• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1252-1254
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• 1998

The characteristics of linear dichroism with temperature were investigated in normally($0^{\circ}$) and $80^{\circ}$-obliquely deposited amorphous $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin films using low temperature equipment. The saturated dichroism($D_{sat}$) of a $80^{\circ}$-obliquely deposited film shows approximately 6% which is the larger value than 4.2 % of normally($0^{\circ}$) deposited film. The $D_{sat}$ of $80^{\circ}$-deposited film was increased to 25 % at 77 K, which is four times larger than that at room temperature. The $D_{sat}$ decreased with increasing temperature and was completely disappeared at about 335K. This could be explained as the tunneling effect due to the thermal excitation of lone-pair electrons in intimate valence alternation pairs(IVAPs) which are considered to be the origin of anisotropy. The decrease of $D_{sat}$ with increasing temperature from 77K to room temperature satisfied Gaussian approximation with a standard deviation of 158K.

• Geomechanics and Engineering
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• 제16권3호
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• pp.295-308
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• 2018

The excavation of twin tunnels is a process that destabilizes the ground. The stability of the tunnel lining, the control of ground displacements around the tunnel resulting from each excavation and the interaction between them must be controlled. This paper provides a new approach for replacing the costly 3D analyses with the equivalent 2D analyses that closely reflects the in-situ measurements when excavating twin tunnels. The modeling was performed in two dimensions using the FLAC2D finite difference code. The three-dimensional effect of excavation is taken into account through the deconfinement rate ${\lambda}$ of the soil surrounding the excavation by applying the convergence-confinement method. A comparison between settlements derived by the proposed 2D analysis and the settlements measured in a real project in Algeria shows an acceptable agreement. Also, this paper reports the investigation into the changes in deformations on tunnel linings and surface settlements which may be expected if the twin tunnels of T4 El-Harouche Skikda were constructed with a tunneling machine. Special attention was paid to the influence of the excavation phase shift distance between the two mechanized tunnel faces. It is revealed that the ground movements and the lining deformations during tunnel excavation depend on the distance between the tunnels' axis and the excavation phase shift.

• 센서학회지
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• 제7권2호
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• pp.97-102
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• 1998

PPV(poly(p-phenylenevinylene))를 발광체로 이용한 유기 박막 EL 소자를 다양한 구조와 조건으로 제작하였으며, 그 전기-광학적 특성을 평가하였다. 제작된 EL 소자는 단층구조(ITO(indium tin oxide)PPV/Mg), 이층구조 (ITO/PVK(poly(N-vinylcarbazole))/PPV)Mg와 ITO/PPV/Polymer matrix+PBD/Mg) 그리고 삼층구조 (ITO/PVK/PPV/PS(polystyrene)+PBD(butyl-2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazole))/Mg)를 가지며, 그들의 전기광학적 특성을 상호 비교하였다. 이층구조(ITO/PPV)Polymer matrix+PBD/Mg)에서는 PMMA (poly(methyl methacrylate)), PC(polycarbonate) PS 와 MCH(side chain liquid crystalline homopolymer)를 고분자 메트릭스로 사용하였으며, 특히, PS 고분자 메트 릭스를 전자수송층으로 사용하는 경우에 전자수송제인 PBD의 농도에 따른 발광휘도 특성을 구하였다. 제작된 소자의 인가전압에 따른 전류, 휘도특성을 분석한 결과 터널링효과를 나타내었고 안정된 발광특성을 가진다는 것을 알 수 있었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권2호
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• pp.494-500
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• 2014

