviation was 2.024 degrees (SD 0.942) mesiodistally and 2.390 degrees (SD 1.142) buccolingually. CONCLUSION. The direct drill-guiding implant surgery system demonstrates high accuracy in placing implants. Use of the drill shank as the guiding component is an effective way for reducing tolerance.

• 디지털산업정보학회논문지
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• 제5권3호
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• pp.175-184
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• 2009

We are entering into a era of enterprise computing that is characterized by an emphasis on broadband convergence, knowledge s haring, and calm services. Some people refer to this as the "ubiquitous" computing because its focus is on a high degree of connectivity between a company and its customers, suppliers, and channel partners. Ubiquitous computing technology, "RF" stands for "radio frequency"; the "ID" means "identifer". The tag itself of a computer chip and an antenna. The shortest metaphor is that RFID is like a bar-code but is read with an electromagnetic field rather than by a laser beam. Much has already been written about the use of RFID. But there is no has written about the use of RFID in the convention industry. Therefore this study have specific objectives as follows. 1. To give details on the use of RFID in convention. 2. To introduces the key concepts behind RFID technology. 3. To identify advantage & disadvantage of RFID technology using a BEXCO CASE study. 4. To study on ubiquitous convention using RFID and effective operation methods such as entrance identification system, session management, machine management, CRM management, visitor management, and contents management. This results provide into the current status of ubiquitous computing technology in convention industries. Specific advantages by using ubiquitous computing technology(RFID) are one-stop differentiate service, wireless internet service, use of visitor management system, entrance by tag, and U-logistics. On other side, disadvantages are security, stabilization of RFID system, higher price of RFID tag, and commercial scale. Convention by using of RFID technology is currently at an early stage. Convention company as BEXCO need to have the capabilities to adapt, to customize, to commercialize, and to modify technology to suit our circumstances.