Photolysis of diazotetracyanocyclopentadiene has been investigated by means of IR and UV-vis spec troscopy in Ar matrix. Parent carbene is produced in low yield and could be detected by UV-vis spectroscopy and IR spectroscopy. The carbene produced from the diazo compound is very photolabile and also decay thermally at temperature as low as 10K. When the diazo compound is photolyzed the Arrhenius plots show a tunneling effect that is not shown as non linearity.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.125.1-125.1
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2016
The excitonic insulator (EI), which is one of fundamental insulators, was theoretically proposed in 1967 but its material realization has not been established well. Only a few materials were proposed as EIs but their experimental evidences were indirect such as the renormalization of band dispersions or an anomaly in electrical resistivity. We conducted scanning tunneling microscopy / spectroscopy measurements and found out that $Ta_2$$NiSe_5$, which was the most recently proposed as an EI, had a metal-insulator phase transition with the energy gap of 700 meV at 78 K. Moreover, the spatially delocalized excitonic energy level was observed within the energy gap, which could be the direct evidence of the EI ground state. Our theoretical model calculation with the order parameter of 150 meV reproduces the spectral function and the excitonic energy gap very well. In addition, experimental data shows that the band character is inverted at the valence and conduction band edges by the exciton formation, indicating that the mechanism of exciton condensation is similar to the Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) mechanism of cooper pairs in superconductors.
Kim, Sunmi;Lee, Kiejin;Deokjoon Cha;Takayuki Ishibashi
Progress in Superconductivity
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v.4
no.2
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pp.99-103
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2003
We studied the nonequilibrium superconductivity due to tunnel injection of polaronic quasiparticle (QP) from organic photoconductor. The transport properties of an organic copper (II) phthalocyanine (Cu -Pc)/d-wave superconductor were investigated in dark and under ultraviolet (UV) radiation for performance of a novel $high -T_{c}$ superconducting three terminal device. We observed that the injection of polaronic QP from the organic Cu -Pc film into the $Bi_2$S $r_2$$CaCuO_{8+{\delta}}$ film generated a substantially larger nonequilibrium effect as compared to the normal QP injection current. We could increase the current gain by UV excitation of the organic photoconductor injector. The tunneling spectroscopy of a Cu -Pc/BSCCO junction exhibited a small enhancement of the zero bias conductance peak under the W excitation. The above phenomena are of importance in developing optically controlled three terminal superconducting device.e.
A ferredoxin adsorbed hetero self-assembled layer was fabricated on chemically modified Au substrate, 4-Aminothiophenol (4-ATP) was deposited onto Au substrate and then N-succinimidyl-3-[2-pyridyldithio] propionate (SPDP) was adsorbed on the 4-ATP layer, since SPDP was used as a bridging molecule for ferredoxin adsorption, Ferredoxin/SPDP/4-ATP structured hetero layer was constructed because of strong chemical binding of ferredoxin, SPDP, and 4-ATP, The surface of the ferredoxin-adsorbed SPDP/4-ATP layer was observed by scanning tunneling microscopy, The hetero film formation was verified by surface plasmon resonance measurement. The current flow and rectifying property based on the scanning tunneling spectroscopy I-V characteristics was achieved in the proposed hetero layer. Thus, the hetero layer structure of ferredoxin functioned as a molecular diode with rectifying property, The proposed molecular diode can be usefully applied for the development of molecular scale electronic devices.
Kim, Sun-Mi;Hwang, Yun-Seok;Cha, Deok-Joon;Lee, Kie-Jin
한국초전도학회:학술대회논문집
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v.10
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pp.141-144
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2000
We report on the influence of d-wave pairing symmetry in high-T$_c$ superconductor by tunneling spectroscopy. The zerobias conductance peak(ZBCP) which is produced by tunneling through the ab-plane is observed on both of metal Au/YBa$_2$Cu$_3$O$_y$(N/S) tunnel junctions and ferromagnet Co/Au/ YBa$_2$Cu$_3$O$_y$(F/N/S) tunnel junctions. The effects of Andreev reflection on the differential conductance of each junctions are dependent on the tunnel direction. For the S/N/F junction, it appears the suppression of the ZBCP due to the suppression of Andreev reflection at the interface between a ferromagnetic material and a d-wave superconductor. By comparing these experimental results with recent theoretical works on Andreev reflection, the existence of Andreev bound state is verified in high-T$_c$ superconductor, due to the d-wave symmetry of the pair potential.
