$TiO_2$ 나노입자의 광촉매 반응을 억제하기 위해 평균 직경 3~5 nm의 $TiO_2-SnO_2$ 나노입자가 titanium tetraisopropoxide(TTIP)와 tin chloride의 가수분해 반응에 의해 합성되었다. 생성된 $TiO_2-SnO_2$ 나노입자를 졸-겔법에 의해 3-glycidoxypropyl trimethoxysilane(GPTMS)과 반응시킴에 의해 유-무기 혼성 코팅 용액이 제조되었다. 그 후 코팅 용액을 기재인 polycarbonate(PC) 시트 위에 스핀 코팅시키고, $120^{\circ}C$에서 열경화 시켜 고굴절률 하드코팅 도막이 제조되었다. $TiO_2-SnO_2$ 나노입자로부터의 코팅 도막은 $TiO_2$ 나노입자로부터 얻어진 코팅 도막의 2H에 비해 증가된 3H의 연필경도를 보였다. 또한 $TiO_2-SnO_2$ 나노입자로부터의 코팅 도막의 굴절률은 Sn/Ti 몰 비가 0에서 0.5로 증가함에 따라 633 nm 파장에서 1.543으로부터 1.623으로 향상되었다.
The variations of sintering and electrical characteristics of semiconducting BaTiO3 ceramics with sintering agents added were investigated comparing the case of BaB2O4 addition to BN and TiO2 addition. When BaB2O4 added in BaTiO3 ceramics the densitifcation of specimen could be acheived more easily and recvealed the better PTCR characteristics than BN and TiO2 addition. As increase of addition of BaB2O4 in BaTiO3 spec imens the slope of resistivity jump also increased but the temperature of maximum resistivity decreased, It was supposed that addition of BaB2O4 led to increase of Ns (acceptor state density) value at grain boundaries.
본 연구에서는 폴리머 애자의 자가세정 코팅을 위한 소재로써 $TiO_2$ 박막을 실리콘과 유리, 폴리머애자 기판위에 증착하였다. $TiO_2$ 박막은 $TiO_2$ 세라믹 타겟이 부착된 RF 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여 증착하였다. $TiO_2$ 박막은 스퍼터링의 다양한 공정조건 중 RF 파워의 크기에 따라 100 nm의 두께로 증착하였다. RF 파워에 따라 증착되어진 $TiO_2$ 박막의 접촉각, 표면거칠기등 표면 특성을 확인하였으며, UV-visible등 광학적 특성을 고찰하여, 구조적 특성과의 관계를 고찰하였다.
The $TiO_2/Si_3N_4/Ag/Si_3N_4/TiO_2$ multi layered structure was designed for the possible application of transparent electrodes in PDP (Plasma Display Panel). Multi layered film was deposited on a glass substrate at room temperature by DC/RF magnetron sputtering system and EMP (Essential Macleod Program) was adopted to optimize the optical characteristics of film. During the deposition process, the Ag layer in $TiO_2/Ag/TiO_2$ became heavily oxidized and the filter characteristic was degraded easily. In thus study, Si3N4 layer was used as a diffusion buffer layer between $TiO_2$ and Ag. in order to prevent the oxidation of Ag layer in $TiO_2/Si_3N_4/Ag/Si_3N_4/TiO_2$ structure. It was confirmed that $Si_3N_4$ layer is one of candidate materials acting as diffusin barrier between $TiO_2/Ag/TiO_2$.
본 연구에서는 $TiO_2$/Co/Pd 구조의 다층박막을 마그네트론 스퍼터링으로 GaAs(100), MgO(100), MgO(111), Si(100), glass와 같은 다양한 종류의 기판에 대해 제작하여 수직 자기 이방성에 대해서 연구하였다. 산소 분압 등의 $TiO_2$ 층의 증착 조건과 기판의 종류에 따른 Co/Pd 층의 수직 자기 이방성을 측정하였다. 그 결과, $TiO_2$ 층이 5 nm 이하 일 때는 기판의 종류에 영향을 받지만, 그 이상의 두께에 대해서는 MgO(111)을 제외한 기판의 영향이 크지 않음을 확인하였고, 이는 $TiO_2$ 씨앗층의 성장조건과 계면의 거칠기, 결정방향 등과 관련이 있음을 발견하였다.
Field programmable gate array (FPGA)의 전압 프로그램 요소(voltage programmable link)로써 사용될 새로운 안티퓨즈를 제조하였다. 제조된 안티퓨즈는 Al/$BaTiO_3/SiO_2$/TiW-실리사이드 구조를 갖는다. 안티퓨즈의 프로그램 전압은 $BaTiO_3$의 증착 두께를 조절함으로써 정확하게 조절할 수 있었다. $BaTiO_3(120{\AA})$/$SiO_2(120{\AA})$의 안티퓨즈에서 TiW-실리사이드 전극에 (-)극성을 인가하여 측정된 프로그램 전압은 14.4 V였으며, on-저항은 $40-50{\Omega}$의 값을 갖는다. 안티퓨즈의 전류-전압 특성은 Frenkel-Poole 전도 기구를 따르고 있으며, 그 특성은 인가 전압의 극성에 따라 차이를 보였다. 이것은 Al/$BaTiO_3$계면과 TiW-silicide/$SiO_2$계면 특성이 다르기 때문이다.