Indium-doped zinc oxide nanocrystals (IZO NCs), capped with stearic acid (SA) of different sizes, were synthesized using a hot injection method in a noncoordinating solvent 1-octadecene (ODE). The ligand exchange process was employed to modify the surface of IZO NCs by replacing the longer-chain ligand of stearic acid with the shorter-chain ligand of butylamine (BA). It should be noted that the ligand-exchange percentage was observed to be 75%. The change of particle size, morphology, and crystal structures were obtained using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM) and X-ray diffraction pattern results. In our study, the 5 nm and 10 nm IZO NCs capped with stearic acid (SA-IZO) were ligand-exchanged with butylamine (BA), and were then spin-coated on a thermal oxide ($SiO_2$) gate insulator to fabricate a thin film transistor (TFT) device. The films were then annealed at various temperatures: $350^{\circ}C$, $400^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, and $600^{\circ}C$. All samples showed semiconducting behavior and exhibited n-channel TFT. Curing temperature dependent on mobility was observed. Interestingly, mobility decreases with the increasing size of NCs from 5 to 10 nm. Miller-Abrahams hopping formalism was employed to explain the hopping mechanism insight our IZO NC films. By focusing on the effect of size, different curing temperatures, electron coupling, tunneling rate, and inter-NC separation, we found that the decrease in electron mobility for larger NCs was due to smaller electronic coupling.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권6호
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• pp.390-397
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• 2001

GIDL(Gate-Induced Drain-Leakage)을 줄일 수 있는 새로운 구조의 ESD(Elevated Source Drain) MOSFET을 제안하고 분석하였다. 제안된 구조는 SDE(Source Drain Extension) 영역이 들려진 형태를 갖고 있어서 SDE 임플란트시 매우 낮은 에너지 이온주입으로 인한 저활성화(low-activation) 효과를 방지 할 수 있다. 제안된 구조는 건식 식각 및 LAT(Large-Angle-Tilted) 이온주입 방법을 사용하여 소오스/드레인 구조를 결정한다. 기존의 LDD MOSFET과의 비교 시뮬레이션 결과, 제안된 ESD MOSFET은 전류 구동능력은 가장 크면서 GIDL 및 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering) 값은 효과적으로 감소시킬 수 있음을 확인하였다. GIDL 전류가 감소되는 원인으로는 최대 전계의 위치가 드레인 쪽으로 이동함에 따라 최대 밴드간 터널링이 일어나는 곳에서의 최대 전계값이 감소되기 때문이다.

• 한국터널지하공간학회 논문집
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• 제19권2호
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• pp.109-120
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• 2017

터널 내 지하수 침투는 터널붕괴와 그에 따른 지반침하의 주요 원인 중 하나이다. 따라서 터널굴착 중 시간에 따른 지하수 침투량과 간극수압 변화를 적절히 예측하는 것이 중요하다. 실무에서는 균질한 지반조건으로 가정하는 Goodman의 산정법을 사용하여 지하수 침투량을 계산하지만, 터널굴착 중 지하수위 강하와 깊이에 따른 투수계수 변화를 고려하지 않아 설계단계에서 지하수 유입량을 과다하게 산정할 우려가 있다. 따라서 본 연구에서는 지하수위 강하 및 깊이별 투수계수의 감소를 적용한 매개변수분석을 통해 지하수 유입량 변화를 분석 비교하였으며, 시간에 따른 지하수 침투량 변화와 지하수위 및 간극수압 분포 변화를 분석하기 위해 비정상류 해석을 수행하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권8호
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• pp.1-8
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• 2004

두께가 3nm인 게이트 산화막을 사용한 n-MOSFET에 정전압 스트레스를 가하였을 때 관찰되는 SILC 및 soft breakdown 열화 및 이러한 열화가 소자 특성에 미치는 영향에 대해 실험하였다. 열화 현상은 인가되는 게이트 전압의 극성에 따라 그 특성이 다르게 나타났다. 게이트 전압이 (-)일 때 열화는 계면 및 산화막내 전하 결함에 의해 발생되었지만, 게이트 전압이 (＋)일 때는 열화는 주로 계면 결함에 의해 발생되었다. 또한 이러한 결함의 생성은 Si-H 결합의 파괴에 의해 발생할 수 있다는 것을 중수소 열처리 및 추가 수소 열처리 실험으로부터 발견하였다. OFF 전류 및 여러 가지 MOSFET의 전기적 특성의 변화는 관찰된 결함 전하(charge-trapping)의 생성과 직접적인 관련이 있다. 그러므로 실험 결과들로부터 게이트 산화막으로 터널링되는 전자나 정공에 의한 Si 및 O의 결합 파괴가 게이트 산화막 열화의 원인이 된다고 판단된다. 이러한 물리적 해석은 기존의 Anode-Hole Injection 모델과 Hydrogen-Released 모델의 내용을 모두 포함하게 된다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제3권1호
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• pp.229-234
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• 1999

