• Title/Summary/Keyword: Tunnel junction

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The effect of magnetostatic bonding between layers on Magnetoresistance in the $Cr/Co/Al-O_x/Ni-Fe$ for tunnel junction structure

  • 이종윤;전동민;박진우;윤성용;백형기;서수정
    • Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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    • 2002.12a
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    • pp.70-71
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    • 2002

  • 터널 접합 소자은 절연층을 사이에 둔 두 강자성체로 이루어지는 데 두 강자성체의 서로 다른 보자력 차이로 인가해주는 자장의 방향에 기인한 spin들의 평행함과 반평행함에 의해 나타나는 자기 저항 현상을 이용한 것이다. 이 TMR 현상은 비휘발성, 고집적도, 적은 전력손실로 인해 차세대 RAM으로 사용될 것으로 보이는 MRAM 소자로써의 적용을 위해 연구 중에 있다. 그러나 TMR소자 공정중에서 비중이 큰 절연층 형성에서의 여러 요인의 개입으로 인해 고른 절연층 형성이 어려운 실정이다. (중략)

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