There has been increasing awareness on the importance of not only removal of organic materials but also sterilization of microbial cell in the drinking water purification research, so there has been many researches on that area. This study has been designed to analyze the effects of $TiO_{2}$ and ZnO coated on activated carbon on Escherichia coli. In this study, the sterilization power was analyzed by (1) variation of $TiO_{2}$ and ZnO concentration coated on activated carbon (2) variation of UV intensity. In addition, the kinetics between exposure time and sterilization velocity was viewed by the method of Chick. The results are as follows. 1. Survival ratio of E. coli decreased as time goes on in application of $TiO_{2}$, ZnO and $TiO_{2}{\cdot}ZnO$. In $TiO_{2}$ and ZnO, the effect increased upto certain concentration, but decreased there-after. In $TiO_{2}{\cdot}ZnO$, the effect of sterilization was in similar way among 3 combinations. 2. Survival ratio of E. coli decreased proportionately to an increase of light intensity in ZnO and $TiO_{2}{\cdit}ZnO$. In $TiO_{2}$, the survival ratio differed over extent of irradiation but the difference over the light intensity was not significant. 3. When Chick's law of sterilization was applied, m values of three concentrations of $TiO_{2}$ were 1.57,0.98, 1.96 respectively. M values of three concentration of ZnO were 1.10, 1.18,0. 11 respectively and those of three combination of $TiO_{2}{\cdot}ZnO$ were 1.17, 1.24, 1.74 respectively.
질소가 도핑된 이산화티타늄의 광촉매 특성을 알아보았다. 질소가 도핑된 이산화티타늄에 대하여 자외선 및 가시광선 분위기에서 메틸렌블루 광촉매 분해를 수행하였다. XPS 분석을 통해 제조한 $TiO_2$에서 질소(N)가 산소(O)와 치환되었음을 확인하였다. UV-Vis DRS 분석 결과 질소가 도핑된 무정형 $TiO_2$ 시료에서는 가시광선을 거의 흡수하지 않고 자외선을 흡수하는 반면 무정형/anatase 혼재 $TiO_2$ 시료의 경우 가시광선 흡수가 상당히 증가하였다. 질소가 도핑된 anatase $TiO_2$ 시료는 자외선 및 가시광선 조사에서 메틸렌블루 광분해 반응이 나타났다. 그러나 가시광선 조사에서 분해율은 자외선 조사의 분해율보다 낮았다. 무정형/anatase 혼재 $TiO_2$ 시료의 경우 자외선과 가시광선 조사에서 anatase $TiO_2$ 시료의 분해율보다 높았다. 이러한 결과는 anatase $TiO_2$ 시료에 비해 3배 정도 큰 무정형/anatase 혼재 $TiO_2$ 시료의 높은 표면적이 질소 도핑된 작은 anatase 입자와 관련이 있음을 보여준다.
$TiO_2$ 함유 피치섬유의 최적 안정화 조건을 도출하기 위하여 $TiO_2$의 함유량을 달리하여 피치섬유를 제조한 후, 여러가지 안정화 조건에 대한 섬유의 특성 변화와 금속입자의 거동을 관찰하였다. 공기에 의한 피치섬유의 안정화시 안정화온도가 높고, $TiO_2$ 함유량이 적을수록 산화에 의한 무게증가가 컸다. 안정화된 섬유를 탄화하면 수율은 71~82 wt.% 수준인데, $TiO_2$가 활성촉매 역할을 하여 $TiO_2$의 함유량이 많을수록 탄화수율은 낮았다. 안정화 과정에서 열가소성의 피치섬유는 산소의 도입으로 카르보닐기(C=O)와 카르복실기(-COOH) 등이 형성되며 동시에 이들이 가교결합을 이루고 수소를 탈리시켜 열경화성 섬유로 전환되었다. 활성탄소섬유의 기공크기는 $TiO_2$ 함유량이 증가함에 따라 점점 커졌으며, 주사전자현미경과 투과전자현미경을 통하여 섬유의 표면과 내부에 분포된 $TiO_2$ 입자와 분포를 관찰한 결과 안정화, 탄화 및 활성화공정 중 일부 $TiO_2$가 서로 뭉침을 알 수 있었다. 최종적으로 0.5 wt.% $TiO_2$ 함유 석유계 피치섬유는 $280^{\circ}C$에서 3 hr를 최적 안정화 조건으로 제시할 수 있었다.
The influence of TiO2 addition on the sintering and microstructure of magnesia ceramics was studied. An excess amount of TiO2 over the solid solubility limit reacted with magnesia to form Mg2TiO4 compound above 130$0^{\circ}C$. The deviation of lattice parameter of MgO was estimated to be under 0.2% when existence of TiO2 in MgO. The addition of TiO2 markedly promoted the densification of MgO at comparatively low temperature and the sintered density of about 98% of the theorectical was obtained at 150$0^{\circ}C$, 2h. The densification was mainly governed by grain growth of MgO and the effect of Mg2TiO4 existing as a second phase on depression of grain growth of MgO was not exhibited.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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