측정 온도 변화와 n-형 실리콘 기판 농도의 변화를 갖는 백금 쇼트키 다이오드에서 신뢰성 특성을 분석하였다. 신뢰성 측정분석의 파라미터는 순방향 바이어스에서 포화전류, 임계전압과 이상인자이고, 소자의 모양에 따라서 역방향 바이어스에서 항복전압이다. 소자의 모양은 가장자리 효과를 위한 긴직사각형과 정사각형이다. 결과로써, 백금과 엔-실리콘 접합 부분에서 증가된 농도에 의해 순방향 임계전압, 장벽높이와 역방향 항복전압은 감소되었지만 이상인자와 포화전류는 증가되었다. 순방향과 역방향 바이어스 하에서 신뢰성 특성의 추출된 전기적 파라미터 값들은 측정온도(실온,$50^{\circ}C$, $75^{\circ}C$)에서 더 높은 온도에서 증가되었다. 긴직사각형 소자가 가장자리 부분의 터널링 효과에 의해 역방향 항복 특성에서 정사각형 소자보다 감소되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제36권2호
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• pp.125-128
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• 2023

Recently, as the process of the MOS device becomes more detailed, and the degree of integration thereof increases, many problems such as leakage current due to an increase in electron tunneling due to the thickness of SiO₂ used as a gate oxide have occurred. In order to overcome the limitation of SiO₂, many studies have been conducted on HfO₂ that has a thermodynamic stability with silicon during processing, has a higher dielectric constant than SiO₂, and has an appropriate band gap. In this study, HfO₂, which is attracting attention in various fields, was doped with Al and the change in properties according to its concentration was studied. Al-doped HfO₂ thin film was deposited using Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD), and the structural and electrical characteristics of the fabricated MIM device were evaluated. The results of this study are expected to make an essential cornerstone in the future field of next-generation semiconductor device materials.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제21권9호
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• pp.584-595
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• 2020

본 연구에서 사익편취규제제도가 특수관계인간 거래와 기업가치간의 관계에 미치는 영향을 분석하였다. 이를 위해 제도가 시행된 2014년 전·후 5개년(2009년~2013년과 2014년~2018년)동안 상장사들의 특수관계인간 거래와 기업가치간의 관계 변화를 살펴보았다. 특수관계인간 거래형태는 장기공급계약, 대여금, 신용공여이다. 총 6,534개 연도-기업 표본을 패널자료 회귀분석방법으로 분석하였다. 분석결과는 다음과 같다. 첫째, 규제제도는 특수관계인간 거래와 기업가치간의 관계에 영향을 미치는 것으로 나타났다. 전체기업 대상 분석결과 제도시행 이전에는 특수관계인간 거래와 기업가치간에 유의미한 영향관계를 확인할 수 없었다. 그러나 제도시행 이후에는 장기공급계약이 기업가치에 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 이는 제도시행으로 내부거래가 사익편취 목적이 완화되고 거래의 효율성과 투명성이 강화된 결과로 이해할 수 있었다. 둘째, 규제제도가 특수관계인간 거래와 기업가치간의 관계에 미치는 영향은 규제대상과 비규제대상 간에 차이가 있음을 알 수 있었다. 규제대상의 경우 제도시행 전에는 대여금과 신용공여가 기업가치에 유의미한 부(-)의 관계로 나타났지만, 제도시행 이후에는 유의미한 영향관계가 사라졌다. 사익편취 목적으로 수행되던 이들 거래가 제도시행으로 감시와 통제기능이 강화되면서 부정적인 영향관계가 완화된 것으로 이해되었다. 비규제대상에서는 제도시행 이전과 달리 장기공급계약이 제도시행 이후 기간에서 기업가치와 정(+)의 영향관계로 나타났다. 따라서 규제제도는 내부거래의 효율성과 투명성 강화 측면에서 규제대상보다 비규제대상에 더 크게 영향을 미친다는 것을 알 수 있었다.