Kim, Sun-Mi;Lee, Kie-Jin;Hwang, Yun-Seok;Cha, Deok-Joon;Ishibashid, Takayuki
Progress in Superconductivity
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v.2
no.1
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pp.43-46
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2000
We report on the tunneling spectroscopy of tunnel junctions using d-wave superconductor in relation to Andreev reflection. The zero bias conductance peak (ZBCP) which has maximum on [110] direction of ab-plane is observed on metal $Au/YBa_2Cu_3O_y$ tunnel junctions while it is suppressed on the ferromagnetic $Co/Au/YBa_2Cu_3O_y$ tunnel junctions. The effects of Andreev reflection on the differential conductance of each junction are dependent on the tunnel direction. For the $Co/Au/YBa_2Cu_3O_y$ junction, the suppression of Andreev reflection takes place by spin-polarized quasiparticles tunneling from a ferromagnetic material to a d-wave superconductor. By comparing these experimental results with recent theoretical works on Andreev reflection, the existence of Andreev bound state due to the d-wave symmetry of the pair potential is verified in high-$T_c$ superconductor.
Park, Ji-Hun;Jeong, Gyeong-Hun;Yun, Jong-Geon;Kim, Ho-Won;Gang, Se-Jong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.302-302
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2011
Fabrications of metal-organic hybrid networks attracted much attention due to possible applications in gas storages, heterogeneous catalyses, information storages, and opto-electronic devices. One way to construct three-dimensional hybrid structures is to make the arrays of planar or linear metal-organic hybrid structures which are linked through electrostatic interactions. As a model study, we fabricated the arrays of one-dimensional hybrid chains and investigated inter-chain interactions between adjacent hybrid chains using scanning tunneling microscopy (STM) and spectroscopy (STS) on Ag(111). Brominated anthracene molecules were used to grow the arrays of hybrid chains on Ag(111). We proposed atomic models for the observed structures. Linear chains are made of repetition of Ag-anthracene units. Br atoms are attached to anthracene molecules through Br-H structures which mediate inter-chain interactions. Two different apparent heights were observed in anthracene molecules. Molecules having a Br-H connection look brighter than those with two connections due to electronic effect. When a chain is laterally manipulated with STM tip, Br atoms move together with the chain implying that Br-H inter-chain interactions are quite strong.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.150-150
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2000
The adsorption geometry and the electronic property of Mg grown at room temperature on the Si(111)-7$\times$7 surface with various coverages have been studied by scanning tunneling microscopy (STM) and low energy electron diffraction (LEED). At low Mg coverage, the Mg atoms preferentially adsorb at the center adatom sites of the faulted half of the Si(111)-7$\times$7 surface. The adsorbed Mg atom acts as nucleophile with respect to Si atoms thus forms a stable ionic bond with the substrate Si atoms. Above 1 Ml, the 7$\times$7 surface starts to be disrupted and an amorphous Mg overlayer is formed. The LEED shows either $\delta$7$\times$7 or 1$\times$1 pattern at this coverage. When more Mg atoms were exposed, a flat and broad {{{{ { 2} over {3 } }}}}{{{{ SQRT { 3} }}}}$\times${{{{ { 2} over {3 } }}}}{{{{ SQRT { 3} }}}}R30$^{\circ}$region evolves. A flat silicide is formed at first and multi-level Mg islands having hexagonal step edges develop with increasing coverage. The scanning tunneling spectroscopy (STS) confirms the electronic properties of these Mg films on the si(111) 7$\times$7 surface at various coverages.
The normal state of high-Tc superconducting materials has been believed to contain important clues to finding the correct mechanism of the high-Tc superconductivity. One example is the existence of pseudogap in the normal state even above Tc, as observed in various measurements such as photoemission spectroscopy and tunneling conductance. In this pseudogap regime the existence of preformed pairs only with local phase coherence has been debated. Recently Choi, Bang, and Campbell[1] have proposed the occurrence of the zero-bias conductance enhancement due to Andreev quasiparticle reflection from the preformed pairs even with the local phase coherence. In this study we examine the zero-bias enhancement of the differential conductance near or slightly above Tc, using c-axis tunneling in mesa structure of Bi2Sr20a0u208+d single crystals. In slightly overdoped samples zero-bias conductance enhancement (ZBCE) has been observed over a range of 2 K above Tc. In contrast, in underdoped samples with Tc${\sim}$72K the ZBCE appears over a range of 5-6 K above Tc, a much wider temperature range than in overdoped samples. This result may pose as positive signs of the existence of prefurmed pairs in the normal state of high- Tc superconducting materials.
Luminescence properties of asymmetric double quantum well structure composed of $Al_x/Ga_{1-x}$ /As AIAs/GaAs have been studied by steady state and time-resolved photoluminescence and phtoluminescence excitation spectroscopy at low temperature. Two quantum well samples with different barrier thickness (15$\AA$ and 150$\AA$) were prepared to investigate the dependence of tunneling characteristics on barrier thickness. The abscence of excitonic recombination peak from $Al_x/Ga_{1-x}$As well for the 15$\AA$ barrier sample indicates a very fast electron tunneling to GaAs well. Meanwhile, T-X transition between well and barrier is supposed to be a major route for the fast decay of luminescence from $Al_x/Ga_{1-x}$As well in the 150$\AA$ barrier sample. Time-resolved photduminescence from GaAs well of 15$\AA$ sample shows the exsitence of the rise with 100 ps which is attributed to the hole tunneling.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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